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91.
以柠檬酸为碳源,尿素为含氮掺杂剂,采用水热合成法一步合成了具有荧光性能的氮掺杂碳量子点(N-CQDs),并对其进行了表征。2,4-二硝基酚对氮掺杂碳量子点产生荧光猝灭作用,将其作为荧光探针用于2,4-二硝基酚的检测。在2,4-二硝基酚浓度为0.1~20μg/m L范围内碳量子点的荧光猝灭程度与其浓度呈现良好的线性关系,相关系数为0.9979,检出限为0.05μg/m L,回收率在102.0%~110.2%,方法可应用于2,4-二硝基酚快速、灵敏的检测。 相似文献
92.
杨健 《纯粹数学与应用数学》1995,(1)
关于丢番图方程(X+Y)~n=(X+h+1)~n的一个注记杨健(西北工业大学,西安,710068)1962年,柯召、孙传在文[1)中证明了如下结论:当x>l,n>6,h>5时,方程刃’o的解满足1.1447n十0.6866<x+h<!.881n+0.... 相似文献
93.
保持CO2激光的单脉冲能量为61.4~64.6 J,采用高精度冲击摆系统进行了不同气压下吸气模式激光推进冲量耦合系数的实验测试,分析了对应的高度特性。结果表明:气压为2.8×104~1×105 Pa,即距离地面0~10 km时,冲量耦合系数大约3.5×10-4 N·s·J-1,上下波动幅度低于5%;气压低于2.8×104 Pa,即高度大于10 km时,冲量耦合系数呈二次曲线显著下降;当气压降至1×103 Pa,即距离地面约31 km高度时,耦合系数仅为9.7×10-5 N·s·J-1。 相似文献
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97.
98.
氮化硅掩膜法制备选择性发射极晶体硅太阳电池 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用等离子增强化学气相沉积的方法在硅片表面镀一层约80 nm厚的氮化硅掩膜,然后使用传统的丝网印刷工艺将含有一定量磷酸的腐蚀浆料印刷在氮化硅掩膜表面,腐蚀出电极图形,经过三氯氧磷液态源扩散完成重扩,去除氮化硅掩膜后进行浅扩最终实现选择性发射极.丝网印刷腐蚀浆料开窗相对于激光熔融、等离子刻蚀和光刻等方法,具有高的产量、设备投资和运营成本低等优势,容易在现有生产线上实现.最后对比了选择性发射极晶体硅太阳电池和常规太阳电池的电性能和光谱响应,制备的选择性发射极晶体硅太阳电池的短波响应优于常规晶体硅太阳电池,效率提高了0.3;. 相似文献
99.
利用偏光显微镜和扫描电子显微镜研究了等规聚丙烯(iPP)在混合稀释剂中的非等温结晶行为和由热致相分离(TIPS)法制备的iPP微孔材料的结构。iPP的质量分数固定为30%,采用不同配比的邻苯二甲酸二丁酯(DBP)/大豆油组成混合稀释剂。结果表明,混合稀释剂的配比影响体系的粘度和稀释剂与iPP的相容性,进而影响iPP球晶的生长和TIPS法制备的iPP微孔材料结构。在2K/min的降温速率的条件下,iPP球晶半径和球晶的生长速率均随时间的延长呈指数增长,iPP球晶生长速率随混合稀释剂中DBP含量的增加而降低,当iPP球晶生长时间达2min时,混合稀释剂中DBP的质量分数从0增加到60%,iPP球晶生长速率从41.9μm/min降至10.3μm/min,所制得的微孔材料断面均呈蜂窝状结构,且孔径随混合稀释剂中DBP含量的增加有明显增大的趋势。 相似文献
100.