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81.
Y1-xPrxCu3O7-δ系列样品,在x=0时,Tc-90K,电阻率ρ随温度线性变化,x=0.1,0.3,0.4,0.45时,电阻率ρ分别在140K,175K,185K,195K以下温区,向下偏离线性,出现自旋能隙打开现象。 相似文献
82.
83.
为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R<R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R>R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低.
关键词:
纳米导线
场发射
增强因子
阵列数目 相似文献
84.
Eu(DBM)_3TPPO的晶体结构和荧光光谱 总被引:2,自引:0,他引:2
C_(63)H_(51)O_7PEu,三斜晶系,空间群,a=12.336(3),b=18.729(5),c=11.502(3),α=95.86(2),β=103.14(2),γ=87.89(2)°,Z=2,D_x=1.39gcm~(-3)。用6989个I>3σ(I)的可观察衍射数据对72个非氢原子的原子坐标和各向异性温度因子进行全矩阵最小二乘精修,最终的偏离因子R=0.055。中心离子Eu(Ⅲ)由七个氧原子配位,配位多面体为畸变的单帽三棱柱体,帽位由TPPO的氧原子占据,Eu—O原子间距在2.305(4)—2.367(4)之间。77K下测定了配合物的高分辨激光激发和发射光谱,结果表明配合物中Eu(Ⅲ)离子有两种格位,一具C_(2v)点对称性,另一具C_s点对称性。具有较低对称性C_s的物种在配合物中占绝对优势。77K下还记录了掺1%铕的配合物Gd(DBM)_3TPPO的发射光谱,结果表明Gd(Ⅲ)离子具有与标题化合物中Eu(Ⅲ)离子相同的格位。 相似文献
85.
契伦柯夫自由电子激光可以产生远红外相干受激辐射。本文建立了契伦柯夫自由电子激光的动力学理论并详细研究了初始信号频率,电子束电压和束—介质膜间隙对器件性能的影响。与自由电子激光,回旋自谐振脉塞比较,指出了短波契伦柯夫自由电子激光的几个显著特点。 相似文献
86.
旋转不变振幅位相合成圆谐滤波器 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了振幅位相合成圆谐滤器用于旋转不变模式识别,该滤波器的振幅是圆谐滤波器的振幅谱加偏移量后的逆函数,位相是圆谐滤波器的位相谱。计算机模拟实验证明,与传统的圆谐滤波器和纯位相圆谐滤波器相比,振幅位相合成圆谐滤波器具有更好的识别能力,能产生更尖锐的相关峰和更大的输出信噪比。 相似文献
87.
本文针对多目标规划 ( VP)的 Lagrange对偶规划 ( VD) ,从几何直观的角度出发 ,给出对偶规划( VD)的二阶最优性条件 ,即对偶二阶条件 ,并证明了相应的最优性定理 . 相似文献
88.
89.
对称半导体光放大器马赫—曾德尔干涉仪解复用器的开关特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
分析以以半导体光放大器(SOA)为基础的对称马赫-曾德尔干涉仪(MZI)解复用器在控制脉冲和信号脉冲反向传播(CPMZ)与同向传播(TPMZ)两种工作模式下的开关特性。研究表明:控制脉冲宽度、半导体光放大器的长度和非线性增益压缩影响着控制脉冲和信号脉冲反向传播开关窗口的大小,是限制控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作的主要因素。当控制脉冲宽度小于半导体光放大器的渡越时间时,如时延量小于于两位的半导体光放大器渡越时间,控制脉冲和信号脉冲以向传播的峰值开关比开始恶化;当控制脉冲宽度超过半导体光放大器的渡越时间时,即使时延量大于两倍的半导体光放大器滤越时间,峰值开关比也出现恶化。因此当控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作时,控制脉冲应尽可能窄,且时延量必须大于两倍的半导体光放大器渡越时间以确保有较高的峰值开关比,而半导体光放大器长度效应对控制脉冲和信号脉冲同向传播的影响甚微。 相似文献
90.
比磁化率(x)和顺磁共振谱数据测定表明,含9种不同稀土的复合锰系氧化物Ln_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3(Ln=Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho和Er)均为顺磁性物质,而La_(0.7)Sr_(0.3)MNO_3具有铁磁性。在200℃,80mT外磁场下,上述样品的氧吸附量(M)均有不同程度的提高。将比磁化率(x)~(2/3)与比表面(As)的乘积对氧吸附量变化值(ΔM)作图,得到以f电子数=7为分界的两分组线性图,并对此进行了讨论。 相似文献