铁铬合金空蚀过程的研究

研究了4种铁铬合金在氯化钠溶液体系中的空泡腐蚀行为.重点考察合金性能及空泡作用区的相对面积对合金空蚀损失量的影响.结果表明:合金空蚀损失量随空泡作用区与非空泡作用区表面面积比的增大而增加;合金的耐蚀性和机械性能同时影响其空蚀损失量.     

缓蚀剂在N80钢上吸附行为研究

应用极化曲线和交流阻抗技术研究了 4种缓蚀剂在N80钢基体和碳酸亚铁膜上的吸脱附行为 .实验表明 ,对同一种缓蚀剂 ,其在N80钢光洁表面和在腐蚀产物膜上的吸附力强度不同 ,而酸性缓蚀剂和小分子缓蚀剂在N80钢光洁金属表面和碳酸亚铁膜上各表现出不同的缓蚀行为     

海生物附著对钢板管椿腐蚀之影响

为了解海生物对钢板管椿腐蚀之影响 ,将SS4 1金属试片浸渍于高雄港 #1 4码头水深 3m处及实验室人造海水中 .试验期间 ,以DC直流动电位极化曲线扫描与AC交流电阻抗分析现场量测各试片的瞬间腐蚀速率 .结果发现 :宏观地看 ,海生物在金属 (或锈层 )表面的附著可以减缓金属腐蚀 ,但从微观 (micro)的观点推论 ,海生物在金属表面的附著亦可以造成氧差或浓度差异电池 ,促成局部腐蚀 .此外 ,等效电路的模拟 ,有助于了解海生物附著对金属腐蚀的影响 ,即随浸渍时间的延长 ,金属表面因锈层增厚且趋于致密 ,以致锈层电阻增加 ;又因海生物种类不同 ,含水量不同 ,海生物电阻可能会有极大的差异     

提高单晶炉真空密闭性能的探讨

晶间腐蚀、应力腐蚀和缝隙腐蚀,是单晶炉炉室发生水渗漏的主要原因,因而是制造过程中材料选择、热加工工艺、机械设计与加工以及设备使用中要特别予以关注的问题.在至少380℃以上温度进行热时效会强化材料的晶间敏化趋向,较合理的措施是进行振动时效处理.结构设计中还应对炉室工作时的热应力及其作用加以考虑,热场设计中应对炉室内壁材料的晶间敏化问题和单晶棒产生的热辐射予以重视.纯净的冷却水是防止或减少腐蚀的重要条件.     

铜电路板缝腐蚀过程缝隙中pH、Cl-浓度分布的测量

根据铜电路板缝腐蚀特征,研制了阵列式Ag/AgCl、IrO2电极,设计缝隙腐蚀模拟装置,在0.5mol.L-1的NaCl溶液中分别同时原位检测电子线路板缝隙腐蚀过程,缝隙内的氯离子浓度分布、pH分布及其随时间的变化.研究表明,在电子线路板发生缝隙腐蚀的过程中,缝隙内部不同深度的Cl-及H+浓度逐渐增大,且随着与缝口距离的增大而增大,从而导致缝隙腐蚀不断向纵深方向发展.     

近红外半导体材料HgInTe的缺陷腐蚀

研究了HgInTe的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgInTe的腐蚀液,并对腐蚀原理做了分析.利用该腐蚀液对HgInTe晶体内部的缺陷种类和分布进行了研究.结果表明,垂直轴向切割的HgInTe晶片腐蚀后的位错蚀坑呈近等腰三角形.在本实验条件下,位错蚀坑密度EPD(etch-pit density)约在105/cm2数量级.HgInTe晶体中的位错墙主要以边重叠和角重叠两种方式排列而成.HgInTe中存在少量由内应力引起的微裂纹.该腐蚀液能有效地显示HgInTe晶体不同晶面的多种缺陷,腐蚀效果较好.     

温度对铅阳极膜电化学性能的影响

利用线性电位扫描法、交流伏安法、电化学阻抗谱(EIS)及Mott-Schottky方程, 研究了温度对纯铅在4.5 mol/L H₂SO₄溶液中形成的阳极腐蚀膜电性能的影响. 结果表明: 温度对膜电化学性能具有显著的影响, 随着温度的升高, 膜的电阻增加, 孔隙率增加, 传递电阻减小. EIS结果表明膜的生长遵循固相机理, Mott-Schottky曲线显示腐蚀膜呈现n型半导体特性, 随着溶液温度升高, 膜内的施主密度减小.     

电偶腐蚀引起的30CrMnSiA钢力学性能的退化

研究了TC4钛合金与30CrMnSiA合金钢耦接后,其电偶腐蚀对电偶对中阳极30CrMnSiA合金钢力学性能的影响。结果发现:随着时间的延长,30CrMnSiA合金钢因电偶腐蚀引起合金钢厚度减薄量不断增加,使得30CrMnSiA合金钢的力学性能因合金钢有效承载尺寸减小而降低;与拉伸载荷变化趋势相比,由于腐蚀作用,30CrMnSiA合金钢的表面硬度降低更为明显。     

硅烷改性纳米ZrO2对镁锂合金表面环氧树脂涂层耐蚀性能的影响

采用涂覆法在镁锂合金表面制备了含双-[3-(三乙氧基硅)丙基]四硫化物(KH-69硅烷)改性纳米ZrO₂的环氧树脂涂层. 通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)、 扫描电子显微镜(SEM)和电化学阻抗谱(EIS)等手段表征了该涂层. 考察了KH-69硅烷改性纳米ZrO₂浓度对环氧树脂涂层耐蚀性能的影响. 结果表明, KH-69硅烷改性纳米ZrO₂能显著提高镁锂合金表面环氧树脂涂层的耐腐蚀性能, 其中1.0%(质量分数) KH-69硅烷改性纳米ZrO₂环氧树脂涂层具有较好的耐蚀性能. 在NaCl溶液中浸渍528 h后的低频阻抗值为1.6×10⁹ Ω·cm², 相比在NaCl溶液中浸渍240 h的纯环氧树脂涂层提高约5个数量级.     

自发形核生长的AlN单晶湿法腐蚀研究

采用湿法腐蚀工艺,使用熔融态KOH和NaOH作为腐蚀剂,对一种物理气相传输(PVT)自发形核新工艺在2100~2250 ℃条件下生长的AlN单晶进行了腐蚀实验.通过实验及扫描电子显微镜(SEM)结果分析,得到了典型的AlN单晶c面、r系列面及m面最佳的腐蚀工艺参数及腐蚀形貌.另外,基于腐蚀形貌分析,发现了采用该自发形核新工艺生长的AlN晶体某些独特习性并计算出AlN单晶腐蚀坑密度(EPD).