强激光激发下微微秒时间分辨光谱

强激光激发下微微秒时间分辨光谱是最近几年发展起来的研究发光材料在极高密度激发下瞬态发光过程的新实验技术。从最近几年的研究工作看,它可以研究高密度激发下直接带半导体材料中的激子分子发光,激子和激子碰撞发光,高密度电子—空穴等离子体的发光等,还可用来区别激子发光和拉曼散射二次辐射等,由此可见这是一种很有前途的新技术。上述材料中的一些发光现象在低密度激发下是看不到的,当把激发密度提得很高时才表现出     

用高压显微光谱系统测量流体静压力对非晶态As_2S_3光学吸收边的影响

用金刚石对顶砧高压显微光谱系统在0—66 kbar的流体静压力范围内测量了a-As_2S_3的光学吸收达随压力的移动特性。发现a-As_2S_3的光学吸收边随压力的增加而迅速红移。在计算机上用最小二乘法对实验点进行了拟合,结果得出吸收边和压力之间的关系为:E_g(P)=E_g(0)-1.31×10~(-3)P-3.91×10~(-4)P~2 4.04×10~(-6)P~3值得注意的是|dE_g/dP|和压力之间的关系经历了一个先是增大,然后再减小以至于趋于饱和的过程。这和Weinstein等人先前的实验结果是有所不同的。     

201×7树脂去除萝卜甙的研究

本文研究了用201×7树脂去除萝卜红色素提取液中萝卜甙的方法。试验结果表明：201×7树脂对萝卜甙的静态交换容量最大值可达到72．gmg／ml树脂，吸附平衡时间55分钟，最适pH值5．5。用5BV0．05molNaOH溶液可完全洗脱被交换在树脂上的萝卜甙，洗脱流速1．5BV／hr。去除萝卜甙的提取液真空浓缩，喷雾干燥得粉状萝卜红色素产品，E＝4．30。     

报酬无界的连续时间折扣马氏决策规划

本文讨论了报酬函数夫界，转移速率族一致有界，状态空间和行动集均可数的连续时间折扣马氏决策规划，文中引入了一为新的无界报酬函数，并在一新的马氏策略类中，证明了有界报酬下成立的所有结果。讨论了最优策略的结构，得到了该模型策略为最优的一个充要条件。     

用高压显微光谱系统研究(Zn_(0.85)Cd_(0.15))S:Cu,Al磷光体在流体静压力下施主-受主对的发光

用金刚石对顶砧高压显微光谱系统在室温和1bar—66kbar的流体静压力范围内研究了(Zn_(0.85)Cd_(0.15))S:Cu,Al磷光体的发光峰位置和相对发光强度随压力而变化的规律。随着压力的增加,发射峰值波长迅速移向短波方向,而发射峰值对应的光子能量随压力增加的速率为4.7meV/kbar(38cm~(-1)/kbar)。这个值比该材料的吸收边随压力增加的速率要小。随着压力的增加,该磷光体的发光峰值相对强度急骤下降,当压力从常压升到66 kbar时,发光峰值相对强度下降到原值的6％。这些结果可以用Al~(3 )-Cu~的施主-受主对模型来解释。本文还估计施主(Al~(3 )和受主(Cu~ )的激活能之和随压力增加的速率为 3.7meV/kbar(30cm~(-1)/kbar)。     

非晶态Fe_(13.3)Ni_(69.6)B_(16.2)Si_(0.9)的结构驰豫

本文讨论了非晶合金Fe_(13.3)Ni_(69.6)B_(16.2)Si_(0.9)的结构弛豫动力学及可逆弛豫过程,研究了各种热处理引起居里温度T_C的变化。发现经长时间退火后T_C趋于平衡值且动力学可通过弛豫时间连续谱加以描述。可逆弛豫过程可用CSRO来说明,并且某一物理量的可逆变化并不意味着整个结构的变化是可逆的。     

A Base-Emitter Self-Aligned Multi-Finger Sil-xGex/Si Power Heterojunction Bipolar Transistor

With a crystal orientation dependent on the etch rate of Si in KOH-based solution, a base-emitter self-Migned large-area multi-finger configuration power SiGe heterojunction bipolar transistor （HBT） device （with an emitter area of about 880μm^2） is fabricated with 2μm double-mesa technology. The maximum dc current gain is 226.1. The collector-emitter junction breakdown voltage BVcEo is 10 V and the collector-base junction breakdown voltage BVcBo is 16 V with collector doping concentration of 1 × 10^17 cm^-3 and thickness of 400nm. The device exhibited a maximum oscillation frequency fmax of 35.5 GHz and a cut-off frequency fT of 24.9 GHz at a dc bias point of Ic = 70 mA and the voltage between collector and emitter is VCE = 3 V. Load pull measurements in class-A operation of the SiGe HBT are performed at 1.9 GHz with input power ranging from OdBm to 21 dBm. A maximum output power of 29.9dBm （about 977mW） is obtained at an input power of 18.SdBm with a gain of 11.47dB. Compared to a non-self-aligned SiGe HBT with the same heterostructure and process, fmax and fT are improved by about 83.9% and 38.3%, respectively.     

稀土发光体——十五年的回顾

本文将着重谈谈从早先稀土发光体刚被发现是实用材料起,经过商品化,直到今天为止这样一整个时期中,作者本人从事过的研制稀土发光体方面的问题。本文将提供在一个有时是艰辛的过程中某些很少为人知道,但却是重要的一些细节,这些过程使得商业上最终接受了一些历史上被认为是稀奇古怪的材料。     

兰州放射性核束流线 *

描述了兰州重离子加速器国家实验室最近建成并已投入运行的新装置———兰州放射性核束流线 (RIBLL) .RIBLL是PF型双消色差反对称结构放射性核束分析设备 ,它的立体角接收度≥ 6 .5msr,动量接受度± 5 % ,最大磁刚度4.2Tm ,元素分辨>150 ,质量分辨>300 ,最短分辨时间 <1μs.初级束流的入射角在 0°～ 5°范围可调 .RIBLL已为第一批物理实验提供¹⁷N ,⁸He等多种放射性核束流 .     

RIBLL束流诊断

描述了兰州放射性离子次级束流线(RIBLL)上研制并安装使用的放射性束流(RIB)诊断装置的种类、结构、性能及在AIBLL上的位置和功能.重点叙述了以光纤为基础的几种诊断元件,它们探测效率高、响应时间快、制作容易、性能稳定.给出了RIB¹⁷N等高图,说明诊断装置辅助MBLL得到RIB的水平.