γ射线辐照对a-SiC:H薄膜结构与特性的影响

 采用射频（13.56 MHz）反应溅射方法制备a-SiC:H 薄膜，并将其在空气中进行高能γ射线(平均为1.25 MeV)辐照，5个样品的吸收剂量分别为0，2×10⁴，4×10⁴，6×10⁴，8×10⁴ Gy。采用拉曼及红外光谱对薄膜的结构进行表征,得到了其结构与特性的变化规律。研究与分析表明：随样品吸收剂量的增加，陷入空穴中的电子会被激发，a-SiC:H薄膜中的SiC成份增加，电阻率变小，数量级为105Ω·cm；薄膜存在结晶化的趋势,其主要原因在于由Si－O－Si键断裂而产生的Si取代膜中C－C键中的C而形成晶态SiC，在此过程中出现了Si－O－Si键及a-SiC:H的减少，晶态SiC的增加。经γ射线辐照后薄膜的氢含量降低，折射率从5.19增大到5.53，辐照后薄膜的透过率均低于原膜的透过率。在500~2 300 cm^-1(对应波长为20.00~5.29 μm)波段内，a-SiC:H薄膜存在一定的增透作用。     

与运动原子相互作用的场的压缩效应

采用量子光学中时间演化算符方法，研究了与运动原子相互作用的场的压缩效应，揭示了光场的初始平均光子数和场模结构参数对光场压缩特性的影响，结果表明：适当选择系统参数，可获得在时间上持续压缩的压缩光。     

基于插值的全矢量有限差分法求解阶跃光波导本征模式

给出了一种适合求解阶跃折射率分布光波导本征模式的全矢量有限差分法.该方法充分考虑了电场分量在折射率分布跃变处的不连续性, 在拉格朗日插值的基础上得到了一种精度较高的差分格式.为了验证其有效性,对一种典型结构、折射率阶跃分布的波导作了计算,并与其它方法的结果作了比较.最后对不理想刻蚀情况做了模拟计算.     

Ce:BaTiO3晶体中两个深陷阱能级引起的光折变光栅暗衰减特性

对Ce:BaTiO3晶体中光折变光栅的暗衰减特性进行了实验研究，观测到了晶体禁带中的Fe离子和Ce离子两个深陷阱能级同时参与了光折变过程。在单深能级模型和浅－深能级模型的基础上，提出了简化的双深能级模型，并根据该模型定量地分析了Fe离子和Ce离子每个深陷阱能级在不同光栅波矢、不同光栅写入光强时对总空间电场以及光折变光栅的贡献。     

高速光脉冲的测量方法

 综述了目前国际上公认的测量高速光脉冲的几种方法，主要包括电光条纹相机（SC）、快速脉冲取样、二次谐波产生（SHG）、频率分辨光学门（FROG）以及光谱相位干涉直接电场重建（SPIDER）等。详细地阐述和分析了这些方法的原理、特点、适用范围以及它们的研究现状。     

MNA/PMMA有机薄膜光波导

研究出MNA/PMMA有机薄膜光波导。用棱镜耦合器进行了波导参数的测量,发现薄膜呈现各向异性,有较大的双折射。     

用相对论Brueckner-Bethe-Goldstone方程研究相对论微观光学位

本文用相对论Brueckner-Bethe-Goldstone(RBBG)方程研究核子-核的相对论微观学学势.核子的复有效质量是通过入射能量为200MeV的质子-⁴⁰Ca散射数据来确定,由此进一步研究了质子对不同靶核:¹⁶O,⁴⁰Ca,⁹⁰Zr,²⁰⁸Pb能量范围从160—800MeV的相对论微观光学位.我们用这种微观光学位研究入射能量为200MeV质子与⁴⁰Ca的弹性散射,并与唯象相对论光学位计算得到的截面,自旋可观测量进行了比较.     

光盘用2P胶应用研究进展

对光盘用２Ｐ胶的应用研究进展情况进行了评述，其中光盘制备用光聚合浮雕成型２Ｐ胶的基本组成为各类多官能团丙烯酸酯类单体；光盘保护涂层用２Ｐ胶主要组分为环氧丙烯酸酯类预聚体。     

光的碰撞再分布

光的碰撞再分布是２０多年来发展起来的研究原子碰撞过程的新技术，目前已成为研究原子相互作用的强有力的工具。文章简要介绍了碰撞再分布技术的基本原理和典型实验，并给出了应用实例。     

多勒普加宽斯塔克效应调制分析

用半经典理论分析了含多勒普加宽的斯塔克效应调制，使用密度矩阵近似，导出了吸收线附近ＮＨ３分子的吸收系数和调制度表达式，实验研究了１０．７８４μｍ波长的斯塔克效应调制特性，调制频率１ＭＨｚ时，调制度达到３３％。