全文获取类型
收费全文 | 31323篇 |
免费 | 6169篇 |
国内免费 | 8491篇 |
专业分类
化学 | 23337篇 |
晶体学 | 1160篇 |
力学 | 2083篇 |
综合类 | 940篇 |
数学 | 4773篇 |
物理学 | 13690篇 |
出版年
2024年 | 36篇 |
2023年 | 440篇 |
2022年 | 914篇 |
2021年 | 1045篇 |
2020年 | 1220篇 |
2019年 | 1079篇 |
2018年 | 1009篇 |
2017年 | 1198篇 |
2016年 | 1240篇 |
2015年 | 1598篇 |
2014年 | 1728篇 |
2013年 | 2479篇 |
2012年 | 2601篇 |
2011年 | 2751篇 |
2010年 | 2322篇 |
2009年 | 2495篇 |
2008年 | 2931篇 |
2007年 | 2524篇 |
2006年 | 2401篇 |
2005年 | 2118篇 |
2004年 | 1671篇 |
2003年 | 1284篇 |
2002年 | 1175篇 |
2001年 | 1191篇 |
2000年 | 1216篇 |
1999年 | 854篇 |
1998年 | 486篇 |
1997年 | 383篇 |
1996年 | 451篇 |
1995年 | 409篇 |
1994年 | 361篇 |
1993年 | 340篇 |
1992年 | 275篇 |
1991年 | 224篇 |
1990年 | 234篇 |
1989年 | 216篇 |
1988年 | 186篇 |
1987年 | 151篇 |
1986年 | 120篇 |
1985年 | 91篇 |
1984年 | 113篇 |
1983年 | 89篇 |
1982年 | 76篇 |
1981年 | 65篇 |
1980年 | 45篇 |
1979年 | 36篇 |
1978年 | 16篇 |
1976年 | 16篇 |
1975年 | 13篇 |
1971年 | 10篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
低维硅锗材料是制备纳米电子器件的重要候选材料,是研发高效率、低能耗和超高速新一代纳米电子器件的基础材料之一,有着潜在的应用价值。采用密度泛函紧束缚方法分别对厚度相同、宽度在0.272 nm~0.554 nm之间的硅纳米线和宽度在0.283 nm~0.567 nm之间的锗纳米线的原子排布和电荷分布进行了计算研究。硅、锗纳米线宽度的改变使原子排布,纳米线的原子间键长和键角发生明显改变。纳米线表层结构的改变对各层内的电荷分布产生重要影响。纳米线中各原子的电荷转移量与该原子在表层内的位置相关。纳米线的尺寸和表层内原子排列结构对体系的稳定性产生重要影响。 相似文献
2.
Potential Analysis - The purpose of this paper is to provide necessary and sufficient conditions of the boundedness for singular integrals on the local Hardy space and its dual. Particularly the... 相似文献
3.
针对圆柱形膨胀腔消声器三维建模及声学性能分析问题, 提出一种基于切比雪夫变分原理的耦合声场建模方法, 建立三维圆柱形膨胀腔消声器理论模型并搭建试验台架, 传递损失试验结果验证了理论模型的准确性. 将膨胀腔消声器内部声场分解为多个子声场, 基于子声场间压力与质点振速连续性条件, 推导声场耦合变分公式, 构建子声场拉格朗日泛函. 将子声场声压函数展开为切比雪夫-傅里叶级数形式, 通过瑞利-里兹法求解膨胀腔消声器频率、声压响应及传递损失. 计算并对比分析扩张比、扩张腔长度、进出口管偏置对膨胀腔消声器消声性能的影响. 结果表明: 扩张比增大会有效提高消声器在低频段的消声性能, 进出口管的偏置对消声器消声性能影响很小. 相似文献
4.
