显色反应的量子化学研究——Ⅰ.胶束增溶三元络合物中表面活性剂的微扰作用初探

由于胶束增溶三元络合物的应用日益增长,表面活性剂作用机理的研究显得越来越重要了。人们在这领域已进行了许多研究,如西田宏的拟均相萃取理论;小原人司的电荷集合体电场吸附模型;萨文的单分子作用理论等等。尤其值得注意的是慈云祥等最近提出的协同微扰理论,认为金属离子和表面活性剂作为两个电场,从铬天青S分子两端靠近,对铬天青S分子产生协同微扰,从而造成铬天青S分子完全去质子化。     

半序线性空间的凸锥分离定理及其应用

本文首先对于半序线性空间给出一个与凸集分离定理等价的定理,它对讨论凸向量规划的弱有效解问题是很方便的.本文的结论与史树中的结论完全平行.不过两篇文章是从不同的角度考虑问题,一个讨论绝对极值问题,另一个讨论相对极值问题;两篇文章,哪一篇都不能直接推出另一篇来.而且证明方法上很不一样.     

固体量子振荡的发现和费米面的研究

自从 1911年荷兰著名物理学家 Onnes发现了金属的超导电性以后,固体在低温下的物理特性引起了人们的广泛重视.由于第一次世界大战而不得不中断的研究工作,在二十年代初很快就恢复了起来.由Onnes 一手创建的莱顿大学低温实验室,成为当时世界上最著名的低温实验中心. 1926年,25岁     

特凸球面分划镜的制造

我国新设计的一种新式高射机枪配的光学瞄准镜,有一块特凸的双胶合球面分划镜,这种胶合球面分划镜是由一块在凸面刻有分划线条并着锌白的分划镜和一块在凹面上由照相复印所得银线条的分划镜胶合而成,两块球面分划镜的几何尺寸及主要技术要求如图1所示:     

从Riemann积分到Lebesgue积分——用完备化思想建立Lebesgue积分(连载)

用距离空间完备化思想,通过极限过程,借助于连续函数的Reimann 积分建立Lebes-gue 积分理论,包括积分收敛定理和空间L~P(a,b)的理论.编者不直接利用完备化定理的结论,也不要求读者事先了解完备化定理.因此读者在阅读本文时不会感到抽象.仅在最后以距离空间完备化的观点对全部工作作了简短的评注,了解完备化思想的读者会对本文有更深的理解.同时编者又认为,作为实变函数的一种可供选取的教材,这仍不是一种最好的方案,也不会完全取代目前通用的教材.但是编者愿意借这个机会,就实变泛函教材的改革(特别以工科大学生、研究生为对象的教材)与大家一起开展讨论.Lebesgue 积分是近代数学的重要基础,是联结初等微积分与近代分析的桥梁。本文从连续函数及Riemann 积分出发,通过将极限过程直接定义Lebesgue 积分,力图以较小的篇幅向读者介绍Lebesgue 积分理论。文中所贯穿的空间完备化的思想将指导读者进一步学习近代分析数学的理论.阅读本文仅要求读者了解集合论的基础知识。     

YBa_2Cu_3O_(7-δ)陶瓷超导体的颗粒超导电性特征

通过测量 YBa_2Cu_3O_(1-δ)单相多晶样品的结构、超导电性、磁阻、Hall 效应以及交流磁化率等特性,系统地研究了其颗粒超导电性以及输运性质.首次观察到了负磁阻效应、迴滞、Hall 系数反常等现象.就晶粒间界对样品电子输运特性和超导电性产生重大影响的物理起源作了分析,还给出了有关其电子结构和超导电性的一些特征参数.     

掺镧BaPb_(0.6)Bi_(0.4)O_3的超导性

半导体BaPb_(0.6)Bi_(0.4)O_3掺镧之后出现超导性。样品中BPB相的晶格常数测量表明,Bi/P之比随掺镧量增加而减小,我们认为这是出现超导性的原因。     

GaAs/AlGaAs量子阱材料的X射线形貌及其发光性能

本文介绍了用X射线双品形貌术研究MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料中的生长缺陷、位错及其对发光性能的影响。同时研究了低温下MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料的正交方向的位错。在有应变超品格过渡层高温生长的量子阱材料中,位错及光致发光性能有明显的改善。     

从Riemann积分到Lebesgue积分——用完备化思想建立Lebesgue积分(连载)

<正> §3 Lebesgue 积分有了上一节的准备,现在可以引进Lebesgue 积分。定义3.1 设(a,b)为任意区间,f 是(a,b)上几乎处处有限的函数。如果存在c〔a,b〕(c_0(a,b))中的一个基本列{(?)_n}_(n-1)~∽以f 为极限,则称f 在(a,b)上Le-besgue 可积,简称(L)可积。当f∈c〔a,b〕     

YBa_2Pb_xCu_(3-x)O_y的临界电流特性

本文系统地研究了 Y Ba_2Pb_xCu_(3-x)O_y(0≤x≤0.4)高温超导体的正常态电阻率,交流磁化率,临界温度和临界电流密度等参量之间的关系.结果表明,在0≤x≤0.4范围内,样品的 T_c只有很小的变化,而电阻率和临界电流密度则随 x 发生显著的变化.特别是当 x=0.1时,样品的电阻率最小而相应的临界电流密度最大,在液氮温度下 J_c 为单相 Y Ba_2Cu_3O_(7-δ)样品的三倍多.作者还发现样品内界面层对临界电流的影响比超导相所占比例更大.作者应用McMillan 理论和 Ambegaokar-Baratoff 理论结果分析了实验数据.