高Tc超导体细圆柱样品线性交流响应

本讨论了高Ｔｃ超导体细圆柱情形线性交流响应，给出了交流磁化率χ的表达式，并且得到了磁化率虚部χ″峰值时所满足的方程。     

Ag-Bi高温超导线材转变温度的测量

介绍了 Bi系银包套高温超导线材的电阻温度特性 ,用测电阻和电磁感应两种方法分别测量了材料的超导转变温度 ,电磁感应法测量曲线上台阶的出现表明材料中 Bi(2 2 2 3)和 Bi(2 2 12 )两相的存在。     

二维Ising反铁磁-反铁磁超晶格的磁性

本文用有效场理论讨论二维反铁磁一反铁磁超晶格(AFAFs)在无外场时的临界温度与超晶格结构的依赖关系,并讨论了超晶格中每一层的磁化强度、磁化率与温度和超晶格结构的依赖关系,得到了由于超晶格结构导致的磁化率的异常峰的存在.并从超晶格的对称性出发讨论了反铁磁-反铁磁超晶格和铁磁-铁磁超晶格之间的异同.     

双齿配体—1,2—C_6H_4SX(X=O,S)的钴化合物~1H NMR研究

以~1H NMR谱学和磁化率对一些含邻苯二硫酚或巯基苯酚配体的钴化合物的磁性作了研究,并讨论了它们的电子结构。     

用HNMR法测量过渡元素离子的磁矩

磁化率和磁矩的数据对于配合物化学键型的研究和空间构型的分析有重要作用. 磁化率的测量方法有多种,其中以古埃法和据其原理而改进的永磁天平法较为常见.此法的缺点是实验步骤繁琐、样品用量大、精度欠佳.近来有人相继提出用激光摆法和NMR双谱仪法等新方法来进行测量,所得结果数据很好.本文介绍根据D.F.Evens所创立的方法,利用~1HNMR波谱来测量过渡元素离子化合物的磁化率和磁矩.     

CAHN－2000磁天平的调试与数据处理系统的研制

叙述了ＣＡＨＮ－２０００磁天平（美国）调试过程中如何解决液氮温区的测试，自制了磁天平与计算机的接口，编写了数据采集、处理和控制等高原 软件，节省了几万美元，部分指标超过原配套水平，三年来仪器在对国同外开放过程中，液氮温区的工作一直正常，实测了上千个样品，提供的数据已撰写数十篇文章在国内外刊物上发表。由此说明，要充分发挥进口仪器的使用效率，必须对仪器的工作原理、结构特点有透乇的了解，同时要有相当的自     

射频溅射法制备Pb_(1-x)Co_xSe薄膜及物性研究

利用复合靶共溅射法制备了半磁性半导体 Ｐｂ１－ ｘ Ｃｏｘ Ｓｅ 薄膜．研究了薄膜的成分结构以及电阻率温度特性和磁化率温度特性间的关系．结果表明：由于 Ｃｏ 离子介入, Ｐｂ１－ ｘ Ｃｏｘ Ｓｅ 发生了由金属特性向半导体特性的转变,在充分低的温度下,并伴有磁相转变．磁相转变温度与磁性离子浓度相关,磁化率的相对变化幅度与磁性离子浓度有关     

磁场下Tl2Ba2Ca2Cu3Ox单相超导体交流磁化率的研究

测量了 Tl_2Ba_2Ca_2Cu_3O_z 单相超导体在不同外磁场及不同测量频率下的交流磁化率实部和虚部随温度的变化关系,发现实部曲线的起始转变温度 T_(onset)和虚部曲线的峰值温度 T_m,在一定测量频率下都与外磁场的2/3次方成线性关系,在一定外磁场下 T_(onset)与测量频率的对数成线性关系.并且我们认为 T_(onset)和 T_m 都不是一般意义的 T_c,而是受磁通格子熔化影响较大的特殊温度点,所以对 T_(onset)及 T_m 的研究可以反映超导体的磁通格子熔化特性,很值得进一步的研究.     

D-和L-丙氨酸的低温磁相变——磁场变化下的比热和直流磁化率(英文)

为了解D-和L-丙氨酸单晶晶格在极低温下是否存在磁手性相变,在2-20 K下改变磁场强度(0,1,3,5T)测定其比热.实验结果表明比热和温度之间的函数关系很好地符合C(T)=aT3+b/T2方程,其中aT3项为晶格声子的贡献,可由公式CV=(12/5)π4R(T/ΘD)3来描述(ΘD为德拜温度),b/T2项为磁场对比热的贡献.实验发现,在2-20 K范围内D-和L-丙氨酸单晶在不同磁场强度下均存在Boson峰(在Cp/T3-T曲线中表现为一个最大值).磁的贡献导致D-和L-丙氨酸单晶的四条Cp/T3-T曲线在2-12 K时不重合,且在12-20 K时消失,此即Schottky反常.零磁场下,D-和L-丙氨酸的Boson峰分别为9.44和10.86 K;德拜温度分别为151.5和152.7 K.结合磁场强度1 T下的直流磁化率测定,发现在温度低于5 K时,D-和L-丙氨酸单晶有相反的磁化率行为,反映了核自旋和电子自旋弱相互作用的手性表现.     

Ce_3Rh_3Si_2和CeRh_3Si_2的磁性模拟和晶场效应研究

根据晶场理论,通过对D.Kaczorowski等人测量的磁化率倒数与温度关系曲线的模拟,得到了稀土化合物CeRh3Si2和Ce3Rh3Si2的晶场分裂能和相应波函数.对于CeRh3Si2和Ce3Rh3Si2,它们的第一激发能和总的激发能分别为176K,855K和77.5K,428K.计算表明,Kramers离子Ce3+在晶场效应的作用下,基态简并部分消除得到了三个双重态,模拟得到的化合物的磁化率倒数与温度关系曲线与实验曲线吻合较好.