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91.
荧光寿命的快速傅里叶变换拟合方法 总被引:7,自引:2,他引:5
介绍了一种利用快速傅里叶变换算法对稀土掺杂物质的荧光寿命进行数据拟合的方法。稀土掺杂物质可用来制备多种光学传感器,用于温度、pH值等多种参量测量领域。本方法利用快速傅里叶变换(FFT)结果作为基础,从非零项的相位角的正切值得出被测的荧光寿命,具有速度快、误差小、不受本底干扰等一系列优点。以掺铒光纤为例,通过数字仿真将本方法与其它几种传统的拟合方法进行了比较。快速傅里叶变换方法的测量偏差不到Prony方法的50%,为对数似合(log-fit)方法测量偏差的1/6。另外,快速傅里叶变换方法由于不受本底噪声影响,可以不必在信号处理时去掉本底噪声,因而可以明显缩短测量时间。 相似文献
92.
一种基于湍动能方程的转捩判定方法 总被引:2,自引:0,他引:2
转捩现象是阻碍阻力高精度求解的主要问题之一. Menter 和Langtry 所提出的γ-θ转捩模型通过引入涡量雷诺数和间歇因子输运方程来驱动转捩,但是其中很多经验公式的理论立足点有待商榷. 驱使层流转变到湍流依赖的仍然是平均速度的一阶和二阶相关量,它们组合构成了湍动能方程的耗散尺度. 在湍动能方程中做合适的耗散平衡后,仅仅依靠湍动能方程可以有效地捕捉转捩现象. 采用自然转捩和旁路转捩测试算例进行了验证,结果证明该方法与试验值匹配较好,具有一定的工程实用价值. 相似文献
93.
94.
多孔材料内部结构的微CT扫描仪分析 总被引:5,自引:0,他引:5
本文介绍使用微CT扫描仪对样品进行扫描和图像重构的原理,以蛋糕为样品使用CT对多孔材料的内部结构进行研究,包括样品的孔隙率及其变化,水在大孔内的分布,空腔的三维重构图像和样品内部其它微细特征。结果表明, 浸水的样品在干燥后,骨架收缩,部分孔的尺寸明显增大,孔隙率增加,而没有浸水的蛋糕在干燥前后结构变化不大。文章表明,对于孔径大于几十微米的多孔性材料,使用文中的微CT扫描仪可以有效地对它们进行内部结构的研究。 相似文献
95.
96.
Dual-color(blue and green) InGaN/GaN nanorod light-emitting diodes(LEDs) with three different nanorod diameters are fabricated. Enhancement of luminescence intensity per area is observed in blue and green wells,to varying degrees. When the diameter is 40 nm, it sharply decreases, which could be explained by the sidewall nonradiative recombination. Time-resolved photoluminescence is conducted to study the carrier lifetime. High recombination rate is observed in nanorod arrays, and is an order of magnitude less than that of the planar LED.When the diameter is 40 nm, the nonradiative lifetime decreases, and this explains the decrease of intensity. The3 D-FDTD simulations show the enhancement of light extraction out of geometry structure by calculating the transmittance of the nanorod arrays. 相似文献
97.
98.
以硝酸铜、乙酸铜、乙酰丙酮铜为原料,采用多元醇还原法合成制备了氧化亚铜立方体、微球、空心球、核壳结构等微纳米颗粒。 利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和紫外可见吸收光谱(UV-Vis)等测试手段对样品的物相、形貌、元素组分及吸光性能进行了表征。 同时考察了铜源、反应时间、和多元醇类型对氧化亚铜微纳米材料形貌的影响,对产物形成机理进行了初步的探讨。 对产物形成机理进行了初步的探讨。 采用简单低廉的多元醇合成法,可以控制合成不同相貌的氧化亚铜微纳米结构。 对制备形貌可控的氧化物具有一定的指导意义。 相似文献
99.
100.
p-GaN surfaces axe nano-roughened by plasma etching to improve the optical performance of GaN-based light emitting diodes (LEDs). The nano-roughened GaN present a relaxation of stress. The light extraction of the LEDs with nano-roughened surfaces is greatly improved when compared with that of the conventional LEDs without nano-roughening. PL-mapping intensities of the nano-roughened LED epi-wafers for different roughening times present two to ten orders of enhancement. The light output powers are also higher for the nano-roughened LED devices, This improvement is attributed to that nano-roughened surfaces can provide photons multiple chances to escape from the LED surfaces, 相似文献