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1.
利用密度泛函理论研究了NH3在完整和含有缺陷的硼纳米管上的吸附行为以及相关电子性质. 计算结果表明, 对于α硼纳米管, 在不同的直径和手性条件下, NH3均倾向于吸附在配位数为6的顶位上. 电子结构计算结果表明, NH3能够吸附在纳米管表面主要是由于N和B原子产生了较强的相互作用. 表明硼纳米管是一种潜在的NH3气气敏材料. 相似文献
2.
本文利用偏振拉曼光谱和第一性原理, 对磷酸二氢铵(NH4H2PO4, ADP)和不同氘含量磷酸二氢铵DADP晶体的晶格振动模式进行了研究. 实验测得了不同几何配置、200–4000 cm-1范围的偏振拉曼光谱, 分析在不同氘含量条件下921 cm-1和3000 cm-1附近拉曼峰的变化. 在ADP晶体中, 基于基本结构单元NH4+ 和H2PO4-基团的振动模, 用第一性原理进行了数值模拟, 进一步明确拉曼峰与晶体中原子振动的对应关系; 通过洛伦兹拟合不同氘含量DADP晶体的拉曼光谱中2000–2600 cm-1处各峰的变化讨论了DADP 晶体的氘化过程, 结果表明氘化顺序是先NH4+ 基团后H2PO4-基团, 研究结果为今后此类材料的生长和性能优化奠定了基础. 相似文献
3.
4.
使用热解法在4H-SiC硅面制备出单层石墨烯,而后将石墨烯置于氢气气氛下退火,使氢插入到缓冲层与SiC衬底之间.利用X射线光电子能谱对氢插入后的化学键变化进行了表征.样品的碳1s能谱中碳元素由SiC衬底、石墨烯及缓冲层共同构成.对不同氢气退火温度下各组分的强度进行采集与分析,并分别与相应的拉曼光谱数据进行对比.结果表明,低于800℃退火温度会造成氢插入的不完全,但当退火温度超过1200℃后,插入的氢将被释放.为获得较优的氢插入效果,需要选择1000℃左右的氢气退火温度. 相似文献
5.
双光子聚合引发剂BVPDA的合成、结构及非线性光学性质 总被引:3,自引:1,他引:2
合成了双光子聚合引发剂{4-[2-(4-溴苯基)-乙烯基]苯基}-二苯基胺(BVPDA),并测定了其晶体结构.结果表明,BVPDA为三斜晶系,P1空间群,a=1.0834(3)nm,b=1.5625(2)nm,c=1.9640(2)nm,α=92.807(8)°,β=103.647(10)°,γ=106.676(13)°,V=3.0705(10)nm3,Z=6,T=293(2)K,Dc=1.383g/cm3,R1=0.0735,wR=0.1063.用1HNMR谱、13CNMR谱及元素分析进行了表征.测试了紫外吸收光谱、单光子荧光光谱、单光子荧光寿命和双光子荧光光谱.在760nm的飞秒脉冲激光激发下,BVP-DA发出较强的上转换荧光,荧光峰位于462nm.以BVPDA作引发剂,加入丙烯酸酯型齐聚物(CN120C80),用Ti:sapphire飞秒激光器作光源,制作了一个三维周期性微结构. 相似文献
6.
Riccati方程的通解 总被引:2,自引:0,他引:2
赵显曾 《数学的实践与认识》1987,(2)
本文仅在 p(x)、q(x)和 r(x)均于区间(a,b)连续的条件下,给出 Riccati 方程在(a,b)中广义解的定义,并证明其广义解确实存在.同时还给出了非线性 Riccati 方程在(a,b)中广义通解的求法,这个通解依赖于一个任意常数. 相似文献
7.
采用密度泛函理论研究了C和As共掺杂的γ-Si3N4的电子性质. 当晶体中少量的四配位硅原子被碳原子所取代, 同时用少量的砷原子取代氮原子, 晶体结构的带隙可以被调整; 当n(C)/n(Si)≈0.063, n(As)/n(N)≈0.047时, 材料会发生绝缘体到金属的转变. 从态密度图中可以观察到价带顶端的能量明显上升. 讨论了关于这种共掺杂所引起的带隙较大减小的可能原因和潜在的应用. 相似文献
8.
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法比较研究了Na1/2Bi1/2TiO3和K1/2Bi1/2TiO3的电子结构、离子位移势能面和Γ声子等性质.结果表明,Na1/2Bi1/2TiO3和K1/2Bi1/2TiO3的电子结构很相似,价带由O 2p电子态主导并包含部分Ti 3d和Bi 6p电子态,导带低能部分由Ti 3d空轨道构成;K取代Na后其Ti—O和Bi—O键的键强略有增加.两者的离子位移势能面也很接近,O离子的偏心位移对结构不稳定性起主导作用,且K取代Na后其作用增强.Γ声子都存在3个软模,分析表明软模主要来自O6基团的振动,K取代Na后A2u软模发生硬化. 相似文献
9.
两个初等不等式 总被引:1,自引:0,他引:1
赵显曾 《数学的实践与认识》1981,(1)
<正> 在教学中,关于二项式级数在收敛区间端点的收敛性,是一个较困难的问题.有的教材,对此置之不理,有的则要借助于超越几何级数来解决. 本文,将[1]中的不等式 相似文献
10.