首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   869篇
  免费   435篇
  国内免费   343篇
化学   426篇
晶体学   31篇
力学   63篇
综合类   26篇
数学   96篇
物理学   1005篇
  2024年   5篇
  2023年   28篇
  2022年   39篇
  2021年   25篇
  2020年   27篇
  2019年   42篇
  2018年   43篇
  2017年   26篇
  2016年   44篇
  2015年   31篇
  2014年   62篇
  2013年   44篇
  2012年   54篇
  2011年   59篇
  2010年   52篇
  2009年   62篇
  2008年   80篇
  2007年   74篇
  2006年   96篇
  2005年   90篇
  2004年   95篇
  2003年   70篇
  2002年   76篇
  2001年   52篇
  2000年   45篇
  1999年   48篇
  1998年   28篇
  1997年   15篇
  1996年   29篇
  1995年   24篇
  1994年   16篇
  1993年   12篇
  1992年   27篇
  1991年   17篇
  1990年   14篇
  1989年   14篇
  1988年   12篇
  1987年   18篇
  1986年   12篇
  1985年   9篇
  1984年   4篇
  1983年   5篇
  1982年   3篇
  1981年   6篇
  1980年   2篇
  1965年   3篇
  1958年   2篇
  1956年   2篇
  1955年   1篇
  1954年   2篇
排序方式: 共有1647条查询结果,搜索用时 375 毫秒
991.
部花青类化合物是一种光敏材料,由于它的结构比较稳定,吸收光谱范围可以调节以及容易做成薄膜电极等优点,用部花青染料做光伏器件的研究引起了人们的注视.Ghosh报道了用青类化合物做成高效率Schottky太阳能电池,光电转换效率达到1%.  相似文献   
992.
众所周知,具有超耗散(-Δ)5/4的Navier-Stokes方程是适定的.许多学者研究了具有弱超耗散的问题.去除Navier-Stokes方程中一些不同方向的超耗散分量,在一些额外的条件下,可以证明解的存在性和唯一性.本文推导出从u2和u3的方程中去除沿x3方向的超耗散问题解的存在性和唯一性.需要指出的是,如果从所有方程中去除沿x3方向的超耗散,则本方法无法获得此问题的适定性结果.  相似文献   
993.
董姝丽  徐桂英 《化学学报》2004,62(7):674-679
应用动态激光光散射(DLS)和电子自旋共振(ESR)测定研究了单长链表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)与聚乙烯吡咯烷酮(PVP)相互作用.DLS测定结果表明:SDS在水中形成动力学半径约为61 nm的胶束聚集体,PVP在水中卷曲成动力学半径约为12 nm的线圈,DLS确定的SDS临界胶束浓度(cmc)为6.4×10-3 mol·L-1, PVP-SDS具有强的相互作用,PVP分子缠绕在SDS胶束聚集体的周围,屏蔽了SDS胶束聚集体表面碳氢基团与连续水相的接触;ESR结果表明:自由基探针5-doxyl stearic acid在SDS形成胶束聚集体后,从一个较强极性的连续相转变到较小极性的胶束聚集体内核中,胶束聚集体内核的微粘度较纯水的大,SDS与PVP复合聚集体的微观粘度较SDS胶束溶液的大,ESR确定SDS的cmc为6.8×10-3 mol·L-1.  相似文献   
994.
提出利用Legendre小波函数去获得第一类Fredholm积分方程的数值解,函数定义在区间[0,1)上,然后结合Garlerkin方法将原问题转化为线性代数方程组.而且还对算法的收敛性和误差进行了分析,最后通过两个数值算例验证了所提算法的可行性及有效性.  相似文献   
995.
非广延熵纠缠是一种很好的纠缠度量方式,其本身在参数q∈[2,3]范围服从严格单配性关系.我们提出基于非广延熵纠缠平方服从的严格单配性关系,将参数范围扩展至q∈[(5-√13])/2,(5+√13)/2].该单配性关系更加严格,比非广延熵纠缠的严格单配性不等式成立范围更广.  相似文献   
996.
ZnS能够用于光解水制氢,但是由于ZnS带隙较宽在一定程度上制约了可见光的吸收。本文采用密度泛函理论研究了ⅢA族元素对闪锌矿ZnS电子结构、制氢性能和光学性质的影响。研究结果表明:B、Al、Ga、In替位Zn后的结构容易形成,而Tl替位Zn的结构不易形成。B、Al、Ga、In掺杂ZnS后能够明显减小ZnS的带隙宽度,这有助于吸收和利用可见光。并且B、Al、Ga、In掺杂ZnS后满足光水解制氢的条件,因此可以用于光解制氢。  相似文献   
997.
998.
过渡金属轻元素化合物(TMLEs)由于具备高硬度,高熔点,优异电学、磁学、超导等性质受到广泛关注,是一类 具有优异力学性能的功能性材料。优异力学性能与功能性的结合使TMLEs成为极端环境下使用的特种材料。然而, TMLEs的制备往往需要高温高压(HPHT)极端实验条件来克服能垒。目前,已经有了大量HPHT制备TMLEs的报道, 然而,多数只关注产物的性质,对在HPHT下TMLEs的生长机制报道较少。因此,总结HPHT制备的TMLEs,分析TMLEs的晶体生长过程,对理解TMLEs的晶体生长机理、探究新型 TMLEs的制备具有重要意义。结合本课题组研究 经验及其他相关文献,总结了HPHT方法制备的过渡金属硼化物(TMBs)、碳化物(TMCs)和氮化物(TMNs)的晶体生 长情况,分别从起始原料、温压条件、晶体形貌等方面分析了TMLEs的生长机制。总结如下:通过原料配比和温度控 制是制备TMBs单一相的关键,提出硼亚结构单元是使TMBs形成台阶式生长模式的本质因素,碳源和氮源的选择决 定了 TMCs和TMNs的生长机制。同时提出,缺少利用HPHT制备TMLEs毫米级单晶的报道,限制了TMLEs部分本 征的性质探究;并且,新型高轻元素含量的TMLEs结构依然有待开发。随着人类对材料的要求越来越苛刻,以及TMLEs的不断发展,TMLEs将在未来特种材料领域具有不可替代的地位。  相似文献   
999.
高校学科资源的合理配置,对专业的发展前景和社会效益起着非常重要的影响.在构建学科建设绩效指标评价体系的基础上,基于优势粗糙集理论的约简知识,提取出比较有益的偏好决策规则,定性地对专业学科建设情况做出判断.利用极大熵准则对各个评价指标进行合理赋权,得到各个对象的多属性评价值.最后将各方案在最优赋权策略下的得分进行集结,将此比例作为专业招生时的资源配置方法,可以为决策者提供比较公平合理的指导建议.  相似文献   
1000.
We report the temperature, magnetic field and time dependences of magnetization in advanced Ba122 superconducting tapes. The sample exhibits peculiar vortex creep behavior. Below 10 K, the normalized magnetization relaxation rate S = d ln(-M)/d ln(t) shows a temperature-insensitive plateau with a value comparable to that of low-temperature superconductors, which can be explained within the framework of collective creep theory. It then enters into a second collective creep regime when the temperature increases. Interestingly, the relaxation rate below 20 K tends to reach saturation with increasing the field. However, it changes to a power law dependence on the field at a higher temperature. A vortex phase diagram composed of the collective and the plastic creep regions is shown. Benefiting from the strong grain boundary pinning, the advanced Bal22 superconducting tape has potential to be applied not only in liquid helium but also in liquid hydrogen or at temperatures accessible with cryocoolers.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号