短纤维取向对Al_2O_(3f) C_f/ZL109复合材料干滑动摩擦磨损性能的影响

利用挤压铸造法制备了 Al2 O3 f Cf/ZL10 9短纤维混杂金属基复合材料 ,并利用统计学方法对比研究了在滑动速度 0 .837m/s、载荷 196 N条件下纤维取向对该混杂复合材料干滑动摩擦磨损性能的影响 .结果表明 :在纤维平行取向和垂直取向时 ,该混杂复合材料的磨损率和摩擦系数均服从正态分布 ;平行取向情况下磨损率均值大于垂直取向下的磨损率 ,而摩擦系数均值小于垂直取向 ;纤维垂直取向有利于复合材料耐磨性能的提高 ,2种取向下复合材料的主要磨损机制均为犁沟磨损     

相位调制激光多普勒频移测量方法的改进

本文对现有相位调制激光多普勒频移测量方法进行了改进,通过定义新的鉴频参量来同时利用相位调制信号直流和交流分量中的有用信息进行多普勒频移测量.由于相位调制信号直流分量中包含着调制信号光的Fabry-Perot干涉仪光强透过率,所以这一改进本质上是将基于Fabry-Perot干涉仪的边缘技术激光多普勒频移测量方法的优势引入到相位调制测量方法中,以提高其自身的性能.理论上证明改进后的相位调制激光多普勒频移测量方法无需对信号光的光强进行测量,所以可以进一步简化探测系统的结构和较少噪声混入的通道.另外,通过对改进前后鉴频和测量灵敏度曲线进行对比,还证明了其具有更高的测量灵敏度和动态范围.实验上对硬目标反射的频移可控信号光进行测量,不但证明了理论的正确性,而且证明了改进后的相位调制激光多普勒频移测量方法,测量动态范围提高约1倍,测量标准偏差降低约35%.     

膜相渗透原位化学聚合法制备PAn/CA复合透膜

采用膜相渗透原位化学聚合法,使苯胺(An)原位化学聚合于醋酸纤维素(CA)基体膜的微孔壁中,得到均匀分布的PAn/CA复合导电透膜.通过研究聚合反应条件对复合透膜的导电性能和CO₂/O₂表观分离性能的影响,获得了制备性能较优的PAn/CA复合导电透膜的适宜条件.结果表明,采用膜相渗透化学原位聚合法制备的PAn/CA复合导电透膜,平均孔径明显变小,孔径分布变窄,具有优于CA基体膜的微孔结构形态.     

氧化剂对PAn/PTFE复合导电膜结构和性能影响的研究

分别以过硫酸铵和正钒酸钠作氧化剂,应用膜相渗透原位化学聚合法制备聚苯胺(PAn)/聚四氟乙烯(PTFE)复合导电膜,比较考察了两种氧化剂条件下膜孔中苯胺的聚合生长行为.扫描电镜、孔径分布及电化学测试结果表明:选用两种氧化剂分别制备的复合膜,均具有较小的膜孔径;与过硫酸铵相比,使用正钒酸钠作氧化剂时,复合膜的结构更为致密,且在保持较高表面电导率(2.62S·cm-1)的同时,断面电导率提高了1～2个数量级,电化学活性增强.     

Spin Hall Magnetoresistance in Pt/BiFeO3 Bilayer

Multiferroic materials are general antiferromagnets with negligibly small net magnetization, which strongly limits their magnetoelectric applications in spintronics. Spin Hall magnetoresistance(SMR) is sensitive to the orientation of the Néel vector, which can be applied for the detection of antiferromagnetic states. Here, we apply SMR on the unique room-temperature antiferromagnetic multiferroic material BiFeO₃(BFO). The angular dependence of SMR in a bilayer of epitaxial BFO(001) an...     

Magnetic Damping Properties of Single-Crystalline Co55Mn18Ga27 and Co50Mn18Ga32 Films

We investigate the structural,static magnetic and damping properties in two Mn-deficient magnetic Weyl semimetal Co-Mn-Ga(CMG) alloy films,i.e.,Co₅₅Mn₁₈Ga₂₇(CMG1) and Co₅₀Mn₁₈Ga₃₂(CMG2),which were epitaxially grown on MgO(001) substrates.CMG1 has a mixing phase of B₂ and L21,larger saturation magnetization(Ms ～760 emu/cm³),stronger in-plane magnetic anisotropy.CMG2 has an almost pure B₂ phase,small...     

超导量子器件片上皮法电容的制备及测量

片上集成电容是超导量子芯片上的核心器件，其数值一般在百飞法(fF)至皮法(pF)范围.采用常规微纳加工技术在蓝宝石基片上制备了铌-氧化硅-铝(Nb/SiO₂/Al)平行板电容.利用刻蚀工艺制备了平行板电容器的下极板Nb,利用剥离工艺制备平行板电容器的上极板Al和介电层SiO₂.室温下利用锁相放大原理和桥式电路原理测定电容大小，两种方法测定电容值基本一致，表明锁相放大原理测试pF级电容的可靠性.利用该电容与铝基约瑟夫森结组成谐振器，制备了中心频率位于4.35 GHz的约瑟夫森参量放大器.在稀释制冷机中10 mK温度下测定直流偏置谐振器的磁通-频率相位图，拟合数据获得的电容值与室温测定电容值接近，表明在mK、GHz条件下工作的片上集成电容可在室温、kHz条件下测定其数值大小.