全文获取类型
收费全文 | 255篇 |
免费 | 67篇 |
国内免费 | 89篇 |
专业分类
化学 | 186篇 |
晶体学 | 3篇 |
力学 | 10篇 |
综合类 | 12篇 |
数学 | 53篇 |
物理学 | 147篇 |
出版年
2023年 | 5篇 |
2022年 | 4篇 |
2021年 | 6篇 |
2020年 | 5篇 |
2019年 | 9篇 |
2018年 | 6篇 |
2017年 | 10篇 |
2016年 | 12篇 |
2015年 | 15篇 |
2014年 | 22篇 |
2013年 | 16篇 |
2012年 | 12篇 |
2011年 | 19篇 |
2010年 | 12篇 |
2009年 | 23篇 |
2008年 | 23篇 |
2007年 | 20篇 |
2006年 | 21篇 |
2005年 | 18篇 |
2004年 | 22篇 |
2003年 | 14篇 |
2002年 | 13篇 |
2001年 | 9篇 |
2000年 | 7篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 6篇 |
1997年 | 8篇 |
1996年 | 6篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 8篇 |
1993年 | 6篇 |
1992年 | 5篇 |
1991年 | 3篇 |
1990年 | 7篇 |
1989年 | 3篇 |
1988年 | 5篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 4篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 6篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 1篇 |
1978年 | 1篇 |
1977年 | 2篇 |
1975年 | 1篇 |
1973年 | 1篇 |
1964年 | 1篇 |
1954年 | 1篇 |
排序方式: 共有411条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
通过2-(4'-三氟乙酰苯基)-4-苯基喹啉(tfapqH)与三氯化铱反应生成了二氯桥中间体,然后用吡啶-2-甲酸(picH)解离得到双环金属铱配合物Ir(tfapq)2pic。Ir(tfapq)2pic在二氯甲烷中的发光波长为584 nm,量子产率约为0.846,磷光寿命为1.211 μs,比没有三氟乙酰修饰的铱配合物波长蓝移的10 nm,量子效率提高了约5%,磷光寿命降低了0.286 μs,辐射跃迁加快,半波宽度降低了约26%,色纯度提高。其HOMO能级为-5.405 eV,LUMO能级为-3.277 eV,能级相对于未修饰的配合物都有所降低,且HOMO降低更明显,总的效果是能级差增加。Ir(tfapq)2pic 10%的热失重温度为301 ℃,比未修饰铱配合高近50 ℃。当Ir(tfapq)2pic以2%质量浓度掺杂于PVK-PBD中做成电致发光器件时的效率最高,电致发光波长为594 nm。器件的启明电压为7.3 V,最大亮度为8 571 cd·m-2,最大外量子效率为12.65%,对应的流明效率为22.14 cd·A-1。色坐标是(0.58,0.40)。 相似文献
2.
3.
A new family of univariate exponential slash distribution is introduced, which is based on elliptical distributions and defined by means of a stochastic representation as the scale mixture of an elliptically distributed random variable with respect to the power of an exponential random variable. The same idea is extended to the multivariate case. General properties of the resulting families, including their moments and kurtosis coefficient, are studied. And inferences based on methods of moment and maximum likelihood are discussed. A real data is presented to show this family is flexible and fits much better than other related families. 相似文献
4.
MOVPE生长GaN的表面反应机理 总被引:1,自引:1,他引:0
利用量子化学的 DFT 理论,对 MOVPE 生长 GaN 薄膜的表面初始反应机理进行研究。通过计算GaCH3和NH3在GaN(0001)-Ga面的4种吸附位的能量曲线发现,GaCH3在各吸附位的吸附能差值不大,因此容易在表面迁移;而NH3在各吸附位的吸附能差值较大,最稳定吸附位为Top位,迁移到其他位置需要克服较大能垒。在此基础上,提出了以NH3和 GaCH3为表面生长基元,在GaN(0001)-Ga面连续生长,最终形成环状核心的二维生长机理:在环状核心形成过程中,第1个GaN核生长需要3个NH3和1个GaCH3,可表示为Ga( NH2)3。第2个GaN核生长可利用已有的1个N作为配位原子,故只需2个NH3和1个GaCH3。2个GaN核可表示为( NH2)2 Ga-NH-Ga( NH2)2。第3个GaN核生长可利用已有的2个N作为配位原子,故只需要1个NH3和1个GaCH3。3个GaN核构成环状核心,可表示为Ga3( NH)3( NH2)3。后续的生长将重复第2个核和第3个核的生长过程,从而实现GaN薄膜的连续台阶生长。 相似文献
5.
本系统能显示各种飞机、机场和景物,构成如同空中的飞行环境。同时将实际航空惯导的状态选择器和控制显示器与计算机联接,通过操纵其开关和按键,把地面上惯性导航系统难以获得的各种信息,形象逼真地显示在控显窗口和大屏幕上。对于认识惯性导航功能、原理和对准;掌握导航参数定义、计算、操作和显示;熟悉空中改航、校正、记忆及人工/自动操作;训练空地勤人员使用惯性导航;研究各种误差源对导航参数的影响等都有一定实用性。 相似文献
6.
7.
8.
9.
10.
将1mg多壁碳纳米管(MWCNT's)分散在5mL的0.5g·L~(-1)壳聚糖溶液中后,滴涂在铂电极表面,制得多壁碳纳米管修饰电极。将上述修饰电极在辣根过氧化物酶(HRP)溶液中浸泡8h,在MWCNT's修饰电极表面静电吸附辣根过氧化物酶,制成过氧化氢生物传感器,用于过氧化氢的测定。试验结果表明:在pH 6.0的磷酸盐缓冲溶液中,HRP/MWCNT's修饰电极对过氧化氢具有明显的电催化还原作用,过氧化氢的浓度在3.5×10~(-5)~9.0×10~(-3)mol·L~(-1)范围内与其还原峰电流呈线性关系,检出限(3S/N)为2.4×10~(-5)mol·L~(-1)。用标准加入法作回收试验,回收率在96.0%~101.8%之间。 相似文献