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1.
半导体PN结具有电容的性质.在正向直流偏压下,理论计算表明,PN结扩散电容的对数与正向偏压成正比.实验发现,当正向偏压小于30mV时,这种线性关系是成立的;当正向偏压大于30mV时,会偏离这种线性关系.由于PN结还具有电阻特性,对交流信号的相位有影响.随着正向偏压增大,交流信号的相位变化出现一极值.如果将PN结等效为一个电容和一个电阻并联,就可以定性解释这种变化关系. 相似文献
2.
针对雪崩光电二极管(Si-APD)所加偏压需要随环境温度作调整,且偏压电路所需的低纹波低噪声等因素,构建了以Royer振荡器和微控制器为核心的偏压电路。该Si-APD偏压电路以BL8032型同步降压控制器作为Royer振荡器的输入电源,以MS5221M型DAC作为该输入电源的调整单元,以AD8606型集成运放和AD7980型ADC作为Royer振荡器输出电压采样单元,以STM32F103TBU6型微控制器作为计算与时序控制单元。本偏压电路不仅具有温度自适应性,而且具有低纹波、低噪声、低功耗和电气安全隔离的特点,能在9~36 VDC宽输入电压范围和-40~70℃环境下良好工作。 相似文献
3.
Germanium PMOSFETs with Low-Temperature Si2H6 Passivation Featuring High Hole Mobility and Superior Negative Bias Temperature Instability
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We investigate negative bias temperature instability (NBTI) on high performance Ge p-channel metal-oxide- semiconductor field-effect transistors (pMOSFETs) with low-temperature Si2H6 passivation. The Ge pMOSFETs exhibit an effective hole mobility of 311 cm2/V.s at an inversion charge density of 2.5 × 1012 cm^-2. NBTI characterization is performed to investigate the linear transconductance (GM,lin) degradation and threshold voltage shift (△VTH) under NBT stress. Ge pMOSFETs with a lOyr lifetime at an operating voltage of -0.72 V are demonstrated. The impact of the Si2H6 passivation temperature is studied. As the passivation temperature increases from 350℃ to 550℃, the degradation of NBTI characteristics, e.g., GM,lin loss, △VTH and an operating voltage for a lifetime of lOyr, is observed. 相似文献
4.
偏压及测试环境对离子束DLC膜摩擦学行为的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用线性阳极层离子束技术制备了类金刚石薄膜(DLC膜),研究了不同衬底负偏压和测试环境对DLC薄膜摩擦学性能的影响.结果表明:在-50V偏压下,薄膜硬度和弹性模量最大,这主要与薄膜中高的sp3含量相关;衬底负偏压对薄膜在室温大气条件下的摩擦学性能影响不显著,薄膜总体呈现较低的摩擦系数和磨损率,显示出优异的抗磨损性能;线性离子束制备的含氢DLC薄膜的摩擦学行为受湿度及环境气氛影响较大,归因于环境中的氧气和水分造成的摩擦化学反应. 相似文献
5.
在HL-1装置电子密度测量中,进一步改进了密度相移信号的处理方法。在氘放电、氦补充送气条件下得到了HL-1最高电子密度10.8×1013cm-3。总结了密度在各种实验条件下的行为,并对各种实验条件对密度的影响进行了分析。 相似文献
6.
用脉冲偏压电弧离子镀通过控制不同的氮流量在(100)单晶Si基片上制备了不同成分的CNx薄膜.用光学显微镜,XPS,XRD,激光Raman和Nanoindenter等方法研究了薄膜的形貌、成分、结构和性能.结果表明,薄膜表面平整致密、氮含量随着氮流量的降低而降低、结构为非晶且为类金刚石薄膜;随着氮含量从18.9%降低到5.3%(摩尔百分比,全文同),薄膜的硬度和弹性模量单调增加而且增幅较大,其中硬度从15.0 GPa成倍增加到30.0 GPa;通过氮流量的调整能够敏感地改变薄膜中的sp3键的含量,是CNx薄膜的硬度和弹性模量获得大幅度凋整的本质原因. 相似文献
7.
8.
9.
10.
负偏压对磁控溅射Ti膜沉积速率和表面形貌的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
采用直流磁控溅射加负偏压的方法制备了Ti膜,研究了不同偏压条件对Ti膜沉积速率、密度、生长方式及表面形貌的影响。随着偏压逐渐增大,Ti膜沉积速率分三个阶段变化:0~ -40 V之间沉积速率基本不变; -40~ -80 V之间沉积速率迅速降低;超过-80 V后沉积速率随偏压的下降速度又放缓。Ti膜密度随偏压增加而增大,负偏压为-119.1 V时开始饱和并趋于块体Ti材密度。加负偏压能够抑制Ti膜的柱状生长方式;偏压可以改善Ti膜的表面形貌,对于40 W和100 W的溅射功率,负偏压分别在-100 V和-80 V左右时制备出表面光洁性能较佳的Ti膜。 相似文献