碳纳米管膜的高温纯化研究

为了获得纯度更高的碳纳米管膜, 保证材料发热稳定性, 需要对通过化学气相沉积法得到的碳纳米管膜进行二次纯化. 通过使用高温纯化炉, 在真空状态下, 从1700℃到3200℃分7挡温度对碳纳米管进行纯化, 并对其含碳量和方块电阻进行比较. 结果表明, 高温纯化后的碳纳米管膜含碳量从95.0%提高到99.9%, 解决了含碳量低的问题. 同时, 在高温纯化中发现碳纳米管膜方块电阻从纯化前3Ω降低到0.5Ω, 方块电阻的降低对碳纳米管膜具有十分重要的意义, 同样对碳纳米管膜后续产品的开发也有重要作用.     

狄拉克材料BaMnBi2的单晶制备和物理性质研究

在本工作中,我们成功制备了层状过渡金属磷族化合物BaMnBi2单晶样品,并研究了该化合物的磁学性质和电学输运性质.准二维化合物BaMnBi2具有四方晶体结构,主要包含有两个Bi四方格子层和一个共边的MnBi4四面体层.磁化率显示BaMnBi2在TN ＝288 K以下发生反铁磁相变,并表现出很强的磁各向异性.在反铁磁相变温度TN 以上,磁化率随温度呈线性关系,暗示体系在顺磁态具有很强的反铁磁关联.电阻率随温度变化曲线和在磁场下电阻率随角度的变化曲线都表明BaMnBi2具有准二维的电子结构.磁场导致的金属-绝缘体转变和低温下大的非饱和线性磁阻,与Bi四方格子层存在狄拉克费米子是一致的.     

二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究

针对VO₂薄膜在微测辐射热计上的应用，采用射频反应溅射法，在室温下制备氧化钒薄膜；研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压，先获得成分接近VO₂的非晶化薄膜，再在400℃空气中氧化退火，便可制得高电阻温度系数，低电阻率的VO₂薄膜，电阻温度系数约为-4%/℃，薄膜方块电阻为R_□为100—300kΩ；薄膜在室温下沉积，400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic 关键词： 二氧化钒 电阻温度系数 氧分压 射频反应溅射法     

关于惠斯登电桥测电阻倍率与检流计灵敏度关系的研究

在相同的设备条件下，电桥临近平衡时灵敏度最高的最佳倍率是：组成倍率的两个电阻的数量级与待测电阻数量级相等，且比值为1的倍率。     

关于自组凯尔文电桥的测量不确定度

凯尔文电桥是国内大学基础物理实验所开设的实验内容之一，且多为自组式．关于自组凯尔文电桥的测量精度与桥路参数精度之间的关系，有些实验教材已有推导，但尚未涉及与两低阻相邻电压接头间跨桥电阻的定量关系，不注意这一点，会给测量结果带来一定的误差．本文就实际中常用的等双臂凯尔文电桥从理论上定量地推出了这一关系，进而给出了跨桥电阻可忽略时的适当阻值．     

电阻的测量方法归类分析

分析历年对电阻测量的高考试题可以现，在考查方式上，已经从教材中实验的考查渐过渡到设计型实验的考查；在考查内容上，经从实物连接、仪器选择的考查逐渐过渡到验原理、电路设计的考查，要求同学们能够灵地从一种实验情景迁移到另一种情景，从而分考查同学们的创新能力．下面就电阻的测量方法进行归纳。     

Spin-Polarized Tunnelling Magnetoresistance Effects in La0.833K0.167MnO3／SrTiO3 Polycrystalline Perovskite Manganites

A sample of La0.833K0.167MnO3-SrTiO3 (LKMO/STO) is fabricated by the sol-gel method. The microstructure,magnetic and transportation properties have been studied. X-ray diffraction patterns indicate that the structure of LKMO/STO is a homogeneous solid solution phase. The resistivity of LKMO/STO shows the insulator behaviour, which is different from La0.833K0.167MnO3 (LKMO) whose resistivity shows metal-insulator transition with decreasing temperature. The low-field (moH = 0.02 T) magnetoresistance decreases from 11% to 0.2% with the increasing temperature from 4 K‘to 220K for the LKMO/STO sample. The magnitude of magnetoresistance in a strong field (μoH = 5.5 T) almost increases linearly with decreasing temperature and reaches the maximum of 65% at the low temperature of 4.2K, which is much higher than that oE LKMO (40%). The enhanced low-field magnetoresistance effects are quantitatively explained by the spin-polarized tunnelling at grain boundaries.     

高压下聚苯胺的结构和电性能研究

 以金刚石压腔高压装置为工具，用Ⅱ型金刚石作压砧兼红外窗口，对本征态聚苯胺进行了高压（0~8.4 GPa）就位红外光谱测试。结果表明：在4.8~5.2 GPa压力区间，代表醌环振动的吸收峰相对代表苯环振动的吸收峰变小，表明聚苯胺在此压力区间结构上发生了显著变化，且这种变化是不可逆的。聚苯胺的高压（0~14.5 GPa）电阻测量结果表明：当压力小于7.5 GPa时，电阻随压力升高而显著降低，据此认为聚苯胺为电子性导电物质；在7.5 GPa处电阻出现极小值，然后又缓慢升高，至10 GPa后基本不变。推测聚苯胺电阻极小值是由结构变化引起的。至于红外光谱与电阻测量结果反映聚苯胺结构变化的压力值不一致，可能是由于测试条件不同所致。