GeTe和GeSe 分子在外电场下的特性研究

对Ge原子采用6-311++G^**基函数,Te和Se原子采用SDB-cc-pVTZ基函数,利用密度泛函理论的局域自旋密度近似方法优化得到了GeTe和GeSe分子的稳定构型,并计算了外电场作用下GeTe和GeSe基态分子的平衡核间距、总能量、最高已占据分子轨道能量E_H、最低未占分子轨道能量E_L、能隙、谐振频率和红外谱强度. 在上述计算的基础上利用单激发组态相互作用-局域自旋密度近似方法研究了GeTe和GeSe分子在外电场下的激发特性. 结果表明:随着正向电场强度的增大,分子核间距逐渐增大,分子总能量逐渐降低,谐振频率逐渐减小,红外谱强度则逐渐增大. 在0-2.0569×10¹⁰ V·m^-1的电场范围内,GeTe分子的E_H 均高于GeSe分子的E_H;随着正向电场的增大,GeTe与GeSe的E_H差逐渐变大,GeTe的E_L低于GeSe的E_L,它们的E_L均随正向电场的增大而增大. 无外场时,GeTe分子的能隙比GeSe分子的能隙要小;在外电场反向增大的过程中, GeTe和GeSe的分子能隙始终减小. 外电场的大小和方向对GeTe和GeSe分子的激发能、振子强度及跃迁的波长均有较大影响. 关键词： GeTe GeSe 外电场 激发态     

boldmath Multi-configuration Dirac-Hartree-Fock (MCDHF) calculations for Zn-like sequence from Z=48 to 54

The 4s4p excitation energies and the 4s²-4s4p E1 transitions for zinc-like ions from Z=48 to 54 are calculated by the multi-configuration Dirac-Hartree-Fock (MCDHF) method in this paper. The results for fine-structure energy levels, wavelengths and lifetimes between Z=48 (Cd) and Z=54 (Xe) are presented and compared with other theoretical and experimental results. The calculated values including core-valence correlation are found to be very similar to other theoretical and experimental values. We believe that our calculated values can guide experimentalists in identifying the fine-structure levels in their future work.     

双向低触发电压横向晶闸管放电管研究

依据触发电压V_S、触发电流I_S、维持电流I_H及触发电压、维持电流高低温变化率指标要求,利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件完成了双向低触发电压横向晶闸管(SCR)放电管的设计。详细分析了对触发特性产生显著影响的结构参数(N^-衬底区、寄生PNP晶体管P^-集电区、寄生NPN晶体管P^-基区、N⁺阴极区、N⁺触发区、寄生PNP晶体管P^-集电区与寄生NPN晶体管P^-基区间距、寄生NPN晶体管表面基区宽度)对器件输出I-V特性及抗瞬态电流烧毁能力的影响。根据设计得到的器件结构参数,绘制版图、制定双向低触发电压横向SCR放电管工艺方案并进行试制。通过实际流片,对关键的设计及工艺进行攻关,研制出样片触发电压V_S、触发电流I_S、维持电流I_H及触发电压、维持电流高低温变化率完全满足电参数指标要求。     

Multi-configuration Dirac-Hartree-Fock (MCDHF) calculations for Zn-like sequence from Z=48 to 54

The 4s4p excitation energies and the 4s2-4s4p E1 transitions for zinc-like ions from Z=48 to 54 are calculated by the multi-configuration Dirac-Hartree-Fock (MCDHF) method in this paper. The results for fine-structure energy levels, wavelengths and lifetimes between Z = 48 (Cd) and Z = 54 (Xe) are presented and compared with other theoretical and experimental results. The calculated values including core-valence correlation are found to be very similar to other theoretical and experimental values. We believe that our calculated values can guide experimentalists in identifying the fine-structure levels in their future work.     

