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81.
对溴偶氮胂是一种高灵敏度稀土显色剂(εL(?)~(713)=3.3×10~5,εCe~(716)=3.5×10~5),但其中的碱土元素会严重干扰测定,对于2.5微克/25毫升的La_2O_3在测定误差小于10%时,钙、钡的允许量为3微克/25毫升,而种子、植株中的钙等干扰元素的含量一般为0.1—5毫克/克。利用PMBP萃淋树脂可以简便地将样品溶液中的微克量稀土元素与毫克量的碱土等干扰元素分离,从而可不经萃取直接测定粮食中的微量轻稀土元素。本法检测下限为0.1ppm。 相似文献
82.
经验是经历与体验,成功的经验给人帮助,找到捷径,从而事半功倍。但有时我们得来的经验没有经过检验,是片面的、与实践不符或在理论上就是错误的,如果把这些自己所谓的经验不注意条件要求随意使用,当作普遍适用的规律,甚至当作定理、原理来运用,往往就会出现问题了。1想当然得出 相似文献
83.
萘并吡喃及其衍生物是经典的光致变色材料,具有很低的背景颜色、优良的光致变色抗疲劳性、易于调控的变色动力学、开环体具有宽的吸收等优点,受到了研究者的重视。本文综述了近几年来作者课题组利用萘并吡喃构建光致变色荧光开关的研究进展,通过将荧光基团和萘并吡喃以掺杂模式、共聚物和有机小分子等形式构建光致变色荧光开关,研究了它们在溶液和薄膜中的荧光开关性能,初步探讨了萘并吡喃荧光开关在非破坏性读出和荧光成像等方面的应用潜能。 相似文献
84.
数学各分支之间存在很多共同的思想和方法.本文结合线性代数中关于线性空间的相关理论及观点来看数值分析中常用的多项式插值方法.一方面借助线性空间的基与坐标理论将常用多项式插值方法统一起来,并借助过渡矩阵给出了不同插值方法之间的通用转换公式.另一方面还可以通过构造特殊基函数组来产生新的多项式插值方法. 相似文献
85.
超声显微检测技术应用于电子封装领域始于上世纪80年代,如今已是检测电子封装可靠性和完整性的重要手段,被广泛应用到了电子封装的缺陷检测和精密测量等方面。针对电子封装的超声显微检测存在回波重叠、信噪比低等问题,近年来,发展了许多时频分析方法,用于获得优于常规方法的纵向分辨率,即实现超分辨率。本文首先介绍了超声显微检测的发展历史,对其检测原理和分辨率理论进行了简述;其次,综述了超声显微检测技术在电子封装中的主要应用与发展现状;然后,对超声显微检测的超分辨率成像方法进行了综述,分别介绍了基于小波分析的反卷积、连续小波变换和稀疏表示在实现超分辨率时的原理及适用场景;最后,探讨归纳了电子封装超声显微检测的主要研究方向及难点。 相似文献
86.
IntroductionNeedingonlynodeinformation ,withouttheconnectivityelement,themeshlessmethodsaredevelopingrapidly ,andhavemanykindsofmeshlessmethods,suchasEFEM[1],SPH[2 ],RKPM[3],PU[4 ].Weightfunctionanditsparametersplayanimportantroleinsimulatingdisplacementfiledinmeshlessmethod[1].Togivethereasonableinfluenceradiusofweightfunctionisverydifficult.Theinfluenceradiusofweightfunctionisgivenbythesectioncontinualfunction ,andtheuseofinfluenceradiusortheuseofweightfunctionemphasisonthesimulationde… 相似文献
87.
根据铂电极上硫化物电催化氧化的反应机理,本文提取动力学模型并利用数值模拟研究了N型负微分阻抗(N-NDR)振荡区域的电极表面时空反应动力学.在均相体系模拟中观察到电流简单振荡和复杂振荡,其来源于双电层电势自催化与传质限制和毒化物种吸附负反馈的相互耦合.为了更接近于真实体系,在模型中考虑了平行和垂直于电极表面两个方向的传质过程.模拟结果发现了与实验现象具有相同演化行为的复杂斑图,如行波和闪烁波;同时在传质耦合体系模拟中观察到双电层电势双臂螺旋波.本研究工作促进对电化学体系时空斑图的理解和预测. 相似文献
88.
89.
在Debye屏蔽近似下,通过求解Schrödinger方程,计算了处于等离子体中的类氢离子的束缚态能量本征值与本征函数. 研究了氢原子和类氢Fe25+离子的n l ( n =1-4, l = 0-3)态能级随Debye 屏蔽长度λ的变化规律. 进一步,分析了等离子体屏蔽效应随主量子数n及角量子数l的变化规律, 发现对于给定的l, 等离子体屏蔽效应随主量子数n的增加而增大;对于给定的n,等离子体屏蔽效应随角量子数l 的增大而减小. 最后,我们分析了等离子体环境中类氢等电子序列离子的能级和波函数随屏蔽参数λ的变化规律,发现随着原子序数增大,等离子体屏蔽效应的影响逐渐变小. 相似文献
90.
Growth of a ZnO/GaN heterostructure is carried out using pulsed laser deposition. By etching the ZnO layer from the ZnO/GaN structure, the photoluminescence (PL) of the associated GaN layer shows that the donor- acceptor luminescence of CaN shifts to about 3.27eV, which is consistent with the electroluminescence (EL) of n-ZnO/p-GaN already reported. XPS shows that oxygen diffuses into the CaN crystal lattice from the surface to 20nm depth. The PL spectra at different temperatures and excitation densities show that oxygen plays the role of potential fluctuation. The associated PL results of the interface in these LEDs could be helpful to understand the mechanism of EL spectra for ZnO/CaN p-n junctions. 相似文献