Paul阱中两个超冷离子的量子统计特性

讨论两个囚禁在Ｐａｕｌ阱的对称轴上的超冷离子的量子统计特性，可以发现，它们的稳定囚禁不仅与阱的稳定区有关，而且与它们自身的自旋和电荷数大小有关。     

半线性方程组边界层解的存在性

本文利用隐函数定理讨论了含小参数的半线性椭圆方程组边界层解的存在性．     

以二甲胺为显色剂分光光度法测定甲萘醌和维生素K_3

提出一种新的测定甲萘醌和维生素K_3的分光光度法。该方法简单、快速、灵敏。它是基于二甲胺与甲萘醌或维生素K_3反应生成可溶于水的紫红色络合物,其最大吸收波长为510nm。对于甲萘醌和维生素K_3,其摩尔吸收系数分别为2.8×10~3和1.5×10~3;分别在0.2—30μg/ml和0.4—60μB/ml浓度范围内符合比尔定律(γ甲萘醌=0.9996,γVk_3=0.9986);其平均回收率分别为99.4％和99.5％,相对标准偏差分别为0.52％和0.36％,对于针剂和片剂中的Vk_3,相对标准偏差分别为1.6％和2.4％。大部分的氨基酸、糖类、有机酸及一些水溶性维生素和维生素K_1无干扰。     

赤麂染色体复制的研究

本文应用细胞融合技术,姐妹染色单体分化染色法和我们提出的可以同时显示核仁组织者与姐妹染色单体分化的银染色方法,在赤麂染色体上进行了研究。在中期染色体和间期细胞各时期的期前凝聚染色体上,看到了分化染色的姐妹染色单体。银染色法表明,在深染的姐妹染色单体上,核仁组织者区银染色为阳性,浅染的染色单体上是阴性。姐妹染色单体分化染色和核仁组织者的银染色指出,中期染色体和间期细胞期前凝聚染色体的结构是相同的。赤麂的染色体复制符合于DNA半保留复制模型。rDNA的复制也具有半保留复制的特性。     

非线性演化方程孤立波的同伦分析法求解

利用同伦分析法求解了Burgers方程，得到了其扭结形孤立波的近似解析解，该解非常接近于相应的精确解.结果表明，同伦分析法可用来求解非线性演化方程的孤立波解.同时，也对所用方法进行了一定扩展，得到了Kadomtsev-Petviashvili(KP)方程的钟形孤立子解.经过扩展后的方法能够更方便地用于求解更多非线性演化方程的高精度近似解析解. 关键词： Burgers方程 同伦分析法 KP方程 孤立波解     

立方非线性Schr?dinger方程的Weierstrass椭圆函数周期解

利用Weierstrass椭圆函数展开法对非线性光学、等离子体物理等许多系统中出现的立方非线性 Schr(o)dinger方程进行了研究.首先通过行波变换将方程化为一个常微分方程,再利用Weierstrass椭圆函数展开法思想将其化为一组超定代数方程组,通过解超定方程组,求得了含Weierstrass椭圆函数的周期解,以及对应的Jacobi椭圆函数解和极限情况下退化的孤波解.该方法有以下两个特点:一是可以借助数学软件Mathematica自动地完成;二是可以用于求解其它的非线性演化方程(方程组).     

基于基团贡献法的HFC＋HC混合物气液相平衡性质预测

基于基团贡献法的思想,本文采用改进的SRK状态方程和修正的MHV1混合规则,将UNIFAC基团贡献法扩展用于HFC HC二元混合物气液相平衡性质的描述,给出了基团划分表和基团间的相互作用参数,使用该方法可以较好地再现HFC HC二元混合物的气液相平衡性质,并且具有良好的预测效果.     

New Power Lateral Double Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistor with a Folded Accumulation Layer

A new lateral double diffused metal oxide semiconductor field effect transistor with a double-charge accumulation layer using a folded silicon substrate is proposed to improve the performance of the breakdown voltage and specific on-resistance. Three kinds of technologies, which are the additional electric field modulation effect, majority carrier accumulation and increasing the effective conduction area, are applied simultaneously by a semi- insulating polycrystalline silicon layer deposited over the top of thin oxide covering the drift region. It is indicated that by the simulator, the ideal silicon limits of the breakdown voltage and specific on-resistance have been broken due to the complete three-dimensional reduced surface field effect and the doubled majority carrier accumulation layer.     

超导电感电力储能——用超导磁体调节电网高峰负荷

本文对超导电感电力储能——即用超导磁体所储存的能量来调节电网的高峰负荷进行了分析,说明电网从经济性与可靠性来考虑,都需要储能装置.