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超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质,在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p型和n型导电是制备金刚石半导体器件的基础要求,其中p型金刚石的发展较为成熟,主流的掺杂元素是硼,但在高掺杂时存在空穴迁移率迅速下降的问题;n型金刚石目前主流的掺杂元素是磷,还存在杂质能级深、电离能较大的问题,以及掺杂之后金刚石晶体中的缺陷造成载流子浓度和迁移率都比较低,电阻率难以达到器件的要求。因此制备高质量的p型和n型金刚石成为研究者关注的焦点。本文主要介绍金刚石独特的物理性质,概述化学气相沉积法和离子注入法实现金刚石掺杂的基本原理和参数指标,进而回顾两种方法进行单晶金刚石薄膜p型和n型掺杂的研究进展,系统总结了其面临的问题并对未来方向进行了展望。 相似文献
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Effect of the stoichiometry on the electronic structure of the Ni(111)/α-Al2O3(0001) interface: a first-principles investigation 下载免费PDF全文
In this paper first-principles calculations of Ni(111)/α-Al2O3(0001) interfaces have been performed, and are compared with the preceding results of the Cu (111)/α-Al2O3(0001) interface [2004 Phil. Mag. Left. 84 425]. The AI- terminated and O-terminated interfaces have quite different adhesion mechanisms, which are similar to the Cu(111)/α Al2O3(0001) interface. For the O-terminated interface, the adhesion is caused by the strong O-2p/Ni-3d orbital hybridization and ionic interactions. On the other hand, the adhesion nature of the Al-terminated interface is the image-like electrostatic and Ni-Al hybridization interactions, the latter is substantial and cannot be neglected. Charge transfer occurs from Al2O3 to Ni, which is opposite to that in the O=terminated interface. The charge transfer direction for the Al-terminated and O-terminated Ni(111)/α-A1203(0001) interfaces is similar to that in the corresponding Cu(111)/α- Al2O3(0001) interface, but there exist the larger charge transfer quantity and consequent stronger adhesion nature, respectively. 相似文献
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简述了BeH2材料的制备方法、结构形式和物理化学性质,并分析了其在惯性约束聚变(ICF)中的应用。BeH2材料主要由二叔丁基铍热解法和元素化学气相沉积法制备,其纯度(质量分数)高达99%。非晶BeH2材料的结构是一种共用氢原子作为顶点的BeH4四面体网络结构。非晶BeH2材料不仅具有铍的优点,还具有聚合物的优点,作为ICF靶可以降低瑞利-泰勒不稳定性,而且掺入高Z元素后还可以降低D-T燃料的预热。非晶BeH2材料作为烧蚀层,掺入高Z元素后可以提高激光-X光的转换效率。 相似文献