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81.
结合纳米材料折射率(小于1.4)和AM0太阳光谱特性,对空间硅太阳电池的减反射膜进行了设计分析.分别设计了常规材料和纳米材料的双层、三层减反射膜,得到了最佳的膜系参数,并作出了反射率变化曲线.结果发现,采用低折射率纳米材料的三层减反射膜有着更好的减反射效果,新型纳米减反射膜系与采用常规材料的减反射膜系相比,优化后的最小加权平均反射率减小了15%(双层减反射膜)和24.5%(三层减反射膜).
关键词:
折射率
减反射膜
纳米材料
空间硅太阳电池 相似文献
82.
制备了一种集成有太赫兹低通滤波器的高速、高灵敏度GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)太赫兹探测器。实验研究表明,当在太赫兹天线与引线电极之间加入低通滤波器时,太赫兹耦合天线的谐振性能恢复,室温下器件的响应度达到了1.05×10~3 V/W;测试带宽为1Hz时,器件的噪声等效功率达到了4.7×10~(-11) W。利用该探测器单元对不同材料进行了快速扫描成像,结果表明,该探测器单元具有较好的成像分辨率,且器件的响应速度优于商用的气动探测器的和热释电探测器的。 相似文献
83.
84.
利用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对气体源分子束外延(GS-MBE)生长的GaP/Si异质结构进行了详细的分析.其结果表明:(1)外延层内Ga、P光电子峰与GaP相相符,且组份分布均匀,为正化学比GaP.(2)在不同富PH3流量条件下生长的样品,其表面富P量稍有不同,而GaP外延层内的测试结果相同.界面也未见有P的富集.(3)XPS剖析至GaP/Si界面附近,随外延层界面向衬底过渡,Si2p光电子峰向高结合能方向移动,且其结合能高于原衬底p型Si,接近于n型Si.但Ga、P光电子峰未发现有明显能移.(4)在XPS检测限内,外延层内和界面都未见有C、O等沾污.这一研究表明:无污染的本底超高真空、相对过剩的富3生长环境、成功的Si衬底清洗方法等措施保证了GS-MBE生长出正化学比GaP/Si外延异质结构. 相似文献
85.
用同步辐射光电子能谱测量了Si/ZnS(111)及(100)异质结的价带偏移ΔEv.对于Si/ZnS(111)及(100)两界面,ΔEv的实验结果均为(1.9±0.1)eV,与已有理论预期值相当符合,但与Maierhofer所报告的ZnS/Si(111)异质结测量结果之间则存在明显差别.该实验结果表明对于Si/ZnS极性界面,互逆性规则(commutativity rule)可能不成立,就此进行了讨论.
关键词: 相似文献
86.
研究了直流磁场、交流磁场对液态铝和固态铁界面微观组织的影响,采用金相显微镜、电子探针和x射线衍射等方法对其扩散层内生成物进行了分析.结果表明,在直流磁场和交流磁场作用下,固态铁界面内形成的扩散层厚度均比无磁场时小;在交流磁场作用下,液态铝和固态铁的界面变得凹凸不平;在垂直于磁场方向上,直流磁场抑制了铝原子和铁原子之间的扩散,交流磁场则促进了扩散;无磁场时固态铁内扩散层中生成的金属间化合物由FeAl3和Fe2Al5组成,直流磁场条件下只有Fe2Al5生成,交流磁场作用下由Fe2Al5和Fe4Al13组成.
关键词:
磁场
铝
铁
金属间化合物
扩散 相似文献
87.
金属物理专业级二班断裂韧性组 《物理学报》1976,25(4):344-351
近几年来,为了解决弹塑性体的断裂判据,提出了“COD”方法和J积分方法等。用实验测量其临界值的关键是需要确切地判断裂纹开始扩展的开裂点。 目前已发展了多种方法(如声发射、电位法、柔度法和金相法)以确定开裂点。我们研究了一种比较能确切判断开裂点的电阻法。 相似文献
88.
通过双螺杆挤出机熔融共混制备了阻燃PA66/二乙基次磷酸铝(ADP)复合材料,采用极限氧指数(LOI)、垂直燃烧(UL94)测试、锥形量热仪(Cone)等研究了PA66/ADP材料的燃烧性能,同时还通过拉伸、弯曲强度测试考察了PA66/ADP复合材料的力学性能.研究表明:ADP添加量为8%时,该体系达到了UL94V-0级,LOI值由25. 3%提高到30. 2%. PA66/ADP材料的热释放速率峰值由1 168 k W/m2下降到535 k W/m2,添加ADP能够显著地增强成炭率,增强隔热作用. 相似文献
89.
90.