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1.
采用固相合成法, Bi3+作施主掺杂A位, Cu2+作受主掺杂B位, 制备了Ba0.98Bi0.02(Ti0.9Zr0.1)1-xCuxO3(x=0, 0.01, 0.02, 0.03)陶瓷样品。借助XRD、LCR等研究了该陶瓷的结构与介电性能。结果表明:当x=0.03时, 陶瓷样品出现第二相。通过GULP模拟, 缺陷偶极子的稳定性从低到高依次为:[2BiBa·+VBa"]、[2BiBa·+CuTi/Zr"]、[CuTi/Zr"+VO··], 结合实验可知:介电弛豫程度与晶体中缺陷偶极子的存在形式相关, 其中x=0.01时, 晶体中以[2BiBa·+CuTi/Zr"]为主。随Cu2+掺杂量的增加, 介电常数增加, 介电常数与B位键价和呈反比变化、与八面体BO6的体积呈正比变化。  相似文献   
2.
采用固相合成法,Bi3+作施主掺杂A位,Cu2+作受主掺杂B位,制备了Ba0.98Bi0.02(Ti0.9Zr0.1)1-xCuxO3(x=0,0.01,0.02,0.03)陶瓷样品。借助XRD、LCR等研究了该陶瓷的结构与介电性能。结果表明:当x=0.03时,陶瓷样品出现第二相。通过GULP模拟,缺陷偶极子的稳定性从低到高依次为:[2BiBa.+VBa″]、[2BiBa.+CuTi/Zr″]、[CuTi/Zr″+VO..],结合实验可知:介电弛豫程度与晶体中缺陷偶极子的存在形式相关,其中x=0.01时,晶体中以[2BiBa.+CuTi/Zr″]为主。随Cu2+掺杂量的增加,介电常数增加,介电常数与B位键价和呈反比变化、与八面体BO6的体积呈正比变化。  相似文献   
3.
现有计算电介质介电常数的方法都是基于单位体积内电介质宏观的电极化强度P等于微观电极化总强度n0 ·p的方法 .本文结合自然界的能量守恒关系 ,利用电介质在电场作用下的宏观电储能等于微观偶极子的弹性位移能的方法 ,推导出一个通用公式来计算碱卤晶体 (包括NaCl晶体结构 ,CsCl晶体结构 )的εr,理论值和公式计算值对比十分吻合 .  相似文献   
4.
采用传统固相反应工艺,按化学计量比合成BaO-Al_2O3-SiO_2(BAS)-x%(w/w) Li_2O-Na_2O-B_2O3-SiO_2(LNBS)(x=0,1,2,3,4)陶瓷。研究不同LNBS烧结助剂添加量对BAS系微波介质陶瓷的结构和介电性能的影响。通过Clausius-Mossotti公式计算讨论了BAS理论与实验介电常数(εr)的差异。研究结果表明:LNBS烧结助剂中Li+进入钡长石Al3+位或单四元环(S4R)间隙,并产生了O_2-空位或Ba2+空位,从而促进BAS六方相向单斜相的转变。添加适量的LNBS烧结助剂后,BAS陶瓷的烧结温度从1 400℃降低到1 325℃,同时BAS陶瓷样品密度、品质因数(Qf)值以及频率温度系数(τf)得到改善。当x=1,烧结温度为1 325℃时,可获得综合性能相对较好的BAS陶瓷,其介电性能:Qf=35 199 GHz,εr=6.37,τf=-1.613×10-5℃-1。  相似文献   
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