变条长实验测量GaN增益时条宽的影响

研究了光学变条长实验中条的宽度对半导体激光器光增益测量的影响,提出利用光刻溅射处理样品来严格控制泵浦条的宽度,并详细研究了泵浦条宽度与样品增益及饱和长度关系。实验表明:泵浦条宽度越窄,饱和长度越长,但测得的增益系数有所减小。本文利用非平衡载流子扩散模型对此现象进行了解释。     

亚像元边缘检测系统的FPGA实现

提出了一种集成于单片FPGA的数字化线阵CCD边缘检测系统。通过对CCD输出图像的边缘灰度梯度分析,利用高斯滤波除噪、边缘检测算法确定其像元级边界,并提出了一种以最小二乘多项式拟合来确定亚像元级边界位置的新算法。整个系统以现场可编程门阵列器件作为核心及数字电路硬件的载体,利用VHDL语言及图形化输入方式在QuartusⅡ7.2软件平台上进行了系统的设计。误差分析及仿真结果表明,该边缘检测系统的分辨率可达到将近六十分之一的像元宽度,可应用于研制高精度CCD光电自准直仪。     

MOCVD侧向外延GaN的结构特性

侧向外延（EL0）GaN的原子力显微镜（AFM）表面形貌图像表明,ELO—GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO—GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的。观察ELO—GaN扫描电子显微镜（SEM）截面图,侧向接合处存在着三角空洞,并且侧向接合导致上述小丘群。X射线衍射（XRD）曲线表明,掩膜边界处的GaN晶面有倾斜。拉曼散射谱表明,掩膜区GaN质量相对于窗口区大为提高。ELO—GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO—GaN中的应力较小,晶体质量较高。     

准绝对式光学编码器的编译码原理

介绍了准绝对式光学编码器的测量原理,根据其码盘特点,设计了实用的编码算法.利用计算机编程辅助实现了最高17位的索引码道编码设计,并提出一种译码的方法,可以实现从循环二进制码到自然二进制码的快速转换,为其进一步工程实现提供理论基础.     

In0.5(Ga1-xAlx)0.5P合金的掺杂生长特性

利用LP-MOCVD分别生长Zn和S掺杂的In0.5(Ga1-xAlx)0 5P外延层,研究生长温度、掺杂源流量、V/Ⅲ比、Al组分以及衬底晶向偏离等生长条件对外延层掺杂浓度的影响.实验结果表明:降低生长温度和Al含量、增加DEZn流量、选择由(100)向(111)A偏6～15的衬底都有利于增加IRGaAlP合金中Zn的掺杂浓度;提高生长温度和增加SIH4流量、减小Al含量和V/Ⅲ比,都有助于增加Si掺杂浓度,而衬底晶向对Si掺杂浓度无影响.     

光栅码盘零位图案的CAD设计

根据增量式光学编码器对绝对零位信号的要求,建立了绝对零位光栅图案的数学模型,系统地提出了绝对零位光栅图案的设计理论,编制了计算机辅助设计程序,设计出用于工程的零位图案,并对零位图案的设计和性质及绝对零位信号进行了讨论.     

LED照亮世界——2014年度诺贝尔物理学奖介绍

三位科学家共享2014年诺贝尔物理奖,表彰他们发明蓝色发光二极管.这项发明引发了固体照明革命,LED正在照亮我们的世界,造福于全人类.本文追溯了氮化镓材料和蓝色发光二极管的发展历史,回顾了重要的历史事件.III簇氮化物是直接带隙半导体材料,发光范围紫外到红外,覆盖整个可见光区,是理想的光电器件材料.同时,具有优越的物理性质,在高温、高能、高频微波器件以及高压电子电力器件都有广泛的应用.     

不可微规划

本文的第一部分对于讨论不可微规划所必需的非光滑分析中有关广义导数、次微分和最优性条件的一些基本结果做了概述;第二部分介绍了几种处理不可微问题的方法和技巧,其中包括光滑化方法、外近似方法、线性化方法和将可微问题的算法推广到不可微问题的技巧。     

Effect of electrical contact on performance of WSe2 field effect transistors

Two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDCs) such as tungsten diselenide (WSe₂) have spead many interesting physical properties, which may become ideal candidates to develop new generation electronic and optoelectronic devices. In order to reveal essential features of 2D TMDCs, it is necessary to fabricate high-quality devices with reliable electrical contact. We systematically analyze the effect of graphene and metal contacts on performance of multi-layered WSe₂ field effect transistors (FETs). The temperature-dependent transport characteristics of both devices are tested. Only graphene-contacted WSe₂ FETs are observed with the metal-insulator transition phenomenon which mainly attributes to the ultra-clean contact interface and lowered contact barrier. Further characterization on contact barrier demonstrates that graphene contact enables lower contact barrier with WSe₂ than metal contact, since the Fermi level of graphene can be modulated by the gate bias to match the Fermi level of the channel material. We also analyze the carrier mobility of both devices under different temperatures, revealing that graphene contact can reduce the charge scattering of the device caused by ionized impurities and phonon vibrations in low and room temperature regions, respectively. This work is expected to provide reference for fabricating 2D material devices with decent performances.