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合成了一个多功能的配体1H-3-(3-吡啶)-5-(3'-吡啶)-1,2,4-三唑(3,3'-Hbpt,1)并得到了配体的晶体结构,运用DFT理论计算了配体的最优构型、优势构象和电荷分布。在此基础上,水热合成了一个配位化合物:[Co(3,3'-Hbpt)2(H2O)4]·(ad)·6H2O(2)(ad=己二酸),结构分析表明配合物2是零维单核化合物,它的三维超分子结构是由分子间氢键连接而成,其中包含着由游离的己二酸分子填充的矩形孔道。值得注意的是,配体在配合物中的几何结构和构象与理论计算的结果一致。另外,利用热重分析研究了配合物2的热稳定性。 相似文献
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合成了一个多功能的配体1H-3-(3-吡啶)-5-(3'-吡啶)-1,2,4-三唑(3,3'-Hbpt, 1)并得到了配体的晶体结构。运用DFT理论计算了配体的最优构型、优势构象和电荷分布。在此基础上,水热合成了一个配位化合物:[Co(3,3'-Hbpt)2(H2O)4]·(ad)·6H2O(2)(ad=己二酸), 结构分析表明配合物2是零维单核化合物,它的三维超分子结构是由分子间氢键连接而成,其中包含着由游离的己二酸分子填充的矩形孔道。值得注意的是,配体在配合物中的几何结构和构象与理论计算的结果一致。另外,利用热重分析研究了配合物2的热稳定性。 相似文献
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采用高稳定、高灵敏的纳米金/多孔二氧化硅复合材料作为SERS基底,构建了一种二维薄层色谱-表面增强拉曼散射(TLC-SERS)联用方法,该技术结合了薄层色谱(TLC)的快速分离功能和SERS定性定量分析的优点,提高了分离能力。采用对巯基苯胺作为探针分子研究了基底的均匀性和批-批重复性。Mapping扫描实验表明,24个测量点峰强度的相对标准偏差(RSD)为5.9%,说明该基底具有良好的点-点重复性。9个批次基底信号值的RSD为7.5%。将该基底用于糖精钠的检测,线性范围为0.1~200 mg/L,检出限为0.06 mg/L。用于实际样品测定,检测出饮料中糖精钠为141 mg/L,水果中为18 mg/L,10 min内能完成分析测试。该方法灵敏度高,特异性强,前处理方式简单,实现了饮料及水果中糖精钠的快速检测。 相似文献
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N-硫代酰基硫乙酸功能化三乙撑四胺交联PVC树脂的制备及对Hg~(2+)的吸附 总被引:2,自引:2,他引:0
以聚氯乙烯为原料依次与四乙烯五胺、CS_2和ClCH_2COONa反应合成了一种新的含N、O、S的N-硫代酰基硫乙酸功能化三乙撑四胺交联聚氯乙烯螯合树脂,树脂结构经红外分析和元素分析表征. 探讨了在不同pH值、Hg~(2+)初始浓度、吸附温度和时间等条件下合成树脂对Hg~(2+)的吸附性能. 结果表明,螯合树脂对Hg~(2+)有较快的吸附速率,pH值约为2.0时,树脂对Hg~(2+)的吸附效果最好,随温度升高吸附量逐渐增大. 温度在35 ℃、Hg~(2+)起始浓度为17.66 mmol/L时,树脂对Hg~(2+)的吸附量可达3.330 mmol/g. 树脂对Hg~(2+)的吸附符合Langmuir和Freundlich等温式. 用0.2 mol/L HNO3-10%硫脲对吸附后的树脂进行洗脱,脱附率达99.20%. 相似文献
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利用密度泛函理论和非平衡态格林函数相结合的方法,系统地研究了边修饰Net-Y纳米带的电子结构和器件特性的应变调控效应..计算表明:本征纳米带为金属,但边缘的氢或氧原子端接能使其转变为半导体.应变能有效地调控纳米带带隙的大小,适当的应变使能带结构从间接带隙转变为较小的直接带隙,这有利于光的吸收.应变也能改变纳米带的功函数,压缩应变能明显减小功函数,这有利于纳米带实现场发射功能.特别是应变能有效地调控纳米带相关器件的I-V特性,能使其开关比(Ion/Ioff)达到106,据此,可设计一个机械开关,通过拉伸及压缩纳米带使其可逆地工作在“开”和“关”态之间.这种高开关比器件也许对于制备柔性可穿戴电子设备具有重要意义. 相似文献
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聚合物假冠醚研究(Ⅴ)多胺型类氮杂冠醚聚合物的合成与性能及在化学实验室的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
以聚乙二醇(PEG400,PEG200)为起始剂,以多乙烯多胺为交联剂,合成了4种新型多胺交联型类氮杂冠醚聚合物,研究了聚合物的溶胀性能和对金属离子的静态吸附性能.结果表明,聚合物在极性溶剂中具有良好的溶胀性能,在水中的溶胀系数达12.67,吸水容量达12.14g/g(20℃);在25℃下,对Cu2+,Ni2+,Hg2+,Pb2+的吸附量分别达1.793mmol/g,1.675mmol/g,1.849mmol/g和1.048mmol/g.测试了反应物摩尔比、溶剂温度及其pH值对溶胀性能的影响,试研究了聚合物在化学实验室的应用. 相似文献
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Influence of annealing conditions on impurity species in arsenic-doped HgCdTe grown by molecular beam epitaxy 下载免费PDF全文
Based on our previous work,the influence of annealing conditions on impurity species in in-situ arsenic (As)-doped Hg 1 x Cd x Te (x ≈ 0.3) grown by molecular beam epitaxy has been systematically investigated by modulated photoluminescence spectra.The results show that (i) the doped-As acting as undesirable shallow/deep levels in as-grown can be optimized under proper annealing conditions and the physical mechanism of the disadvantage of high activation temperature,commonly assumed to be more favourable for As activation,has been discussed as compared with the reports in the As-implanted HgCdTe epilayers (x ≈ 0.39),(ii) the density of V Hg has an evident effect on the determination of bandgap (or composition) of epilayers and the excessive introduction of V Hg will lead to a short-wavelength shift of epilayers,and (iii) the V Hg prefers forming the V Hg-As Hg complex when the inactivated-As (As Hg or related) coexists in a certain density,which makes it difficult to annihilate V Hg in As-doped epilayers.As a result,the bandedge electronic structures of epilayers under different conditions have been drawn as a brief guideline for preparing extrinsic p-type epilayers or related devices. 相似文献