当煤层上方为坚硬顶板时,在工作面回采期间容易出现大面积悬顶,导致巷旁充填体出现大变形破坏,极大威胁采煤安全.为解决这一问题,以某矿1205工作面沿空留巷为工程背景,分析了爆炸围岩裂隙范围和坚硬顶板破断特征,建立了切顶卸压围岩结构力学模型,研究表明,相邻炮孔爆炸后,炮孔间裂隙互相贯穿,降低了顶板强度,同时当切顶角为15°时,巷道稳定性较好.工程实践结果表明:采用爆破切顶技术后,顶板下沉量减小了62.3%,较好地保证了围岩稳定性. 相似文献
5.
Song Zi-Long Zhu Yun Liu Jing-Rui Guo Shu-Ke Gu Yu-Cheng Han Xinya Dong Hong-Qiang Sun Qi Zhang Wei-Hua Zhang Ming-Zhi 《Molecular diversity》2021,25(1):205-221
Molecular Diversity - Based on the strategy of diversity-oriented synthesis and the structures of natural product pimprinine and streptochlorin, two series of novel pimprinine derivatives... 相似文献
6.
移动加热器法(THM)生长碲锌镉晶体时,界面稳定性对晶体生长的质量有很大影响。本文基于多物理场有限元仿真软件Comsol建立了THM生长碲锌镉晶体的数值模拟模型,讨论了Te边界层与组分过冷区之间的关系,对不同生长阶段的物理场、Te边界层与组分过冷区进行仿真研究,最后讨论了微重力对物理场分布的影响,并对比了微重力与正常重力下的生长界面形貌。模拟结果表明,Te边界层与组分过冷区的分布趋势是一致的,在不同生长阶段,流场中次生涡旋的位置会发生移动,从而导致生长界面的形貌随着生长的进行发生变化,同时微重力条件下形成的生长界面形貌最有利于单晶生长。因此,在晶体生长的中前期,对次生涡旋位置的控制和对组分过冷的削弱,是THM生长高质量晶体的有效方案。 相似文献
7.
Given a graph sequence denote by T3(Gn) the number of monochromatic triangles in a uniformly random coloring of the vertices of Gn with colors. In this paper we prove a central limit theorem (CLT) for T3(Gn) with explicit error rates, using a quantitative version of the martingale CLT. We then relate this error term to the well-known fourth-moment phenomenon, which, interestingly, holds only when the number of colors satisfies . We also show that the convergence of the fourth moment is necessary to obtain a Gaussian limit for any , which, together with the above result, implies that the fourth-moment condition characterizes the limiting normal distribution of T3(Gn), whenever . Finally, to illustrate the promise of our approach, we include an alternative proof of the CLT for the number of monochromatic edges, which provides quantitative rates for the results obtained in [7]. 相似文献
8.
近年来,设计和合成高性能非富勒烯受体(NFAs)材料已经成为太阳能电池研究领域的前沿课题。基于DA'D型稠环结构的NFAs由于具有吸光系数高、能级和带隙可调、结构易于修饰、分子可高效合成、光电学性能优异等优点而受到了越来越广泛的关注。在短短7年的时间里,能量转换效率(PCE)从3%~4%提高到18%。2019年初邹应萍等报道了一个优秀的受体分子Y6,与PM6共混制备单结电池,获得了15.7%的能量转换效率。Y6类受体材料的中心给电子单元为DA'D型稠环结构,缺电子单元(A')通过氮原子与两个给电子单元(D)并联形成稠环结构,这有助于降低前线分子轨道能级并增强吸收,同时与氮相连的两个烷基链和位于噻吩并噻吩β位的两个侧链则有助于提高溶解度及调节结晶性。自Y6问世以来,人们对分子的结构剪裁进行了深入的研究,并报道了数十种新的结构。在这些新的受体中,DA'D部分的结构裁剪对提高器件效率和太阳能电池的性能起着至关重要的作用。本文对A'、D单元和侧链结构修饰的研究进展进行了综述。通过选择几组受体,对最近报道的分子进行分类,并将它们的光学、电化学、电学和光电性质与精确的结构修饰相关联,从而对结构-性能关系进行全面概述。 相似文献
9.