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81.
The closed-orbit and the photoabsorption spectra of the Rydberg hydrogen atom between two parallel metallic surfaces 下载免费PDF全文
Using the closed orbit theory, we study the classical motion and calculate the
photoabsorption spectra of Rydberg hydrogen atom between two parallel metallic
surfaces. The results show that the metallic surfaces have a significant effect
on the photoabsorption process. When the distances between the hydrogen atom
and the two metallic surfaces are close to a critical value dc, the number
of the closed orbits is the greatest. When the distance larger or smaller
than dc, the number of the closed orbits decreases and the absorption
spectra are shown to exhibit a damping oscillation. This work is an
interesting new application of closed-orbit theory and is of potential
experimental interest. 相似文献
82.
将超导离子源提供的10-20keV/q Ar16 和Ar17 离子入射到Zr金属表面,在相互作用中产生的X射线谱表明,高电荷态Ar16 离子在金属表面中性化过程中有可能存在多电子激发,使Ar16 的K壳层电子被激发形成空穴,在退激过程中发射特征Kα-X射线.空心原子Ar的K层发射X射线强度随入射离子的动能而减弱,靶原子Zr的L壳层发射X射线强度随入射离子动能的增加而增强.Ar17 的单离子的Kα-X射线产额比Ar16 单离子的Kα-X射线产额大5个数量级. 相似文献
83.
自旋轨道耦合是电子自旋与轨道相互作用的桥梁, 它提供了利用外电场来调控电子的轨道运动、进而调控电子自旋状态的可能. 固体材料中有很多有趣的物理现象, 例如磁晶各向异性、自旋霍尔效应、拓扑绝缘体等, 都与自旋轨道耦合密切相关. 在表面/界面体系中, 由于结构反演不对称导致的自旋轨道耦合称为Rashba自旋轨道耦合, 它最早在半导体材料中获得研究, 并因其强度可由栅电压灵活调控而备受关注, 成为电控磁性的重要物理基础之一. 继半导体材料后, 金属表面成为具有Rashba自旋轨道耦合作用的又一主流体系. 本文以Au(111), Bi(111), Gd(0001)等为例综述了磁性与非磁性金属表面Rashba自旋轨道耦合的研究进展, 讨论了表面电势梯度、原子序数、表面态波函数的对称性, 以及表面态中轨道杂化等因素对金属表面Rashba自旋轨道耦合强度的影响. 在磁性金属表面, 同时存在Rashba自旋轨道耦合作用与磁交换作用, 通过Rashba自旋轨道耦合可能实现电场对磁性的调控. 最后, 阐述了外加电场和表面吸附等方法对金属表面Rashba自旋轨道耦合的调控. 基于密度泛函理论的第一性原理计算和角分辨光电子能谱测量是金属表面Rashba自旋轨道耦合的两大主要研究方法, 本文综述了这两方面的研究结果, 对金属表面Rashba自旋轨道耦合进行了深入全面的总结和分析. 相似文献
84.
采用第一性原理方法对O原子在过渡金属Ir(100)表面吸附能和电子结构随覆盖度变化进行了理论研究,并与类似体系结果进行对比分析.研究结果表明:氧原子在不同过渡金属表面吸附强弱与金属表面d态电子结构密切相关,且在不同过渡金属(111)表面氧原子吸附能与Pt(111)表面的氧原子吸附能拟合结果呈线性关系. 相似文献
85.
86.
基于高入射能量电子产生二次电子发射的物理过程, 分别对高入射能量电子产生的真二次电子和背散射电子的概率进行理论分析与建模. 利用Bethe能量损失模型和内二次电子逸出概率分布, 推导出高入射能量电子产生有效真二次电子发射的系数与入射能量的关系式; 根据高入射能量电子在材料内部被吸收的规律, 推导出高入射能量电子产生背散射电子的系数与入射能量之间的关系式. 结合两者得到高入射能量下金属的二次电子发射模型. 利用该模型计算得到典型金属材料Au, Ag, Cu, Al的二次电子发射系数, 理论计算结果与采用Casino软件模拟金属内部散射过程得到的数值模拟结果相符.
关键词:
二次电子发射
高入射能量
金属表面
散射过程 相似文献
87.
By using the closed orbit theory, the photodetachment cross section of H^- near a metal surface is derived and calculated. The results show that the metal surface has great influence on the photodetachment process. As the ion-surface distance is very large, the influence of the electrostatic image potential caused by the metal surface becomes small and can be neglected. The period, action, and length of the detached electron's closed orbit are nearly the same as the case of the photodetachment of H^- near an elastic interface. However, with the decrease of the ion-surface distance, the influence of the metal surface becomes significant. The amplitude of the oscillation in the photodetachment cross section becomes complicated. Each resonance peak in the Fourier transformed cross section is associated with one electron's closed orbit. Unlike the case of the photodetachment of H^- near an elastic interface, the length of the closed orbit does not equal the twice distance between the ion and the surface. But with the increase of the ion-surface distance, the length of the closed orbit approaches the case of the closed orbit near an elastic interface, which suggests the correctness of our method. This study provides a new understanding on the photodetachment process of H^- in the presence of a metal surface. 相似文献
88.
89.
The circular-like sidewall and trench around the periphery of the crater are obtained on Zinc metal surface subjected to fewer than 200 cumulative pulses laser ablation.These patterns can be attributed to the higher secondary heating by regular plasma spherical pressure.The 600 pulses laser ablation,however,results in the formation of undesirable bulk wrinkles of super-heated liquid at the side of the trench.These features may be applied in micro-manufacturing of high localizability and selectivity using laser zone texturing. 相似文献
90.
采用密度泛函理论结合平板周期性模型研究了H原子在δ-Pu(100)面上的吸附行为.方法为广义梯度近似(GGA),同时考虑了自旋极化和无自旋极化两种情况.通过对不同吸附位置的吸附能和平衡几何结构比较发现, 吸附属于较强的化学作用, 心位吸附最稳定,桥位次之,顶位最不稳定.在无自旋极化水平,H原子吸附位距离Pu表面0.063 nm,吸附能-3.16 eV.考虑自旋极化时,H原子位于Pu表面正上方0.060 nm处,吸附能为-2.26 eV.与H配位的Pu原子数目是决定吸附过程的主要因素,配位的Pu原子数目越多,吸附越稳定.Mulliken电荷布局分析表明H和Pu表面的作用主要发生在第一层,另外两层几乎没有影响.H原子在钚表面的吸附造成了钚金属表面功涵的明显增加. 相似文献