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991.
992.
TMS320VC5402并行引导加载系统设计 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了TMS320VC5402外挂FLASH的在线编程技术和方法,结合实例给出了创建系统引导表的具体步骤,并在此基础上重点叙述了TMS320VC5402DSP的并行16位引导加载方法.设计的系统具有较大的灵活性和良好的可扩展性、 相似文献
993.
994.
本文讨论在已知加工工件总长度(sum)以及机器带一个缓冲区(buffer)两个复合信息下的同型平行机半在线排序问题. Dosa和He研究了当机器数m=2时的情形,设计出竞争比为5/4的最优半在线算法.本文将其情况推广到三台机器,给出竞争比为4/3的半在线算法,并得到一个11/9的问题下界. 相似文献
995.
996.
P|rj,on-line|∑Cj的一类在线算法与竞争比分析 总被引:1,自引:1,他引:0
本文研究平等机上的在线排序问题,优化目标是使总完工时间最小,算法SSPT是此问题的一类在线算法,论文引入一个拟时间表,此时间表具有SRPT时间表的部分性质,论文通过此辅助时间表证明了SSPT算法是(3-(1/m))-competitive的. 相似文献
997.
考虑已知工件最大加工时间的两台同类机半在线问题.机器M1,M2的速度分别为s1=1,s2=s(s≥1),工件是一个一个独立地到来,工件的信息是逐个释放的,但所有工件中加工时间为最大的工件的加工时间是已知的,目标函数为极小化最大机器负载.此模型简记为Q2/known largest job/Cmax.作者给出了Qmax2算法并证明此算法的竞争比为2(s 1)/s 2(1≤s≤2)和(s 1)/s(s>2),且是紧的.同时给出Q2/known largest job/Cmax问题的一个下界,并且证明Qmax2算法的竞争比与最优算法竞争比之差不大于1/4. 相似文献
998.
本文描述用于照射量仪校准工作的薄窗监测电离室的结构、性能及使用方法,就重复性而言,电离室的读数在0.2%以内相符;用于校准现场仪器时,在中等过滤的情况下误差小于1%,重过滤下不大于2%。 相似文献
999.
1000.
ZnO/AlN/Si(111)薄膜的外延生长和性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用常压金属化学气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上制备了马赛克结构ZnO单晶薄膜。引入低温Al N缓冲层以阻止衬底氧化、缓解热失配和晶格失配。薄膜双晶X射线衍射2θ/ω联动扫描只出现了Si(111)、ZnO(000l)及Al N(000l)的衍射峰。ZnO/Al N/Si(111)薄膜C方向晶格常量为0.5195nm,表明在面方向处于张应力状态;其对称(0002)面和斜对称(1012)面的双晶X射线衍ω摇摆曲线半峰全宽分别为460″和1105″;干涉显微镜观察其表面有微裂纹,裂纹密度为20cm-1;3μm×3μm范围的原子力显微镜均方根粗糙度为1.5nm;激光实时监测曲线表明薄膜为准二维生长,生长速率4.3μm/h。低温10K光致发光光谱观察到了薄膜的自由激子、束缚激子发射及它们的声子伴线。所有结果表明,采用金属化学气相沉积法并引入Al N为缓冲层能有效提高Si(111)衬底上ZnO薄膜的质量。 相似文献