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991.
992.
编辑同志 :本人在学习文献 [1 ]的过程中感到§ 1 1 -8“磁场对载流导线的作用”中对安培力起源的解释有值得商榷之处 .文中说 :“这些正离子所受霍耳 (应为霍尔———编者注 )电场的合力的宏观效果便是电流元在磁场中所受的安培力dF =dNF+=-dNev×B =-nSevdL×B =IdL×B (1 1 -3 9)式中IdL =-nesvdL ,……”以上这段文字对安培力来源的说法并不确切 .因为正离子所受到霍尔电场的合力也有其反作用力 ,这个反作用力便作用在导线上、下两侧面上 ,而正离子与导线上、下两侧面同属于导线这个系统 .正离子受到的霍… 相似文献
993.
磨盘碾磨制备PP/石墨复合粉末的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
通过磨盘碾磨制备了PP 石墨复合粉末 ,用粒度分析、SEM和XRD表征了复合粉末的形貌特征、结构与性能 .结果表明 ,磨盘碾磨实现了PP与石墨的粉碎、分散和混合 ,经过 2 5遍碾磨 ,石墨与PP已互相嵌入 ,均匀分散 ;PP 石墨复合粉末具有不规则薄片状形貌特征 ;XRD表明 ,磨盘碾磨使PP和石墨的结晶度降低 ,晶面间距增大 ,晶粒尺寸减小 .PP 石墨复合粉末与聚丙烯共混复合可制备出具有良好抗静电性能的复合材料 . 相似文献
994.
We study the entropic force effects on black holes and photons. It is found that application of an entropic analysis restricts the radial change △R of a black hole of radius RH, due to a test particle of a Schwarzschild radius Rn moving towards the black hole by △x near a black body surface, to be given by a relation RH△R = Rh△x/2, or △ R/λM = △x /2λm. We suggest a new rule regarding entropy changes in different dimensions, △S = 2πkD △l/λ, which unifies Verlinde's conjecture and the black hole entropy formula. We also propose the extension of the entropic force idea to massless particles such as photons. It is realized that there is an entropic force on a photon of energy Eγ with F = GM(Eγ/c^2)/R^2, and therefore the photon has an effective gravitational mass mγ= Eγ/c^2. 相似文献
995.
996.
997.
998.
无机物晶格能及其它理化性质的定量构效关系研究 总被引:10,自引:0,他引:10
于邻接矩阵和原子或离子的极化力参数(gi)建立新的连接性指数(^mG),其中^0G,^1G的定义式为:^0G=∑(gi)^0.5,^1G=∑(gi.gj)^0.5。涉及14种离子(如X^-,O^2-,S^2-,Se^2-,Te^2-,PO4^3-,SiO4^4-,N^3-等)的192种无机物晶格能与^0G,^1G的线性性回归方程为:U=-381.11 310.20^1G 354.45^0G,R=0.9975其估算值与实验值基本吻合,^1G不仅计算简单,对无机分子结构差异具有很强的区分能力,而且而碱金属卤化物的理化性质(如晶格能、熔点、磁化主、M-X键长,反应微分截面等)显著相关。 相似文献
999.
针尖化学方法研究单壁碳纳米管末端羧基的解离性质 总被引:2,自引:0,他引:2
针尖化学利用化学手段对扫描探针显微镜 ( SPM)的针尖进行功能化修饰 ,将其作为化学反应的“探针”用于研究表面的局域化学反应性质、跟踪表面发生的化学反应过程等 [1] .用针尖化学技术来研究自组装膜 ( SAMs)表面酸碱基团的局域解离性质 ,称之为化学力滴定 [2~ 8] .利用表面缩合方法将单壁碳纳米管短管组装到 AFM针尖上 ,通过测定针尖上碳纳米管的末端基团与羟基自组装膜表面之间的粘滞力 ,研究碳纳米管末端羧基的解离性质 ,可得到碳纳米管结构与化学性质的信息 .1 实验部分1 .1 碳纳米管针尖和羟基末端自组装膜的制备 基底 [Si( … 相似文献
1000.
现有晶体场理论不能全面合理地解释“光谱化学序列”。本文提出配位原子中的孤对电子是造成晶体场分裂的主要因素;孤对电子的极化力越大,造成的晶体场分裂能亦越大。本文通过对孤对电子极化力的各种影响因素的分析,得出了不同配体对同一中心离子造成的晶体场分裂能Δ的相对值经验计算公式,从而较完满地解释了“光谱化学序列”。 相似文献