UH和UH_2分子的结构与势能函数

用相对论有效原子实势 (RECP)和密度泛函 (B3LYP SDD)方法研究了UH ,UH2 基态和低激发态的结构和势能函数 ,导出了分子的光谱数据 .结果表明 ,UH和UH2 的基电子状态分别为X4 Π和X3A2 ,离解能分别为 2 .886eV和5 .2 4 9eV ,UH2 具有C2v对称性 ,得到了UH和UH2 的几个不同的低激发态的结构与光谱数据 .应用多体项展式理论以及数字拟合方法 ,计算得到了UH分子和基态UH2 三原子分子的分析势能函数 ,该函数正确反映了UH和UH2分子的结构特征 ,可用于研究UHH的微观反应动力学 .     

基态XOn+(X=Ru,Rh, Pd|n=0, 1)的势能函数和第一垂直电离势

运用原子分子反应静力学原理推导出XOn+(X=Ru, Rh, Pd; n=0, 1)的基态电子状态及离解极限. 运用密度泛函的B3P86方法和LANL2DZ 赝势基组及aug-cc-pVTZ全电子基组, 对XOn+(X=Ru, Rh, Pd; n=0, 1)体系进行计算, 获得了这些分子及其离子基态的Murrell-Sorbie解析势能函数. 同时计算了XOn+(X=Ru, Rh, Pd; n=0, 1)的光谱数据, 计算了XO(X=Ru, Rh, Pd)中性分子的第一垂直电离势.     

基态XO~（n＋）（X=Ru,Rh,Pd;n=0,1）的势能函数和第一垂直电离势

运用原子分子反应静力学原理推导出XOn+(X=Ru,Rh,Pd;n=0,1)的基态电子状态及离解极限.运用密度泛函的B3P86方法和LANL2DZ赝势基组及aug-cc-pVTZ全电子基组,对XOn+X=Ru,Rh,Pd;n=0,1)体系进行计算,获得了这些分子及其离子基态的Murrell-Sorbie解析势能函数.同时计算了XOn+(X=Ru,Rh,Pd;n=0,1)的光谱数据,计算了XO(X=Ru,Rh,Pd)中性分子的第一垂直电离势.     

分子取向对CO在Pd(111)面吸附的影响

 用基于密度泛函理论广义梯度近似下的平面波赝势方法计算了在Pd(111)晶面两种不同CO分子取向的吸附结构。计算结果表明，CO分子碳端和氧端靠近Pd(111)面的吸附能分别为-1.75，-0.28 eV，碳端吸附的结构比氧端吸附能力强。因此，分子取向影响CO在Pd(111)面上的吸附，通过控制CO的取向可能减小Pd(111)的吸附进而减弱Pd(111)面CO分子的中毒。     

临界点附近的H2气体的状态方程

将Ｂｅｎｅｄｉｃｔ－Ｗｅｂｂ－Ｒｕｂｉｎ（ＢＷＲ）方程应用于Ｈ２气体,采用非线性最小二乘法,精选参与拟合的实验数据和初始参数,拟合出了适用于温度３０Ｋ－７００Ｋ、压强０．１ａｔｍ－１００．００ａｔｍ范围Ｈ２气体的有关参数,进而作了全部Ｐ－Ｖ－Ｔ回代计算,通过计算值与实验值的比较发现：Ｈ２气体温度在临界点附近（３０Ｋ－４０Ｋ）,压强达１００．００ａｔｍ和密度超过临界密度ρｃ的两倍时,ＢＷＲ方程仍能计     

氢气在多层球壳中扩散过程的模拟计算

 从Fick第二定律出发，推导了氢气在多层球壳中，扩散过程的浓度分布表达式，即氢气浓度与扩散时间和扩散距离的关系。每层中，在一定的扩散时间内，一定量的氢气的扩散浓度与扩散深度之间近似为抛物线关系，说明渗透物沿着聚合物链段膨胀的方向进行扩散。在同一位置，一定量氢气的浓度，随着时间的延长而增加，说明渗透物使聚合物链段发生膨胀，自由体积增大，扩散路径增多，扩散系数随着浓度的增加而增大。