磷扩散法制备高掺磷p型ZnO薄膜的磁控溅射工艺的探索

在前期通过n+-Si衬底中的磷向沉积于其上面的ZnO薄膜的扩散制备高掺磷p型ZnO薄膜的研究基础上,探索了较有普遍应用意义的扩散法制备p型ZnO薄膜的磁控溅射工艺.结果表明,当磁控溅射的氧氩质量流量比与衬底温度满足特定的低阶指数函数的匹配关系时,所制备的ZnO薄膜为p型,而且薄膜中磷原子的深度分布是均匀的;另外,这种薄膜的厚度随着氧氩流量比的增加而减小,而薄膜中氧锌原子浓度比都大于1,比值大小与氧氩质量流量比和衬底温度有关.     

分层沉积GaAs/SiO2纳米薄膜的结构和吸收光谱

应用射频磁控溅射方法分别在抛光硅片和石英玻璃片上分层沉积了GaAs/SiO2纳米薄膜.通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)及吸收光谱的测试,发现衬底温度、退火、氢掺杂等制备工艺对分层沉积的GaAs/SiO2纳米薄膜的微观结构和光学性质有明显的影响.本文对相关机理作了探讨.     

氢对GaAs薄膜的钝化作用

报导了射频磁控溅射与沉积气氛掺氢相结合制备单层(13~20 nm厚)高质量GaAs多晶态纳米薄膜的方法,研究了氢钝化对薄膜微观结构及光学性质的影响.对GaAs薄膜进行了X射线衍射、原子力显微镜、吸收光谱、光致荧光谱的研究分析.结果表明,衬底温度500℃的掺氢薄膜和520℃的薄膜呈面心立方闪锌矿结构，薄膜的晶团尺寸较大，微观表面较为粗糙，其吸收光谱出现了吸收边蓝移和明显的激子峰，带隙光致荧光峰强明显增加，说明氢在衬底温度500℃~520℃下对薄膜有重要的钝化作用.     

GaAs/SiO2纳米晶镶嵌薄膜的拉曼光谱与吸收光谱研究

采用射频磁控共溅射与高真空退火相结合的方法,分别在单晶硅片和光学石英玻璃片上制备了ＧａＡｓ／ＳｉＯ２纳米晶镶嵌薄膜样品。激光拉曼光谱的测量结果表明,退火态样品（４００℃,６０ｍｉｎ）的拉曼光谱特征峰呈现宽化和红移,红移量为９．５ｃｍ＾－１,对应薄膜中ＧａＡｓ纳米晶粒平均粒径约为３ｎｍ。样品的室浊吸收光谱测量结果表明,由于受量子限域效应的主导作用,与ＧａＡｓ块状单晶相比,样品光学吸收边呈现出明显的蓝     

制备工艺对P型ZnO薄膜微观结构和电学特性的影响

本文报道溅射工艺、退火工艺和冷却方式对磷扩散法制备的P型ZnO薄膜的微观结构和电学特性的影响的实验研究.研究结果表明,ZnO薄膜的表面形貌、结晶度、内应力以及电学特性均与制备工艺条件有密切的关系.文章对这些关系的机理做了探讨和分析.     

CaⅠ 3d6p和3d4f态的新VUV光谱测量和研究

应用可调谐相干ＶＵＶ辐射源和热电离二级管得到了ＣａⅠ的双激发态３ｄ６ｐ和３ｄ４ｆ的高分辨光谱,测出了相应谱线的波长,并测得变窄了的３ｄ６ｐ＾１Ｐ１的谱线宽度为１．５Ａ,明显地观察到３ｄ６ｐ和３ｄ４ｆ三重态中Ｐ态与Ｄ态线型对称性反转的现象,并对上述线宽变窄和线型时称性反转现象的机理作了探讨。     

射频磁控共溅射GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜的光学性质

应用射频磁控共溅射方法和真空退火方法制备了GaAsSiO2纳米颗粒镶嵌薄膜.X射线衍射实验结果表明,经高温退火的薄膜中形成了面心立方闪锌矿结构的GaAs纳米晶粒,晶粒平均直径为1.5—3.2nm.吸收光谱展示了由于强量子限域引起的1.5—2eV的吸收边蓝移.室温光致荧光(PL)光谱显示了电子重空穴激子与电子劈裂空穴激子的近紫外和紫外双PL谱峰以及深俘获态的PL谱峰.对实验吸收边蓝移量与有效质量模型的蓝移量的悬殊差别、俘获态PL谱的形成以及PL谱线的特征作了解释.应用激光Z扫描技术测量了退火温度为500℃的复合膜在非共振条件下的光学非线性,结果表明,复合膜的非线性折射率系数和非线性吸收系数都比块材GaAs相应的系数增大了5个数量级.光学非线性系数增大主要起因于强量子限域效应 关键词： 射频磁控共溅射 GaAsSiO2纳米颗粒镶嵌薄膜 光谱 激光Z扫描     

p-ZnO薄膜及其异质结的光电性质

采用射频磁控溅射法,在不同的Ar∶O2条件下,以高掺磷n型Si衬底为磷掺杂源制备了p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si异质结.对ZnO∶P薄膜进行了光致发光谱(PL)、霍尔参数、Ⅰ-Ⅴ特性、扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)等测试.结果表明,获得的ZnO∶P薄膜沿(0002)晶面高取向生长,以3.33 eV近带边紫外发光为主,伴有2.69 eV附近的深能级绿色发光峰,空穴浓度为8.982 × 1017/cm3,空穴迁移率为9.595 cm2/V·s,p-ZnO/n-Si异质结I-V整流特性明显,表明ZnO∶P薄膜具有p型导电特性.     

InP/SiO2纳米复合膜的微观结构和光学性质

应用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光硅片上制备了InP/SiO₂复合薄膜,并在几种条件下对这些薄膜进行退火.X射线光电子能谱和卢瑟福背散射实验结果表明,复合薄膜中InP和SiO₂的化学组分都大体上符合化学计量配比.X射线衍射和激光喇曼谱实验结果都证实了复合薄膜中形成了InP纳米晶粒.磷气氛保护下的高温(520℃)退火可以消除复合薄膜中残存的In和In₂O₃并得到了纯InP/SiO₂纳米复合薄膜.实验观察到了室温下纳米复合薄膜的明显的光学吸收边蓝移现象和光学非线性的极大增强 关键词： InP 纳米晶粒 微观结构 光学性质     

铷原子光泵实验

一、引言 光泵(也叫光抽运)就是用光辐射的方法使能级原子数的分布在很大程度上偏离玻尔兹曼热分布的方法.这个方法,是1949年由法国的Kastler提出来,并且不久由Kastler,Brossel和Winter等人在实验上观察到.Kastler由于在光泵和光双共振方法上的创造性的贡献而于1966年得到诺贝尔奖金.几十年来,光泵的研究和应用得到不断的发展.就研究范围来说,从开始的对原子的基态的精细和超精细结构的研究发展到后来的对原子的高激发态的精细和超精细结构的研究,从对原子的研究发展到对分子、对原子核以及原子之间、原子和其他粒子之间的相互作用的研究,…