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131.
在多晶Al2O3衬底上化学气相沉积MgB2超导薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了制备MgB2超导薄膜的一种新方法和测量结果,MgB2超导薄膜的制备采用的是两步异位退火方法,但在现有报道的方法不同的是,制备硼(B)先驱膜采用的是化学气相沉积方法,在460℃温度下热分解乙硼烷(B2H6)沉积的,然后镁(Mg)蒸气中分别在730℃、780℃和830℃条件下退火,生成MgB2超导薄膜,扫描电子显微镜观察表明制备薄膜是多晶的,MgB2晶料小于2μm。X衍射分析发现所生长的薄膜是随机取向的。800℃条件下退火生成的MgB2超导薄膜起始转变温度和零电阻温度分别达到35K和24K,结果表明,采用B2H6热分解化学气相沉积B先驱膜的方法在优化的沉积条件和退火条件下可制备高质量的MgB2超导薄膜,我们这种化学气相沉积MgB2超导薄膜方法在大面积的MgB2超导薄膜制备方面较脉冲激光沉积方法具有优势,并且与现有的半导体工艺技术相兼容,有利用实现MgB2超导薄膜在电子器件方面的应用。 相似文献