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实验研究了非晶态InSb及其结晶相变过程中的霍耳效应。结果表明,金属型非晶态InSb以电子导电为主,半导体型非晶态InSb以空穴导电为主;金属型非晶态InSb中的第一电导跃变是一种由类液非晶态到类点阵非晶态的结构弛豫过程;第三电导跃变是富In或富Sb固溶体相在半导体InSb晶界上析出并集中所引起的;金属型非晶态InSb的三种不同的结晶相变类型具有鲜明不同的输运性质;第二电导跃变峰所对应的亚稳金属相超导Tc的提高,可能主要起因于电子浓度的增加。
关键词： 相似文献
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实验研究了非晶态InSb及其结晶相变过程中的霍耳效应. 结果表明, 金属型非晶态InSb以电子导电为主, 半导体型非晶态InSb 以空穴导电为主; 金属型非晶态InSb中的第一电导跃变是一种由类液非晶态到类点阵非晶态的结构弛豫过程; 第三电导跃变是富In或富Sb 固溶体相在半导体InSb 晶界上析出并集中所引起的; 金属型非晶态I站b 的三种不同的结晶相变类型具有鲜明不同的输运性质; 第二电导跃变峰所对应的亚稳金属相超导Tc的提高, 可能主要起因于电子浓度的增加.
关键词： 相似文献
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