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本文使用傅里叶变换微波谱仪研究了乙基苯胺类物质(邻乙基苯胺,间乙基苯胺,对乙基苯胺)的分子结构. 由于此类分子含氮原子(I14N=1),因此跃迁谱线中都呈现出核四级裂分. 通过比较实验测定得到的分子结构,可总结苯胺环上不同位置乙基的取代对氨基及分子整体结构的影响. 相似文献
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光催化降解有机污染物由于其具有低能耗和绿色环保的特点,已经成为研究的热点. 氧化铋纳米晶体的带隙在2.0∽2.8 eV之间,利用它催化可见光降解有机污染物具有较高的活性,从而引起了越来越多的关注. 尽管近年来已经开发了几种制备Bi2O3基半导体材料的方法,但是仍然难以用简单的方法大规模地制备高活性的Bi2O3催化剂. 因此,开发简单可行的大规模制备Bi2O3纳米晶体的方法对于工业废水处理的潜在应用具有重要意义. 本文通过蚀刻商用BiSn粉末,然后进行热处理,成功地大规模制备了多孔Bi2O3. 获得的多孔Bi2O3在亚甲基蓝(MB)的光催化降解中表现出优异的活性和稳定性. 对该机理的进一步研究表明,多孔Bi2O3合适的能带结构允许生成活性氧物种,例如O2-·和·OH,可有效降解MB. 相似文献
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合成远离稳定线的新核素、探索原子核存在的极限是目前核物理研究的重要课题。在中子壳N=126的最丰质子一侧,极端缺中子的超铀核素处于质子滴线和中子壳的交叉位置,合成和研究该核区核素对研究N=126壳结构的演化性质具有重要意义。基于兰州重离子加速器上的充气反冲核谱仪装置(SHANS),利用36,40Ar+185,187Re熔合蒸发反应,合成了极缺中子的219,220,223,224Np新核素,在中子壳N=126附近首次建立了Np同位素链的$ \alpha$ 衰变系统性,获得了N=126壳效应在Np同位素链中依然存在的实验证据。依据单质子分离能的系统性分析,确定了Np同位素链中质子滴线的位置,219Np也成为目前已知的最重的质子滴线外核素。此外,基于实验测量的反应截面,并与理论模型的计算结果相比较,讨论了进一步合成该核区其它新核素218,221,222Np的可行性。 相似文献
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反问题是现在数学物理研究中的一个热点问题,而反问题求解面临的一个本质性困难是不适定性。求解不适定问题的普遍方法是:用与原不适定问题相“邻近”的适定问题的解去逼近原问题的解,这种方法称为正则化方法.如何建立有效的正则化方法是反问题领域中不适定问题研究的重要内容.当前,最为流行的正则化方法有基于变分原理的Tikhonov正则化及其改进方法,此类方法是求解不适定问题的较为有效的方法,在各类反问题的研究中被广泛采用,并得到深入研究. 相似文献
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为提高光伏预测要求的精准性,文章提出一种新算法将神经网络和ARMA算法改进组合,构成NEW ARMA-BP模型算法.以某30兆瓦的光伏电站采集的输出功率为输入样本,基于ARMA和BP神经网络算法在Matlab环境下依次搭建了相应的预测模型,预估光伏短期输出量.采用"误差正态检验图"判断基于两种不同算法的误差水平,依据两种单模型预测误差,运用所提出的新方法计算权值并获得新的预测值.基于Matlab的仿真结论验证了组合预测在光伏输出预测领域的适用性. 相似文献
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模糊回归是在模糊系统中建立因变量与一组自变量之间关系的重要工具,以评估模糊自变量如何影响模糊响应变量的过程。当系统中出现小样本或者非列满秩设计矩阵时,模糊最小二乘法可能得出偏误估计。本文基于文献[13]中的多元线性回归模型,利用广义最大熵方法,针对模糊输入模糊输出数据,给出线性回归模型的参数估计和算法步骤。当输入或输出数据退化为清晰值时,该估计退化为清晰输入模糊输出或者模糊输入清晰输出的回归模型参数估计。本文结合模拟数据和实例数据,将广义最大熵方法与模糊最小二乘方法、岭估计方法进行比较研究,结果显示广义最大熵方法的可行性和有效性。 相似文献
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在核四极矩共振(NQR)领域,射频激励脉冲信号的优劣对NQR响应信号有重要影响.针对常规方法中射频激励脉冲参数不可控的问题,本文基于32位闪存微型控制器STM32和直接数字频率合成(DDS)芯片AD9910设计了一种相位可控激励脉冲发生器.采用STM32控制AD9910产生波形参数(脉冲宽度、脉冲间隔、脉冲个数和共振频率等)可控的射频激励脉冲,利用LabVIEW软件平台设计脉冲参数设置界面,并建立计算机与微控制器通信,实现波形参数的精确优化控制.实验结果表明,该方法实现了相位可控的NQR激励脉冲序列,可为后续NQR信号检测提供有效激励源. 相似文献
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根据本征方程,研究磁电弹性体中若干平行螺型位错与Griffith裂纹的相互作用.结合Muskhelishvili方法和算子理论,得到磁电弹性体中由位错和裂纹所诱导的应力场、电场和磁场的解析解.数值算例表明:在裂纹的端点及位错点上仍然存在应力的奇异性,离位错点越远处广义力越小,结论与已有的结果相符,证明了结论的正确性.当位错点与裂纹端点距离越近时,裂纹与位错间的应力场越小,并逐渐趋近于零. 相似文献