原料对DKDP晶体生长习性及光学性能的影响

通过传统降温法,利用不同原料从氘化程度为85;的溶液中生长DKDP晶体并对加工样品进行了相关测试.研究了不同原料对DKDP晶体的生长和光学性能的影响.实验表明:采用高纯原料所得DKDP晶体的光学性能提高,但其晶体生长容易出现外扩现象.     

基于Tr(o)ger's Base 的强荧光化合物纳米晶的尺寸效应

利用再沉淀法制备了极性不同的两种基于Tr(o)ger's碱的化合物:4,13-二(4-联苯)-6,6,11,11-四丁基-9H,18H-8,17-甲基二芴(2,3-b:2',3'-f)(1,5)二氮芳辛(TBFB-BP)和4,13-二(4-N,N-二苯基苯胺)-6,6,11,11-四丁基-9H,18H-8,17-甲基二芴(2,3-b:2',3'-f)(1,5)二氮芳(TBFB-TPA) 的有机纳米晶.由于Λ-扭折构型的空间位阻作用,这两种化合物在溶液、纳米粒子悬浊液和固态粉末下均显示出强蓝色荧光. 随着化合物纳米粒径的增加,TBFB-BP纳米粒子悬浊液的吸收光谱红移,发射光谱增强,这可能是由于随着纳米粒径的增加,纳米粒子的晶格刚性增强,使其振动驰豫降低.但是对于极性更强的TBFB-TPA来说,由于溶剂效应,其发射光谱随着粒径的增大逐渐蓝移.此外还讨论了分子极性对尺寸效应的影响.     

化学溶液分解法制备(Bi0.8Ce0.2)2Ti2O7薄膜及性能研究

采用化学溶液分解法(CSD)在p型Si<100>衬底上制备了(Bi0.8Ce0.2)2Ti2O7薄膜,采用X射线衍射技术研究了薄膜的结构和结晶性.研究表明:Ce3+部分取代Bi3+能够显著提高Bi2Ti2O7薄膜的相稳定性.同时还研究了薄膜的电容-电压特性、介电常数、介电损耗.结果表明,该薄膜具有良好的介电特性.     

用于细胞核成像的2,7-BHVC双光子荧光探针

分别合成了2,7-双(1-羟乙基-4-乙烯基吡啶) 咔唑碘盐(2,7-BHVC)与3,6-BHVC, 进行了荧光性能和细胞核成像测试, 结果表明, 2,7位的Ф×δ是3,6位的2.8~3.6倍, 染色实验也证实了2,7-BHVC有特定成像细胞核的能力.     

LD泵浦Nd∶GdVO4/GaAs被动调Q激光器研究

报道了采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶GdVO4晶体,利用GaAs晶片兼作饱和吸收被动调Q元件和输出耦合镜,实现了1.06 μm激光的被动调Q运转.在泵浦功率为13.9 W时,获得最高平均输出功率为3.6 W,脉冲宽度为252 ns,单脉冲能量为27 μJ以及峰值功率为107 W的激光脉冲.     

晶体生长的缺陷机制

晶体生长是一个复杂的相变过程。自80年代以来,闵乃本及其研究组系统地研究了晶体生长的缺陷机制。在理论分析和实验观察的基础上,他们发展了晶体生长的位错机制（包括刃位错和混合位错机制）,层错机制,孪晶机制、重入角机制以及重入角生长和粗糙界面生长的协同机制。根据这些机制可以得出结论：任何可以在晶体生长表面提供台阶源的缺陷都能为晶体生长作出贡献,这些台阶源包括完全台阶和不完全台阶（亚台阶）,近年来,P.Bennema及其合作者系统地研究了在照相工业中广泛应用的卤化银和金属银的晶体生长机理,在大量实验事实和理论分析的基础上,他们认为亚台阶理论（称作闵氏理论）不仅可适用于溶液生长,也适用于气相生长的机理研究;不仅适于作理论分析,而且可用于寻求最佳生产条件的指导,亚台阶理论是晶体生长的一个普适理论,文章介绍了闵乃本及其研究组提出理论及P.Bennema研究组近年来在这方面的工作进展。     

用ZCTC晶体倍频半导体激光的紫光输出

报道了新型金属络合物非线性光学材料ZCTC（硫氰硫锌镉）晶体的光学性质。测量了ZCTC晶体的折射率,计算了其相位匹配角度。进行了半导体激光（LD）室温下直接倍频实验。当808nm基频GaAlAs半导体激光功率为473mW时,获得了390μW、4040μnm紫光输出。实验表明ZCTC晶体是一种优良的半导体激光倍频紫外非线性光学材料。     

(Me3NEt)[Pd(dmit)2]2和(NEt4)[Pd(dmit)2]2 的结构、能带及导电性

合成了导电分子晶体(Me₃NEt)[Pd(dmit)₂]₂和(NEt₄)[Pd(dmit)₂]₂ , 测定了它们的晶体结构和电导-温度曲线. 在能带计算基础上解释了(Me₃NEt)[Pd(dmit)₂]₂的室温电导率(δ = 58(Ω·cm)^-1)高于(NEt₄)[Pd(dmit)₂]₂ (δ = 2.2(Ω·cm)^-1)的原因. (Me₃NEt)[Pd(dmit)₂]₂属单斜晶系, P2₁/m空间群; (NEt₄)[Pd(dmit)₂]₂ 属三斜晶系, P 空间群. 两种晶体的导电组元皆为平面型配位阴离子[Pd(dmit)₂]^0.5-, 它们以面对面形式的二聚体 存在. 凭借肩并肩形式的S…S分子间相互作用, 二聚体进一步形成二[Pd(dmit)₂]₂^1-维导电分子层. 两种配合物的二维导电分子层的微小结构差异导致电导率一个数量级的差别. 变温电导测定还表明, 两种晶体皆为小能隙的半导体.     

Cl,Cl~-和MCl(M=H,Li,Na,K)对内对间相关能的规律性

通过对内对间相关能的计算,发现Ｃｌ,Ｃｌ－及其化合物中的Ｋ电子层的对内相关能基本上是一常数,而且Ｃｌ的Ｋ,Ｌ层电子层内相关能和它们之间的层间相关能也变化很小．另外,所研究的ＭＣｌ系列化合物中Ｃｌ价电子对相关能的贡献是跟ＭＣｌ的离子性有关,即随着化合物离子性的增加而增加,但其相关能最大不大于Ｃｌ离子的,最小不小于Ｃｌ原子的．这些规律对人们考虑一些化合物的相关能,以至化学反应能量很有参考意义．     

HF,Ne等电子体系对内对间电子相关能的比较研究

采用MELD程序ROHF－OPT1方法在MP2/6-311++G(d)水平上,计算了HF分子基态1^∑和Ne原子基态1^S的对内对间电子相关能,并对两等电子体系的对相关能进行了分析和比较,深入研究两等电子体系对内对间相关能所具有的共同规律和存在的差异性,通过比较说明分子内的化学键是影响电子相关能的重要因素之一。HF分子和Ne原子两体系三重激发和四重激发对体系电子相关能的贡献的计算结果表明高激发项对电子相关能的贡献在精确量子化学计算中是不可以忽略的。