InGaAs/GaAs单量子阱PL谱的温度变化特性

采用分子束外延方法制备了InGaAs/GaAs单量子阱,利用自组装的光致荧光探测系统,对其进行了光致荧光谱研究。考察了不同温度下荧光峰波长、峰形的影响。研究结果表明:高温时荧光主要是源于带—带间载流子跃迁,而在低温时则来源于束缚在量子阱中激子的跃迁。     

基于正交信号校正和iPLS的烃源岩红外漫反射光谱定量分析

红外漫反射光谱技术越来越普遍地被应用到粉末样品的快速测量分析中,在应用红外漫反射光谱技术对粉末状的烃源岩样品的生烃潜量进行定量分析时,由于样品的颗粒度、 密度、 表面粗糙程度等几何参数的变化对散射光的影响非常大,使得漫反射光谱数据的信噪比很低、 背景干扰很大,这样很难对样品进行定量分析。因此需要一种有效的方法对漫反射数据进行预处理来消除散射的影响,提高信噪比。文章利用正交信号校正算法(OSC)作为一种光谱过滤手段,并与间隔偏最小二乘(iPLS)相结合,有效地消除了粉末状样品散射光的影响,可以显著提高烃源岩红外光谱预测模型的准确性,使得红外漫反射光谱技术在石油录井中有了广阔的应用前景。     

基于金纳米颗粒的裂分型适配体传感器检测三磷酸腺苷

构建了一种基于金纳米颗粒(Gold nanoparticles,AuNPs)的裂分型适配体荧光传感器,用于检测三磷酸腺苷(ATP).将ATP核酸适配体序列分裂为P1和P2两个片段,在P1的5′端修饰荧光基团羧基荧光素(FAM),3′端巯基化修饰的P2通过Au—S键以自组装的方式修饰在AuNPs表面.未加入ATP时,P1...     

金属-砷化镓界面的电调制反射光谱与Franz-Keldysh效应研究

通过调制光谱这种基础的光学方法来研究Au-GaAs,Al-GaAs,Ni-GaAs的金属半导体界面的一些电学性质,并且加以比较,其中包括电场、费米能级扎钉和界面态密度等情况。这些界面是通过在SIN+ GaAs样品上沉积金属(Au,Al,Ni)生长成的。通过观察电反射谱来研究金属GaAs的界面电场和费米能级扎钉的情况,然后通过傅里叶变换这些所取得的电反射谱来分析这些材料的界面性质。通过测量氦氖激光器诱导产生的光电压和激光器光强之间的关系来得到这些材料的界面态密度情况,从而进行进一步的研究。     

基于在线催化-气相色谱/串联质谱技术测定进口氯化石蜡原料中的短链氯化石蜡

采用在线催化-气相色谱/串联质谱技术建立了进口氯化石蜡原料中短链氯化石蜡的测定方法。样品以正己烷为溶剂，固相萃取柱净化分离，采用预先在衬管中填装好催化剂的气相色谱/串联质谱仪进行测定，短链氯化石蜡经催化脱氯加氢后转化为正构烷烃，经DB-5MS UI(30 m×0.25 mm×0.25μm)色谱柱分离，多反应监控(MRM)模式分析检测，内标法定量。还原产物C₁₀～C₁₃直链烷烃线性关系良好，相关系数≥0.9951。C₁₀～C₁₃直链烷烃的方法定量限为0.03～0.05μg/mL,相当于样品中C₁₀～C₁₃的短链氯化石蜡总含量为3.18μg/g。样品加标回收率为87.2%～115.4%,相对标准偏差(RSD,n=6)≤6.5%。本方法具有灵敏度高及准确性好等优点，不需要化学电离源装置的气相色谱/质谱或高分辨气相色谱/质谱即能达到较低的检出限，方法适用于进口氯化石蜡原料中短链氯化石蜡含量的快速测定。