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991.
992.
本文报道了利用混合物理化学气相沉积方法(HPCVD)在SiC衬底上制备出约150 nm厚,结构均匀的MgB2薄膜.由R~T曲线知道样品TC(0)高达40.1K.由M~T曲线知道其TC=40.4K,且曲线转变十分陡峭.X射线衍射分析表明薄膜具有较好的C轴取向,没有氧污染,却存在Mg的杂峰.由M~H曲线,利用毕恩模型计算得到了5 K零场条件下JC(0T,5K)=2.7×106A/cm2,Hc2=19.5 T.这些结果表明过量的Mg对MgB2薄膜的转变温度以及有些性质有较大的影响. 相似文献
993.
994.
用溶胶-凝胶(so-lgel)法制备了多铁Bi1-xLaxMnO3(BLMO,0.1≤x≤0.4)系列样品.样品的结构表征(X-射线衍射,扫描电子显微镜)及差热-热重(TG-DTA)分析测量显示,形成稳定的BLMO钙钛矿相的烧结温度位于900~950℃.La掺杂对BLMO样品(950℃烧结)的结构和磁性能的影响也被仔细研究.结果显示,随着La掺杂减少,样品中BLMO钙钛矿相减弱,铁磁转变温度(TC)由53K降至41K,而饱和磁化强度经历了先降低再升高的变化.这可归因于La含量较少的样品中Bi空位浓度的增加诱导了Mn-O-Mn键角的减小和局域Mn4+离子的增多,使得Mn3+和Mn4+离子的铁磁超交换增强和Mn3+离子的dz2轨道有序受到局域破坏. 相似文献
995.
996.
采用化学镀和黏接法制备层状磁电复合材料Ni/PZT/TbFe2,研究其磁电性能及谐振频率随Ni层厚度的变化情况. 结果表明:Ni/PZT/TbFe2层状磁电复合材料与其他结构的磁电性能不同,其一阶弯曲谐振峰值和纵向谐振峰值都很大. 随着Ni层厚度的增加,Ni/PZT/TbFe2层状磁电复合材料的一阶纵向谐振峰值逐渐增大. 结合实验数据和理论计算值得出了材料的一阶弯曲谐振频率fr1和一阶纵向谐振频率f
关键词:
磁电效应
正磁致伸缩
负磁致伸缩
谐振频率 相似文献
997.
998.
扩展互导纳法用于研究有限曲面狭缝阵列的传输特性,分析了一维弯曲效应以及单元列数、曲率等因素对磁流分布、散射方向图及频率响应曲线的影响.结果表明,曲面张角是衡量弯曲效应的主要参数. 当曲面张角较大时(120°以上),弯曲效应显著,单元磁流分布剧烈起伏,散射方向图波束展宽且副瓣电平升高,谐振频率、传输带宽及功率透射系数等频率响应特性均发生较大变化.当曲面张角较小时(60°以下),仅边缘附近的单元磁流分布受到曲率影响,散射方向图与传输特性均接近于有限平面阵列,表明此时可近似忽略弯曲效应.
关键词:
频率选择表面
狭缝阵列
传输特性
曲率 相似文献
999.
针对交流激励下电阻-电容分路的约瑟夫森结,采用增量谐波平衡法推导了系统中周期解的解析表达式,并运用Floquet理论分析了周期解的稳定性.发现系统处于稳定周期状态的同时,还存在着丰富的不稳定周期解.通过计算Floquet乘数,得到了系统稳定周期解失稳时的临界参数值,并确定了系统发生的分岔类型,从理论上证明了系统随激励电流幅值的增加由倍周期分岔通向混沌.解析分析与数值计算结果具有很好的一致性.
关键词:
约瑟夫森结
增量谐波平衡法
周期解
分岔 相似文献
1000.