第五届全国半导体物理学术会议在厦门举行

中国物理学会委托厦门大学物理系组织筹办的第五届全国半导体物理学术会议于1985年12月3-6日在厦门市举行.来自全国各地的研究所、高等院校以及有关工厂70个单位共230多名代表出席了会议. 大会征集到学术论文、工作报告401篇,会上交流论文387篇.内容涉及到材料物理、表面与界面     

AuBe/p-GaP接触体系界面特性随温度变化的研究

微合金条件对M-S接触的表面与界面特性产生重要的影响.借助光电子能谱分析了AuBe/p-GaP接触体系界面组分变化,用扫描电子显微镜观察其表面形貌；从冶金学观点解析了M-S接触界面反应的特征,并对其温度依赖关系进行了讨论.     

激光与现代医学

 本世纪科学技术的发明之一--激光,自1960年作为一种新光源初露锋芒之后,发展神速,深刻地影响着自然科学的各个领域,应用范围遍及国防军事、医疗卫生及国民经济诸多部门。激光诞生不久就与生命科学结下不解之缘,在医学研究、临床治病方面日益显示其优势、其潜能深受人们关注。 光是生命系统赖以生存、成长的基本能源。植物依靠光合作用为人类提供了丰富的食粮,光对人体的作用、对体内肌体组织产生的刺激,影响着组织细胞结构、形态及其功能。长期以来这些一直是科学家研究的重要课题。作为光的一种特殊形态--激光,用于生命科学的研究早就受到重视,激光医学就是由此应运而生的一门新学科,它包括激光技术用于基础医学的研究、疾病诊断、临床治疗、预防保健等方面。     

创造力的培养与研究

 纵观人类社会发展史,人类社会的每一点进步和文明都离不开人类对自身潜能的开发。而在所有的潜能中,最宝贵的当属创造的潜能。值此知识经济时代,如何培养和开发这种潜能进而可以培养出越来越多的具有创造力的人才这一问题,日益受到人们关注,并成为当代教育的一个重要课题。创造教育最早可以追溯到本世纪初的美国教育家杜威。杜威的思维五步法宗旨,为创造性教育,特别是创造性教学定下基调。接着认知学派在杜威思想的基础上于20世纪60年代初建立了探究发现模式。其中,布鲁纳的发现教学法更是尽人皆知。而被称为心理学第三思潮的人本主义心理学对创造性教育,尤其对创造性教学做出了突出贡献。     

ANISOTROPY OF OPTICAL ABSORPTION INTENSITY IN Tm3+ DOPED YVO4 CRYSTALS

Seven absorption group-bands (¹D₂, ¹G₄, ³F₂, ³F₃, ³H₄, ³H₅, ³F₄) of Tm³⁺ in YVO₄ single crystals have been observed in the orientation absorption spectra recorded in the spectral range from 200 to 4000 nm at 300K. The integrated absorption cross section for each group-band was accurately evaluated. On the assumption that the anisotropy of this uni-axial crystal is small, the Judd-Ofelt theory was extended for the calculation of 4f-4f transition intensities of Tm³⁺ in YVO₄. Two sets of phenomenological intensity parameters were derived from a least-squares-fit procedure. For c-axis cut sample we have Ω₂=10.18 (10^-20cm²), Ω₄=1.96 (10^-20cm²), Ω₆=0.75 (10^-20cm²).For a-axis cut sample we have Ω₂=8.20 (10^-20cm²), Ω₄=2.47 (10^-20cm²), Ω₆=0.91 (10^-20cm²). The anisotropy of the optical absorption intensities of Tm³⁺:YVO₄ was theoretically analyzed in detail.     

多弧离子镀工艺对TiN/Ti与Cr/Cu界面及微结构的影响

用多弧离子镀技术在铜基上电镀Cr/Ni层进行不同工艺条件下多弧离子沉积TiN/Ti实验.借助X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究了TiN/Ti与Cr/Cu接触界面形成、微结构及其组分与形貌.XRD分析显示,薄膜表面组分包含TiN,Ti₂N多晶相外,还包含一些Cr-Ti的金属间化合物等.显然,TiN,Ti₂N在表面上已形成.SEM观察指出,在90℃制备的表面膜具有不平整的类枝状结晶结构.随着温度升高至170℃,得到精细TiN/Ti覆盖层表面,XRD峰 关键词： 多弧离子镀 氮化钛 界面形成 微结构     

MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性

评述利用MOCVD技术在α-Al2O3衬底上生长GaN薄膜及InGaN／A1GaN双异质结(DH)结构的工艺与特性;从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层MOCVD生长条件(温度、气流束源等)对表面形貌、结晶形态、掺杂及其光电性能的影响。分析表明,GaN薄膜生长速率主要依赖于反应炉温度,气流束源摩尔流量速率。若生长温度太高,引起PL发光谱峰向长波侧移动;GaN缓冲层生长温度必须控制在550℃。高的V／Ⅲ双气束流比率能够抑制GaN发光谱中550nm辐射峰产生。为了获得高质量p-A1GaN、GaN层,控制生长温度和以Cp2Mg为杂质源的Mg受主掺杂量,并在N2气氛中800℃快速退火,有助于提高InGaN／AlGaN双异质结辐射复合效率。     

用CH3CSNH2钝化GaP表在特性的研究

借助扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、Ｘ光电子能谱仪（ＸＰＳ）研究在不同处理条件下,ＧａＰ晶片表面硫化物钝化对其结构、形态以及表面形貌的影响。实验结果表明：经过ＣＨ３ＣＳＮＨ２溶液一定时间钝化处理后,ＧａＰ表面氧化物基本消失,形成薄的硫化物钝化层和较强的Ｇａ－Ｓ、Ｐ－Ｓ键,并引起Ｘ光电子能谱的Ｇａ、Ｐ芯能级化学位移,Ｇａ的硫化物有较好的稳定性。     

Au/GaP接触体系界面特性的XPS分析

利用X射线光电子能谱研究了Au／GaP接触体系界面结构，组分随着热处理温度的变化.实验结果表明，即使在室温下金属和半导体原子间的扩散与迁移也会发生.Au/GaP接触退火时导致界面上GaP的分解并伴随着原子间快速扩散.当热处理温度升高，Au-Ga原子界面反应增强，从而生成复相结构Au-Ga金属间化合物.如Ga₂ Au，GaAu等.Au/GaP接触的界面是一个含有金、半导体原子的合金再生长层.从金属学的观点对界面的特性进行了讨论. 关键词：