Marx型脉冲形成网络的研究

介绍了Marx型脉冲形成网络的基本原理,用PSpice软件对整个脉冲形成网络进行了模拟,通过优化网络器件参数,获得了等电容条件下平整的波形输出.研制了一台4级Marx型脉冲形成网络的脉冲功率源,在充电电压为20kV的情况下,在18gt的匹配负载上获得了40kV的电压输出,脉冲半高宽为3μs,平顶宽度2μs.     

外部压力对学生的数学及科学成绩效应的纵向研究 ——- 非参数分位回归方法

过去, 许多研究主要集中在学生的经济背景与心理因素对其成绩的影响方面. 然而, 很少注意到外部压力对学生成绩的影响, 诸如来自家长与同学方面的压力. 本文重点放在这一有趣而且很重要的主题上, 利用非参数分位回归中的``双核'法对美国青年人进行了深入地纵向研究, 得到了几个很有趣的发现. 这些研究的方法、结果不光对学生家长有用, 而且对教育政策制定者与咨询者也有所裨益.     

InSeI单晶的制备及其结构与性能研究

利用化学气相传输法(CVT)制备了InSeI单晶。该晶体为黄色的针状物,晶体较脆。在室温下进行X射线衍射分析发现,其属于四方晶系,晶胞参数为a=b=1.864 3(5) nm,c=1.012 0(3) nm,V=3.517 2 nm³,空间群为I4₁/a。紫外可见光吸收光谱、光致发光光谱等结果显示该晶体的禁带宽度是2.48 eV,在一定波段光的激发下,InSeI单晶在600 nm左右有较宽的发射峰,表明该晶体的发光方式为缺陷态发光。介电温谱表明InSeI单晶在440 K时其四方相的结构发生了相变。     

要传承“不要把算盘丢掉” 进课标“让珠算之树长青”

2001年,《中小学数学课标》将教育、启智、计算三项功能都十分优秀,能体现我国数学算法精华的珠算,清除出中小学数学课堂,抛弃了中华民族优秀文化遗产,取之而代的是全盘西化,让繁难偏旧、符号抽象的笔算一统天下;把设计科学、结构简单、数学素养丰富、性能精良、数形结合、融符号与实物为一体、形象直观、操作方便、简易高效的教具和学具——算盘淘汰出局,重新又捡起了笨拙、不能显示位值制、没有数学系统作用、又不能符号化的数的教学模型——小棒、点子图、     

Effect of Channel Length and Width on NBTI in Ultra Deep Sub-Micron PMOSFETs

The effects of channel length and width on the degradation of negative bias temperature instability （NBTI） are studied. With the channel length decreasing, the NBTI degradation increases. As tile channel edges have more damage and latent damage for the process reasons, the device can be divided into three parts： the gate and source overlap region, the middle channel region, and the gate and drain overlap region. When the NBTI stress is applied, the non-uniform distribution of the generated defects in the three parts will be generated due to the inhomogeneous degradation. With tile decreasing channel length, tile channel edge regions will take up a larger ratio to the middle channel region and the degradation of NBTI is enhanced. The channel width also plays an important role in the degradation of NBTI. There is an inflection point during the decreasing channel width. There are two particular factors： the lower vertical electric field effect for the thicker gate oxide thickness of the sha/low trench isolation （STI） edge and the STI mechanical stress effecting on the NBTI degradation. The former reduces and the latter intensifies the degradation. Under the mutual compromise of the both factors, when the effect of the STI mechanical stress starts to prevail over the lower vertical electric field effect with the channel width decreasing, the inflection point comes into being.     

基于捕获离子的量子计算机

1985年，Deutsch D证明，利用量子叠加态以及纠缠态进行信息处理，有时会比经典计算机更为有效．以相互纠缠的两个量子位为例，我们可以将它的初始态制成有4个输入数据的相干叠加态，     

六自由度机械臂的运动规划

为了使六自由度机械臂完成特定的动作,需要设计计算相应的指令序列.首先计算了机械臂位姿与指尖位置之间的关系公式,然后针对机械臂的到达问题、沿曲线运动问题和避障问题,分别提出目标位姿预测、曲线离散到达和受限目标到达三种解决方法,其中涉及的关键算法是自适应搜索法,该方法具有效率高、精度高、适用范围广的特点.在产生指令序列时采用贪心算法.通过以上方法得到的执行结果误差很小(<0.8mm),同时搜索收敛速度也很快.     

反应溅射法制备AZO薄膜的结构和透明导电性能

不同于常用的金属或氧化物靶材,本研究以表面粘贴Al片的Zn/ZnO混合物(Al@Zn/ZnO)为靶材,在衬底温度(Ts)为150℃和300℃,溅射气氛为Ar+O2和Ar+H2下反应溅射制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜.通过干涉显微镜、XRD、Hall效应测试仪、紫外-可见分光光度计研究了Ts以及O2和H2流量对薄膜结构及透明导电性能的影响.结果发现,随O2流量增加,两种Ts下制备的AZO薄膜保持(002)择优取向,薄膜中压应力呈下降的趋势,而薄膜结晶度趋向于先增加后略有下降.薄膜的导电性能随O2流量增加呈逐渐增强的趋势.当O2流量高于一定值时,薄膜可以获得较高的可见光透过率,因此达到较高的品质因子.当Ts从150℃ 增加到300℃,薄膜的压应力降低,结晶度提高,但导电性未见明显提高.另外,薄膜禁带宽度主要由薄膜中压应力决定.与Ar+O2下制备的AZO薄膜相比,Ar+H2气氛下制备的薄膜基本上为非晶态,其导电性能差,而可见光透过率较高、禁带宽度较大.