强激光激发下微微秒时间分辨光谱

强激光激发下微微秒时间分辨光谱是最近几年发展起来的研究发光材料在极高密度激发下瞬态发光过程的新实验技术。从最近几年的研究工作看,它可以研究高密度激发下直接带半导体材料中的激子分子发光,激子和激子碰撞发光,高密度电子—空穴等离子体的发光等,还可用来区别激子发光和拉曼散射二次辐射等,由此可见这是一种很有前途的新技术。上述材料中的一些发光现象在低密度激发下是看不到的,当把激发密度提得很高时才表现出     

用高压显微光谱系统研究(Zn_(0.85)Cd_(0.15))S:Cu,Al磷光体在流体静压力下施主-受主对的发光

用金刚石对顶砧高压显微光谱系统在室温和1bar—66kbar的流体静压力范围内研究了(Zn_(0.85)Cd_(0.15))S:Cu,Al磷光体的发光峰位置和相对发光强度随压力而变化的规律。随着压力的增加,发射峰值波长迅速移向短波方向,而发射峰值对应的光子能量随压力增加的速率为4.7meV/kbar(38cm~(-1)/kbar)。这个值比该材料的吸收边随压力增加的速率要小。随着压力的增加,该磷光体的发光峰值相对强度急骤下降,当压力从常压升到66 kbar时,发光峰值相对强度下降到原值的6％。这些结果可以用Al~(3 )-Cu~的施主-受主对模型来解释。本文还估计施主(Al~(3 )和受主(Cu~ )的激活能之和随压力增加的速率为 3.7meV/kbar(30cm~(-1)/kbar)。     

用高压显微光谱系统研究非晶态As_2S_3的光学折射率随流体静压力变化的规律

用金刚石对顶砧高压显微光谱系统在高达66kbar的流体静压力和光谱波段为400—900nm范围内,用透射光干涉谱法测量了非晶态As_2S_3(a-As_2S_3)的光学折射率n与压力p以及波长λ的变化关系。a-As_2S_3的折射率对压力极为敏感,在波长为650nm,压力从1bar变到66kbar时,它增加35％。在计算机上用最小二乘法对实验点进行拟合的结果得到:对某一波长λ来说,遵循n(P)=n(0) Ap Bp~2的非线性关系。其中n(p)和n(0)是p压和常压下的折射率,A和B是与波长有关的系数,文中给出了A和B的具体参数。这个关系与Weinstein和Galkiewicz等人公布的n(p)和p之间遵循线性关系不同。     

固体发光在测定镧系元素微量杂质上的应用

近十几年来,稀土元素在许多科技领域、工业部门(例如激光、原子能、电子学、固体发光、宇宙航行、冶金等)上的研究和应用都取得了很大的进展,与此同时也相应提出了测定稀土元素杂质的课题,特别是高纯稀土元素混合物中镧系元素微量杂质的测定方法就成为日益迫切要解决的问题。目前广泛使用的发射光谱学方法,由于其测     

BZ系列半导体制冷器

1834年法国钟表技师珀尔帖(Peltier)发现,当直流电通过互相连接的两个不同导体时,在接头处除了焦耳热外还要吸收(或放出)热量.这种现象被称为珀尔帖效应. 由于金属的珀尔帖效应是很微弱的,所以当时及以后很长时间内并没有引起人们的重视.随着半导体技术的研究应用,人们发现对某些半导体材料来说,这种现象尤为显著,有了实际应用的价值.自五十年代出现第一个半导体制冷器件以来,它得到世界各国的广泛注意与应用.BZ系列半导体制冷器就是利用珀尔帖效应来制冷的半导体器件. 一、原 理 以化铋(Bi2Te3)为基的固溶体合金是目前性能较好的半导体制…     

美国军用标准可靠性预计手册MIL-HDBK-217C

该书是一本供电子设备可靠性预计用的手册。对电子设备的设计师来说,是一本必备的工具。它在国际上也颇具影响。该手册提供了对电子设备进行可靠性预计的原则、步骤和方法。汇集了美国各类电子元器件(电阻器、电容器、电子管、接插元件、半导体管、半导体集成电路……)的可靠性     

胆结石的FT－Raman光谱研究

胆结石的ＦＴ－Ｒａｍａｎ光谱研究徐智勇，李维红，王立波，许振华，吴瑾光（北京大学化学与分子工程学院，稀土材料化学与应用国家重点实验室北京１００８７１）ＴｈｅＩｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎｏｆＴｈｒｅｅＤｉｆｆｅｒｅｎｔＴｙｐｅｓｏｆＧａｌｌｓｔｏｎｅｓ...     

低温下使用的金刚石对顶砧高压盒和显微光谱系统

自Bridgeman发明套筒活塞高压装置以来,特别是引入金刚石压砧后,高压物理学发展迅速。这种金刚石对顶砧压力盒,简称为DAC,为研究高压下材料的光学性质提供了极大的方便。为进行高压低温研究,目前国内都是将压机浸入液氮中,或向DAC喷浇液氮。这样只能在77K恒温,且必须取出压机后才能加压。