新型多孔莫来石纤维陶瓷负载La0.8Sr0.2CoO3-δ钙钛矿催化剂

 利用空气挤压排液成型法在 1250 ℃下制得了高孔隙率高热稳定性的莫来石纤维陶瓷. 这种多孔莫来石纤维陶瓷具有较均匀的孔分布,并且孔隙率高达96.22%. 以这种多孔陶瓷为载体制备了负载型La0.8Sr0.2CoO3-δ钙钛矿催化剂,该催化剂对NO氧化CO表现出很好的催化活性和稳定性. 在催化剂中掺入贵金属Pd之后,催化剂的催化活性得到了很大的提高.     

磁驱动准等熵加载装置CQ-4的加载能力及主要应用

利用脉冲大电流与其自身磁场相互作用产生磁压实现对样品平面等熵压缩,是国外新发展起来的动高压加载技术。CQ-4装置是在自然科学基金仪器专项资助下,建立的国内首套可实现110GPa等熵压缩,宏观金属飞片发射达15km/s的紧凑型脉冲功率装置。本文重点介绍该装置的主要性能和加载能力,以及基于其上开展的材料高压本构、相变、未反应炸药等力学行为等应用研究情况。     

点的复合运动中相对运动的描述

给出了点的复合运动中,动点的绝对运动方程和相对运动方程之间关系的描述方法,并将其应用于确定平面运动机构中选取不同动点和动系时的相对运动轨迹.该方法的推导过程简单易懂,易于实现,可以帮助学生在学习相关知识时对不同情况下的相对运动有清晰、直观的了解.特别是当相对运动非常复杂时,可以借助该分析过程给出相对运动轨迹曲线.     

络合法制备不同形貌的铈锆固溶体及其性能研究

采用不同的络合剂(草酸、谷氨酸、苹果酸和酒石酸),通过络合法制备出玫瑰花状、块状、多孔网状的Ce0.77Zr0.23O2铈锆固溶体,利用热分析(TG-DSC)、X射线衍射分析(XRD)、扫描电镜(SEM)、比表面积和氢气程序升温还原分析(H2-TPR)等对前驱体及固溶体进行了测试表征.前驱体在450℃下煅烧2h即可得到铈锆固溶体,700℃以后会发生晶粒长大的现象.其中以草酸为络合剂制备的玫瑰花状铈锆固溶体随着煅烧温度的升高,平均晶粒尺寸迅速增大,并发生分相,热稳定性较差;以酒石酸为络合剂制备的米粒状铈锆固溶体比表面积高达53.89 m2/g,900℃下煅烧2h,平均晶粒尺寸依然小于20 nm,具有优良的储氧性能.     

共沉淀法制备Al2O3-ZrO2复合纳米粉体

以ZrOCl2·8H2O、Al(NO3)3·9H2O、Y(NO3)3为原料,NH4HCO3 (AHC)为络合剂,采用共沉淀法制备Al2 O3-ZrO2复合纳米粉体.利用X射线衍射分析(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、激光粒度分析仪等对Al2 O3-ZrO2复合粉体进行测试表征,详细研究了pH和AHC/Zr摩尔比对复合粉体的影响.结果表明,当前驱体的煅烧温度低于1200℃时,只形成t-ZrO2相,当煅烧温度达到1300℃时,α-Al2O3相开始形成;沉淀反应的pH和AHC/Zr摩尔比对Al2O3-ZrO2复合粉体的产率有很大的影响.在pH7、AHC/Zr =4.5:1的条件下制备前驱体,经过1300℃煅烧2h得到两相纯度高,分散性能好,粒度分布窄,平均粒径为0.75 μm的Al2O3-ZrO2复合粉体.     

铝掺杂超细氧化锌粉体的制备与性能研究

本文以Zn(NO3)2·6H2O和Al(NO3)3·9H2O为原料采用均匀沉淀法制备了Al掺杂ZnO(ZAO)超细粉体,用XRD、SEM、纳米粒度分析仪及四探针电阻仪等对ZAO超细粉体进行了测试表征.研究了反应温度、煅烧温度、反应物浓度、Al掺杂量及分散剂添加量对ZAO超细粉体形貌、尺寸及电阻率的影响.研究结果表明:制备的ZAO粉体为纤锌矿结构;煅烧温度为550℃时,ZAO晶相形成很好;随着Al掺杂量的增加,ZAO粉体电阻率降低,晶格常数减小,但当Al掺杂量大于2.0 mol;时,生成尖晶石相,其电阻率反而上升.     

Simple measurement of nonlinear refraction by using a single pulse and beam

A very simple technique, by which both the magnitude and the sign of nonlinear refraction can be determined through using only one single pulse and beam with a phase object, is presented. Using this technique, only the transmittance of an aperture in the far field is investigated. We study the nonlinear refraction of the carbon disulfide by using the presented technique with 21~ps pulses at a wavelength of 532~nm as a test.     

CVD法制备高质量ZnO纳米线及生长机理

以金做催化剂,采用化学气相沉积(CVD)方法在Si(100)衬底上生长了整齐紧密排列的ZnO纳米线.XRD图谱上只有ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿[001]择优生长;扫描电子显微镜分析表明:ZnO纳米线整齐排列在Si(100)衬底上,直径在100nm左右,平均长度为4μm.研究发现ZnO纳米线的生长机理与传统的V-L-S机理有所不同:生长过程中,在Si(100)衬底上先生长了大约500nm厚的ZnO薄膜,而ZnO纳米线生长在薄膜之上.     

氧化锌晶体生长基元模拟

本文利用Hyperchem分子模拟软件对氧化锌晶体生长基元Zn(OH)42-进行了系统的模拟.通过模拟分析生长基元的结合方式,提出了生长基元的结合规律.结果表明:Zn原子数(生长基元)与共用O原子数(O桥)的比例越大所形成的络合物越稳定;当分子中Zn原子和共用O原子比例一定时,羟基数目越少则越稳定.并且通过计算机模拟生长基元直线状结合情况解释了单晶ZnO纳米线状或纳米棒状的结构很难在实验中获得的原因.     

关于具有阻尼项的扩散方程

讨论了该方程的初边值问题解的存在性, 其中$\alpha>0$, $q相似文献