GaN发光二极管表观电阻极值分析

利用正向交流(ac)小信号方法对GaN发光二极管的电容-电压特性进行测量,可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象。利用LED串联等效电路对表观电容和表观电阻进行了测量,表观电阻-正向电压曲线出现了一个极值点。通过对相关文献分析,提出负电容现象的根本原因是在较高的正偏下微分电容dQ/dU<0;推论出pn结的微分电容先随正向偏压的增大而急剧增大,当出现复合发光后随正向偏压的增大而减小,直到随正向偏压的增大而出现负值;正向偏置电压较大时,结电导电流的变化率根据I-V特性曲线取极大值,此时微分电容由于强复合效应已快速变小,表观电阻有极大值;得到了表观电阻极大值表达式。表观电阻与正向电压曲线的极值点与理论模型相吻合,证明了该理论模型的正确性。     

~(32)S离子辐照PET薄膜制备亚微米孔径核孔膜研究

使用中国原子能科学研究院HI-13串列加速器产生的32S离子轰击BOPET薄膜,薄膜在空气中陈化3个月后在专用装置中使用Na OH溶液蚀刻制备核孔膜,研究Na OH溶液浓度、蚀刻温度对微孔孔形的影响。在不同温度和蚀刻液浓度条件下,蚀刻出微孔孔径为0.2至0.93μm的亚微米核孔膜,计算其微孔锥角,得出微孔锥角随着蚀刻温度、蚀刻液浓度和微孔孔径的变化趋势。研究表明,采用低浓度、高温度的Na OH溶液蚀刻有利于减小微孔锥角,有利于制备较小孔径的核孔膜。如选用0.5mol/L的Na OH溶液浓度,在蚀刻温度为90℃的条件下蚀刻,此时蚀刻时间小于2 h,既可以得到高质量微孔膜也有利于提高生产效率。     

大气颗粒物滞留时间的确定方法及初步实验验证

通过研究大气颗粒物中222Rn子体活度比与颗粒物平均寿命之间的关系,建立了基于活度比估算大气颗粒物滞留时间(residence time of atmospheric aerosol,RTAA)的方法,并在相对理想条件下进行了实验验证.当氡室浓度稳定为1.816kBq/m3时,由214Bi/214Pb活度比计算出的RTAA为112.17min,与氡室的平均换气时间(104.17min)相当,表明大气颗粒物中同一衰变链上的放射性核素活度比(如214Bi/214Pb,210Bi/210Pb或210Po/210Pb)可以用于估算RTAA.     

低频电磁辐射与脑神经细胞微管的相互作用

研究了低频电磁辐射场与脑神经系统的相互作用规律及其机理。电磁辐射为非电离低频电磁场, 将脑神经细胞骨架微管（MT）中的两态物理系统进行量子化,用密度矩阵描述脑神经系统中信息位的状态, 建立并求解脑神经系统中信息位的动力学方程。 结果表明: 当非电离低频电磁辐射射向大脑时, 脑神经系统中信息位的密度矩阵非对角元在任意时刻都不为零, 能够保持较好的量子相干性, 脑神经系统的功能不会受到破坏。     

FeCr合金辐照损伤中点缺陷的分子动力学研究

采用改进型EAM原子嵌入势,结合分子动力学方法,从原子尺度上研究FeCr合金在幅照损伤中产生的点缺陷,获得了各种构型点缺陷的结合能和形成能。模拟研究表明：FeCr合金中Cr与第一近邻空位结合能最低（约60meV）,自间隙挤塞子中〈111〉Fe-Cr具有最高的结合能,最稳定。     

理想条件下氡及其子体垂直运移实验数据分析

对氡及其子体的长距离运移实验数据进行了分析,发现利用氦氡团簇解释氡的快速向上运移,α粒子的数量远远不够.如果假定氡有很强的从空气中吸附氦气的能力,从而获取足够的氦组成氦氡团簇垂直运移,则又与相关实验中加有氦气后氡及其子体向上、向下运移概率与自然状态相同的结论矛盾.提出氦氡团簇可能不是氡具有快速向上运移能力的主要原因,氡的快速向上运移能力可能另有更深层次的原因,有待进一步深入研究. 关键词： 氡 垂直运移 氦氡团簇