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991.
基于MDA法计算水雾粒子红外隐身粒径 总被引:1,自引:0,他引:1
水雾隐身技术是一种较为理想且经济适用的目标特征信号控制技术。本文从辐射传输方程出发,考虑水雾粒子的本身辐射和散射,提出以红外表观透射率评价水雾粒子的红外隐身性能。应用Modified Differential Approximation(MDA)法结合MIE理论,计算了水雾粒子红外表观透射率随水雾粒子浓度和粒径的变化关系,得到水雾粒子最佳红外隐身粒径。结果表明:水雾粒子的红外表观透射率随粒子浓度的增加而减小,但当粒子的浓度增加到一定值时,红外表观透射率基本保持不变;水雾粒子的红外表观透射率随粒径的增加先减小后增大,当探测波段为3~5μm时,水雾粒子的最佳红外隐身粒径为6μm;而探测波段为8~12μm时,水雾粒子的最佳红外隐身粒径为12μm。 相似文献
992.
993.
基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构, 并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较. 给出了单轴〈111〉应力作用下硅价带顶处能级的移动、分裂以及空穴有效质量的变化情况. 计算所得未受应力作用时硅价带顶处重空穴带、轻空穴带有效质量与相关文献报道体硅有效质量结果一致. 拓展了单轴应力硅器件导电沟道应力与晶向的选择范围,给出的硅价带顶处重空穴带、轻空穴带能级间的分裂值和有效质量随应力的变化关系可为单轴〈111〉应力硅其他物理参数的计算提供参考.
关键词:
单轴应力硅
k·p法')" href="#">k·p法
价带结构 相似文献
994.
借助二次模板法成功的合成了AlN纳米线宏观阵列,并进行了表征.主要研究CVD法制备有一定取向,直径均匀的AlN纳米线宏观阵列的过程.通过气相沉积法和利用PS球自组装模板制备了金属纳米颗粒模板;再以模板上的金属纳米颗粒作为催化剂,利用化学气相沉积在模板上合成AlN纳米线宏观阵列.借助SEM,TEM观察所得样品,AlN纳米线阵列面积约为0.3 mm×0.2 mm,直径和长度分布均匀,平均直径约为41 nm,平均长度为1.8 μm左右,分散密度和覆盖率大的六角结构AlN纳米线宏观阵列.得到了可控制备AlN纳米线
关键词:
AlN纳米线阵列
模板法
CVD法
SEM 相似文献
995.
996.
通过原子吸收光谱法研究了在不同pH值、吸附剂量、吸附质浓度和吸附时间条件下磷酸酯化改性梨渣吸附Cr(Ⅵ)离子的效果。溶液初始pH 4.5时,Cr(Ⅵ)离子的吸附达到最大值;酯化梨渣≥10g.L-1能除去Cr(Ⅵ)为100μg.L-1溶液中的86.5%的Cr(Ⅵ)离子。酯化梨渣对Cr(Ⅵ)离子的吸附符合Langmuir等温模型,其最大吸附能力为67.56μg.g-1。Cr(Ⅵ)离子达到吸附平衡的时间为90min,准一级反应动力学方程可描述酯化梨渣对Cr(Ⅵ)离子的吸附过程。 相似文献
997.
998.
999.
1000.