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1.
2.
将稀土配合物Eu(asprin)_3phen掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构分别为ITO/PVK:RE配合物/LiF/AI(1),ITO/PVK:RE配合物/PBD/LiF/AI(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别:在器件(1)中,来自Eu~(3 )的位于594nm(~5D_0→~7F_1)和614nm(~5D_0→~7F_2)处的发光强度大致相当,而在器件(2)中,EL主要来自Eu~(3 )位于614nm的发光,594nm处的发光很弱,与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致。并针对此现象进行了初步讨论。 相似文献
3.
用漫反射红外光谱和光声红外光谱研究了金属羰基化合物(CpFe(CO)2)2Cp=η^5-C5H5与酸性,中性和碱性Al2O3及TiO2的相互作用,结果表明,在Al2O3表面生成的洗生物种类及浓度与Al2O3的酸碱度明显相关,在酸性Al2O3表面,主要存在衍生物(CpFe(CO)2Fe-H-Fe(CO2Cp)^+及少量的CpFe(CO)2(-O-);在中性Al2O3表面存在的CpFe(CO)2(-O 相似文献
4.
掺Eu3+硅基材料的发光性质 总被引:9,自引:5,他引:4
通过溶胶-凝胶技术制备了掺Eu^3 的硅基材料并测试了其三维荧光光谱、激光谱和发射光谱,结果显示,最佳激发波波长为350nm,最强荧光波长为620nm;在350nm光激发下的发射光谱显示Eu^3 的特征发射光谱,产生4条谱带,分别是577nm(^5D0-^7F0),588nm(^5D0-^7F1),596nm(^5D0-^7F1)和610nm(^5D0-^7F2)。 相似文献
5.
巨磁电阻材料与信息存储及其对化学的挑战 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了巨磁电阻材料在信息存储中用于硬盘驱动器读出磁头的巨大应用前景,讨论了当今采用化学方法制备和研究这类材料的进展及存在的问题。 相似文献
6.
7.
通过对桥联双核铁(Ⅲ)[Cl3FeOFeCl3]2-的磁耦合常数的计算,探讨了密度泛函理论计算条件对计算结果的影响.基于密度泛函理论下的破损态方法,着重讨论了双核Fe(Ⅲ)2的d5-d5电子通过氧桥的超交换作用.研究发现分子的反铁磁通道主要是Fe(Ⅲ)的dyz和dz2与μ-O的p轨道形成的,具有π*/π*和σ*/σ*特征的超交换通道. 相似文献
8.
9.
在216 nm 紫外光激发下, LaBaB9O16︰Pr3+中的Pr3+离子可以发生双光子发射; 稀土离子在LaBaB9O16中处于非中心对称格位, Pr3+ 离子的4f5d能态高于1S0能级, 可以发生从1S0能级到中间能态及基态的双光子跃迁发射; LaBaB9O16中与稀土离子近邻的硼酸根离子为BO4, 相应的B-O振动频率较低, 3P0与1D2之间的无辐射跃迁几率比较小, 可以出现从3P0能级的发射. 在YBaB9O16中, Pr3+ 的4f5d能态低于1S0能级, 不能发生双光子发射. 相似文献
10.
密度泛函理论在分子磁学中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对桥联双核铁的磁耦合常数的计算,探讨了密度泛函理论计算条件对计算 结果的影响。基于密度泛函理论下的破损态方法,着重讨论了双核 Fe(III)_2的 d~5-d~5电子通过氧桥的超交换作用。研究发现分子的反铁磁通道主要是Fe(III) d_yz和d_z~2与μ-O的p轨道形成的,具有π*/π*和σ*/σ*特征的超交换通道。 相似文献