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本文研究了3-(1-氢多氟烯基)-1-氧代-2,4,1-苯并噁嗪1与几种双亲核试剂的反应。化合物1与乙二胺反应生成7-氟烷基-1,4-二氮杂卓[1,2-d]喹唑啉-11-酮;在吡啶溶剂中与盐酸羟胺反应得到了2-氟烷基异噁唑[3,2-b]并喹唑啉-9-酮;与邻苯二胺反应得到2-氟烷基苯并咪唑类化合物。 相似文献
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根据密度泛函理论对钴掺硫化锌周围的品格进行了结构优化,计算得到了钴杂质周围的晶体结构、电子态密度分布和吸收光谱.计算结果表明,由于Co原子掺入ZnS晶格常数减小,导致晶格畸变;带隙变窄;吸收峰展宽至更长波长区域. 相似文献
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84.
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Pseudo-Spin-Valve Trilayer Using Amorphous CoNbZr Layer: Giant Magnetoresistance, Domain Structures and Potentials for Spin-Electronic Devices 下载免费PDF全文
We propose a pseudo-spin-valve (PSV) trilayer using amorphous CoNbZr Mloy for soft magnetic layers. The giant magnetoresistance (GMR), domain structures and their variation upon thermal annealing are investigated. The GMR effect is not only stable up to 300℃ but also enhanced due to the improvement of the interfaces between Cu and magnetic layers. With high annealing temperature, the magnetoresistance (MR) ratio decreases rapidly as a result of serious layer interdiffusion. Dense stripe domains, which disappear after annealing at 300℃ for 1h, are observed in the sandwiched films. It is found that after patterning to elliptic stripe with aspect ratio of 6:1, the trilayers have a single domain and their MR ratio increases. The dynamic MR behaviour under an ac magnetic field indicates that the patterned stripes have good linear MR responses. Therefore, it is believed that the CoNbZr/Cu/Co PSV trilayers have strong potentials for spin-electronic devices including magnetic random access memory. 相似文献
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醇体系中合成CuGaS2纳米晶及其形貌演变 总被引:1,自引:0,他引:1
以CuCl2·2H2O,自制的GaCl3和(NH2)2CS为原料,在乙二醇体系中合成了花状结构的CuGaS2纳米晶.产物分别用X射线粉末衍射仪、透射电子显微镜、场发射扫描电子显微镜、高分辩透射电子显微镜和X射线光电子能谱仪进行了表征.实验结果表明,220℃反应24 h得到均匀的花状纳米结构CuGaS2,它是由厚度80-100 nm的片晶组成.同时,通过反应时间的控制,可以清楚的看到由纳米颗粒到纳米球以及花状纳米结构的演变过程.另外,研究了反应温度、反应时间、溶剂等对产物和形貌的影响.此外,对花状结构纳米晶的生长机理进行了初步的探讨.室温荧光光谱表明,随粒径的降低,发光位发生了部分蓝移. 相似文献
88.
桥环化合物环数的计算方法 总被引:2,自引:0,他引:2
总结了 7种计算桥环化合物环数的方法。重点介绍了由A .Srikrishna提出的一种简便方法 ,并将此法应用于有机杂环化合物环数的确定 ,得到了满意结果 相似文献
89.
Moessbauer studies on the effect of substitution with 3% Al, Co, Mn atoms in the intermetallic compound of Hf0.8Ta0.2Fe2 are reported. The Al substitution leads to increase of the FM-AFM transition temperature and to decrease of the AFM-PM transition temperature. The Co substitution leads to disappearance of the FM state, only showing some FM impurity component, while Mn substituted compound indicates coexistence of FM and AFM states at low temperature. The phenomena imply complex itinerant electron properties in these magnetic systems. 相似文献
90.