CsNiCl3晶体的光谱精细结构、零场分裂参量及Jahn-Teller效应

应用不可约张量理论构造了三角对称晶场中3d²/3d⁸态离子的45阶可完全对角化的微扰哈密顿矩阵，研究了CsNiCl₃晶体的光谱精细结构、晶体结构、零场分裂参量、Jahn-Telller效应以及自旋单重态对Ni²⁺离子基态能级的影响，理论与实验相符合.在此基础上，进一步研究了以前工作中被忽略的自旋-自旋耦合作用和Trees修正对CsNiCl₃晶体的光谱精细结构和零场分裂参量的影响，发现有四种机理会影响零场分裂参量：1)自旋-轨道耦合机理，2)自旋-自旋耦合机理；3)自旋-轨道与自旋-自旋联合耦合机理；4)自旋-轨道与Trees修正联合耦合机理，其中自旋-轨道耦合机理是最主要的，其他三种机理也是不可忽略的. 关键词： 基态能级 精细结构 零场分裂 自旋-自旋耦合     

类铍离子低激发态等电子系列的能量、精细结构和超精细结构

采用多组态相互作用方法及Rayleigh-Ritz 变分方法，并考虑相对论修正和质量极化效应，获得了类铍离子等电子系列（Z=4-10）低激发态1s²2p2p ¹D^e和1s²2p3p ³P^e的相对论能量。同时还计算了精细结构和超精细结构。计算结果与其他理论和实验符合的很好。     

稀土粉末Eu∶Y_2O_3的自由感应衰减量子拍

稀土固体是重要的激光和光电子材料。目前 ,由于以宽带信号和太赫兹比特数据传输率为特征的信息技术的发展 ,稀土固体材料的相干瞬态动力学过程成为宽带与高速信息光子学的基本物理问题之一。研究了室温下稀土粉末样品Eu3+ ∶Y2 O3自由感应衰减的相干瞬态光谱 ,这有助于理解有效的光吸收动力学、激发态弛豫、相干能量传递和超短光脉冲在稀土固体中的传播。用一对紫外飞秒相干光脉冲作用于稀土粉末样品Eu3+ ∶Y2 O3,然后监测物质激发态的布居数随两个激发脉冲之间的延时的变化 ,测量到其自由感应衰减量子拍 (FID) ,从拍频周期分析确定了其能级精细结构 ,能级的退相时间长达皮秒量级。理论分析和实验结果符合得很好。对稀土离子的量子干涉的研究 ,表明其在受激受控光放大方面具有潜在的应用前景     

对光磁共振实验中测量gF值的方法的评述和改进

对文献中测量gF因子的方法进行了评述，阐述了如何基于三角波扫场，用抽运信号确定计算和测量gF的方法。     

Multiple—Scattering of Near—Edge x—ray Absorption Fine Structure of Sulphur—Passivated InP（100） Surface

We use the multiple-scattering cluster method to calculated the sulphur 1s near-edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS) of S-passivated InP(100) surface.The physical origins of the resonances in the NEXAFS have been unveiled.It is shown that the most important resonance is attributed to the photoelectron scattering between the central sulphur and the nearest indium atoms.The studies show that two S-S dimers with the bond lengths of 2.05A and 3.05A coexist in the surface,meanwhile the bridge and antibridge site adsorption of single S could not be ruled out.We support the scanning tunnelling microscopy result that the S-passivated InP(100) surface exhibits significant discorder.     

Rh ⅩⅢ,Pd ⅪⅤ和AgⅩⅤ离子4s~24p~3—4s~24p~25s跃迁的扩展分析

用相对论HartreeFock方法对YⅦ—AgⅩⅤ离子4s24p3和4s24p25s组态的能级结构进行了系统的理论计算.通过分析能级结构的Slater径向积分参数沿等电子序列的变化规律,运用参数拟合外推(或内插)的方法计算了上述离子组态的能级结构参数.在此基础上,计算了Rh,Pd和AgⅩⅤ离子4s24p3(4S32,2P12,32,2D12,32)和4s24p25s(4P12,32,52,2P12,32,2D32,52,2S12)组态的精细结构能级以及这两个组态之间电偶极允许跃迁的全部35条谱线波长与相应的振子强度,其中Pd和AgⅩⅤ离子的所有数据纯属目前的预测计算值.     

美国伦斯勒理工学院招生信息

带电粒子在一个均匀磁场中的回旋频率为qB/m ,其中q和m是粒子的电荷与质量 ,B是磁感应强度 .这一关系式是使用离子回旋共振质谱仪进行分子质量对比的基础 ,其应用范围涵盖了鉴别生物分子、研究化学反应速率直到确定原子光谱的精细结构常数 .美国麻省理工学院 (MIT)的物理学家Da     

玻璃中CdSeS纳米晶体的室温光致发光谱

对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500～800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe_1-xS_x纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300～800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃中不能形成纳米晶体。生长温度在600～650℃,纳米晶体的PL光谱主要为两个宽的发光带,即带边激子发光带和通过表面态复合的发光带。随着生长温度的升高,带边复合发光的蓝移减小,通过表面态的发光逐渐消失,并出现了叠加于宽发光带上的一系列明显的弱发射峰。不同温度生长的样品中,叠加峰的能量相同。同一样品中叠加峰的能量不随激发光波长的变化而变化。     

Ni-B和Ni-Ce-B超细非晶态合金的退火晶化及其催化性能

 采用XAFS,XRD和DTA方法研究了Ni－B和Ni－Ce－B超细非晶态合金在退火过程中的结构变化及其结构与催化性能的关系．活性结果表明,在退火温度为623K时,Ni－B和Ni－Ce－B样品的苯加氢催化反应转化率最高,分别为63％和81％,0．3％Ce的掺入提高了Ni－Ce－B的催化活性．DTA结果表明,Ni－B超细非晶态合金在598和653K有两个晶化峰,而Ni－Ce－B样品有548,603,696和801K四个晶化峰．XAFS和XRD结果进一步说明,在573K退火时,Ni－B样品晶化生成晶态Ni3B和纳米晶Ni,此时Ni－Ce－B仅有少量晶态Ni3B生成．在673K退火时,Ni－B样品中的Ni3B开始分解生成晶态Ni,同时纳米晶Ni聚集并形成大颗粒晶态Ni,而Ni－Ce－B样品晶化生成晶态Ni3B和纳米晶Ni．在773K和更高的温度退火处理后,Ni－B样品中Ni的局域环境结构与金属Ni箔基本一致,但Ni－Ce－B样品晶化生成的Ni晶格有较大畸变,同时Ni3B并未分解．说明0．3％的Ce对提高Ni－Ce－B样品的稳定性有显著作用．本文首次报道了Ni－B和Ni－Ce－B超细非晶态合金中苯加氢催化活性中心为纳米晶Ni和类似于金属Ni的Ni－B非晶态合金．