绝缘层上半导体多晶膜激光再结晶临界条件

从理论的角度分析了绝缘衬底对其上面半导体多晶膜激光熔化再结晶过程的影响, 发现低导热的绝缘层使产生固一液相变的临界激光功率有明显的降低.用喇曼光谱测量了激光再结晶SOI层中的应力. 应力的出现是多晶膜内曾经发生过固一液相的佐证.从这一思想出发, 对LPCVD方法制备的大量SOI 样品进行激光再结晶临界条件的研究, 证明了忽略绝缘层低热导影响的模型不能解释实验结果, 而经过修正的公式则可以较好地拟合实验结果, 关键词：     

正入射全自动扫描反射率绝对值光谱仪的研制

采用Ｍ型棱镜分光束法研制了一台全自动扫描绝对反射率光谱仪，测量光谱范围为３５０ｎｍ～８２０ｎｍ（１．５～３．５ｅＶ），样品入射角为５°，测量和数据采集处理全过程由计算机控制．测量绝对值精度优于±１％，测量重复性优于０．１％．采用本谱仪对热蒸发金膜和（１１１）锗本征体单晶进行测量，获得了与椭偏测量以及文献报道相一致的结果．     

一种完整测量磁光克尔效应和法拉第效应的方法

详细给出了一种测量完整克尔和法拉弟效应的原理和实验装置。该装置简单可靠,安全由计算机控制。利用傅里叶变换方法,实验系统可以在从０．０１度至几百度的克尔和法拉第旋转角范围内以及在１．５￣６．０ｅＶ的光子能量范围内,准确地测量克尔和法拉第旋转角范围内以及在１．５￣６．０ｅＶ的光子能量范围内,准确地测量克尔和法拉第效应的绝对值。作为实验测量的例子,给出了ＭｎＢｉＡｌ合金薄膜样品和ＧａＰ块状样品的克尔和法     

硅离子注入层的电场调制反射光谱

结合剥层技术,对略高于临界剂量的P⁺注入p-Si层,进行了电解液电场调制反射(以下简称EER)光谱研究,对非均匀的结构无序材料的光学测量,提出采用“特效波长”的建议,硅的这一波长是E₁,E₁+△₁能区的349O?(hω≈3.55eV),c-Si和α-Si对3490?光波的吸收系数均等于10⁶cm^-1,将((△R)/R)_3.55ev按深度x的分布同无序度的 关键词：     

STUDY OF PHOTON-TRAPPING PHENOMENON IN POROUS SILICON LAYER

Porous silicon samples were prepared for optical studies by using the photoluminescence (PL), Raman scattering (RS), as well as the absolute reflectance and ellipsometry methods. Results show that the porous Si has low optic constants, and can trap the visible photons of more than 95%, but give no evidence of a strong interband transition existing in the vis-ible region. The Bruggeman effective-medium-approximation (EMA) and Lorentz oscillator models were used in data analyses. Calculations show that the layer dispersion effect may result in a red shift of the PL peak. The possible mechanism for the PL and Raman enhance-ment as well as the photon trap phenomenon was discussed, and was attributed mainly to the random multiple micro-reflections in the porous-Si layer having extremely large internal micro-Burfaces.     

绝缘层上半导体多晶膜激光再结晶临界条件

从理论的角度分析了绝缘衬底对其上面半导体多晶膜激光熔化再结晶过程的影响,发现低导热的绝缘层使产生固-液相变的临界激光功率有明显的降低。用喇曼光谱测量了激光再结晶SOI层中的应力。应力的出现是多晶膜内曾经发生过固-液相变的佐证。从这一思想出发,对LPCVD方法制备的大量SOI样品进行激光再结晶临界条件的研究,证明了忽略绝缘层低热导影响的模型不能解释实验结果,而经过修正的公式则可以较好地拟合实验结果。 关键词：     

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金组分的电解液电场调制反射(EER)光谱测量

观察了一系列Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金GaAs1-xPx和AlxGa1-xAs样品的电解液电场调制反射光谱(EER)与合金组分参数X的关系.在临界点能量及其相关的自旋“轨道分裂Eg0,△0,Eg1,△1的计算中,采用了”三点调整法”.按照文献给出的公式,从Eg0的值求得所有GaAs1-xPx样品的组分.由此,通过最佳拟合法碍到[Eg0+△0](x)、Eg1(x)、(Eg1+△1)(x)的经验公式均为抛物线型的.在GaP(X=1)的情形中,明确地测得△1的值约为0.19eV,这与△1:△0比值的“2/3规则”有显著的偏离.本文还说明了,对半导体合金组分的光电压法测定中常用的线性型Eg0(x)假设,有必要进行二次项修正.