响应矩阵分析方法在BEPC储存环上的应用

由于储存环中各种元件误差的存在, 机器的实际运行模式与设计模式有一定的偏差. 目前广泛开展的响应矩阵方法研究, 可以分析出磁铁元件以及束流位置测量元件的误差, 使束流基本参数得到校正. 介绍了用响应矩阵分析方法, 在BEPC储存环上进行的局部轨道校正的实验研究, 以及BEPC储存环束流参数校正的模拟研究.     

厚胶光刻非线性畸变的校正

利用厚胶光刻技术制作大深度微结构元件是一种有效的途径,但厚胶光刻过程中的非线性畸变对光刻面形质量的严重影响限制了该技术的应用,基于此,提出了一种对掩模透射率函数进行校正的方法。分析空间像形成及其在光刻胶内传递、曝光、显影等过程中非线性因素的影响,利用模拟退火算法对掩模透射率函数进行校正,以提高光刻面形质量,并以凹面柱透镜为例,给出了校正前后的显影轮廓模拟结果,其校正后浮雕面形的体积偏差仅为2.63%。该方法在有效改善面形质量的同时,并没有引起掩模的设计、制作难度及费用增加,这对于设计、制作高质量的微结构元件有重要意义。     

格子点上列完全马氏场的刻划

对于格子点上的马氏规范我们引入“转移律”的概念,并证明了列完全马氏场与转移律之间存在一一对应关系。     

散斑条纹的快速高精度处理技术

本文提出一种快速高精度散斑杨氏条纹(斑纹)场处理方法——同态阀值滤波法。用它实现了散斑场条纹的快速、逐点连续高精度处理。     

超大规模集成电路光学光刻技术的现状与展望

光学光刻是目前超大规模集成电路(VLSI)制备中主要的微米和亚微米的图形加工技术,这一技术将继续保持其主导地位成为90年代VLSI发展的关键。本文综述了近年来光学光刻工艺的发展,主要介绍了G线(436nm)、Ⅰ线(365nm)和准分子激光光刻的现状,并对实现高的光学光刻分辨率所必须解决的透镜设计、套准精度和像场面积等问题作了详细描述。最后展望了发展方向、     

A New Holographic Entropy Bound from Conformal Field Theory at the Killing Horizon

A new holographic entropy bound is obtained by using conformal field theory at the Killing horizon.The entropy bound is tighter than the well-known bounds,such as the Bekenstein,Bekenstein-Mayo and‘t Hooft bounds.The result shows that the entropy of a system decreases when quantum effects are included.Therefore,the quantum effect will increase the degree of order of the system.     

重建吸收介质参数(ρ(3),α(3))(英)

本文考虑重建吸收介质的密度ρ（3）和吸收系数α（3）的双参数反演问题。通过波动方程特征积分的方法并引人辅助函数，我们得到了原反问题的一个等价的封闭的积分方程组。利用本文的反演方法，ρ（3）tα（3）可以由反射数据f（t）和透射数据g（t）在深度变量子下同时恢复出来。     

电子直线加速器束流均方根发射度变化方程

本文导出了考虑外场和束流效应后束流均方根发射度平方变化方程的一般表达式,并就仅考虑外场,仅考虑空间电荷场和仅考虑尾场等三种特殊情况进行了分析。     

Realization of Greenberg-Horne-Zeilinger （GHZ） and W Entangled States with Multiple Superconducting Quantum-Interference Device Qubits in Cavity QED

An alternative scheme is proposed for generating the Greenberg-Horne-Zeilinger （GHZ） and W types of the entangled states with multiple superconducting quantum-interference device （SQUID） qubits in a single-mode microwave cavity field. In this scheme, there is no transfer of quantum information between the SQUIDs and the cavity, the cavity is always in the vacuum and thus the requirement on the quality of cavity is greatly loosened. In addition, during the process of the generation of the W entangled state, the present method does not involve a real excitation of intermediate levels. Thus, decoherence due to energy relaxation of intermediate levels is minimized.