ν↓型三能级原子系统中Raman跃迁增强的Kerr非线性效应

在理论上研究了ν↓型三能级原子系统Raman跃迁中的线性和非线性极化率．研究表明：Raman跃迁中，如果原子完全被抽运到与控制光作用的基态时，将导致介质对探针光的线性极化率为零，而三阶非线性极化率不为零．通过减小原子两基态间的无辐射衰减速率γ12，可以极大地增强交叉Kerr非线性效应．     

芯片封装焊球连接疲劳寿命预测分析--能量法和有效应变法之比较

研究了目前常用的两种芯片封装焊球连接的寿命预测方法一能量法和有效应变法。对焊球连接的材料本构关系进行了对比分析，并利用FORTRAN语言编制了相应的材料本构模型子程序，将其与有限元仿真工具ANSYS耦合，实现了将焊球连接的材料本构模型用户子程序导入到ANSYS的材料库。在此基础上模拟了三维芯片叠层球栅阵列尺寸封装的焊球结构，在热循环条件下(-40～ 125℃的工作状态，并分别利用能量法和有效应变法对焊球连接的寿命预测进行了比较分析，最后对两种方法作出了评价。     

引力场中的质量亏损效应

利用Hellings-Nordtvedt理论,我们得到了一类荷磁天体(含宇宙常数)的引力场中质量亏损效应的表达式。通过讨论这些表达式中的参数，我们得到了在不同条件下的质量亏损表达式。这些结果对于天体形成过程中能量辐射机制的研究是有意义的。     

CH4分子ν1模拉曼诱导克尔效应谱与受激拉曼光声光谱峰形的比较

以气相甲烷分子ν₁模Q支的拉曼光谱为例，采用拉曼诱导克尔效应谱(RIKES)进行峰形测量，并将其与同时测量的受激拉曼光声光谱(PARS)的峰形进行了比较.结果表明，在pump光和Stokes光均为线偏振的情况下，两者存在着差异；在拉曼共振峰的低频端，RIKES谱强度略高；而高频端则恰好相反.从信号产生机制出发，对此进行了合理解释. 关键词： 拉曼诱导克尔效应谱 受激拉曼光声光谱 峰形     

声电光效应的耦合波方程理论

将声光效应与电光效应的耦合波方程相结合，统一为声电光效应的耦合波方程，并对之进行求解，给出声电光效应的衍射效率公式。     

非均匀晶化Bi和Ba代替DyIG膜的法拉第效应研究

报道了快速循环晶化Ｂｉ和Ｂａ代替ＤｙＩＧ磁光膜的实验结果，发现在累加退火时间小于３分钟时（温度６５０～６８０℃）膜内部存在非晶区域和沿厚度晶化不均匀现象。导出晶相与非晶相界面法拉第角计算公式。计算结果表明，界面效应导致膜整体法拉第效应减弱。     

由酸效应系数计算pH值的新方法

基于酸效应系数αL(H)与溶液酸度的关系,建立了一种由αL(H)手工计算pH值的新方法.该方法无需解高次方程,仅需对lgαL(H)及相关pKa作加减运算、复杂体系也只需增加少量以10为底的乘方运算及常用对数运算即可.因而方法简便,计算误差可预先设置,本文控制不超过5%.     

2IV^m-p设计的弱最小低阶混杂与纯净效应准则等价的条件

该文给出了2IVm-p设计包含最多纯净两因子交互效应与该设计具有弱最小低阶混杂等价的几个条件．并在文章的末尾给出了一组既具有弱最小低阶混杂又包含最多纯净两因子交互效应的2IVm-p设计．     

一类基于非对称偏差的过程能力指数

以基本尺寸为基准,研究非对称偏差下总体质量特性值的分布及过程离散程度,在给出一类非对称分布的基础上,研究基于非对称偏差的过程能力指数,并将其推广到角度质量控制问题。     

粘塑性介质中球形孔洞的动态增长

 提出了一个新的粘塑性介质中球形孔洞在高加载率作用下的演化方程。方程中考虑了应变率、局部惯性和介质的硬化效应，并对这些影响进行了数值分析和讨论。数值分析结果表明：孔洞的增长对外加载率和应变率十分敏感，在高加载率条件下局部惯性效应对孔洞增长有着重要影响，随着加载率的增加，这种影响增大。另外，得到了使孔洞增长的临界应力值的表达式。