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82.
83.
84.
在有效质量近似和球形方形势模型下,计算了开放型球状纳米系统电子散射截面及电子按能量的概率分布,探讨了线度、势垒宽度对电子散射截面和共振能量以及共振宽度的影响.结果表明:电子的散射截面随能量的分布曲线有一极大值和极小值,而且电子能量的概率分布曲线的极大值位置总是介于散射截面分布曲线的极大值与极小值的能量位置之间;散射截面随内核半径r0的增大而增大,而且散射截面分布曲线随r0的增大由较平滑变得较尖锐;散射截面随势垒宽度Δ的增大而增大,但在Δ=1.4aCdS–1.7aCdS的范围内,变化出现异常,在Δ=1.6aCdS时散射截面出现极小;电子共振能量El 随Δ的变化与电子所处状态有关,而电子共振宽度Γl随Δ的增大而减小;不论Δ取何值, El和Γl都满足能量和时间的测不准关系.
关键词:
球状纳米系统
势垒宽度
电子散射截面
电子概率分布 相似文献
85.
提出了一种考虑绝缘栅极双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT) 基区载流子不同注入条件的物理模型. 在小注入和大注入情况下,分别建立描述IGBT基区载流子运动的输运方程(ambipolar transport equation,ATE),并确定边界条件. 采用傅里叶级数法求解载流子输运方程,并将计算结果分别与IGBT手册提供的实验数据和Hefner模型计算结果相比较,验证了本文提出物理模型的正确性.
关键词:
绝缘栅极双极晶体管
物理模型
注入条件
双极输运方程 相似文献
86.
采用两个借助光纤连接的相互注入半导体激光器,实验获取了10 GHz超宽带混沌种子信号.通过8-bit模数转换器将混沌信号转换为二进制数据流,并进行进一步的逻辑异或处理和舍弃最高有效位操作,最终获得了能顺利通过美国国家标准与技术研究院(National Institute of Standard and Technology,简记为NIST)800-22标准测试以及Diehard测试,速率达17.5 Gbit/s的高速随机码.
关键词:
随机码
混沌激光
互注入半导体激光器 相似文献
87.
利用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积了TiO2薄膜,并对其进行了Co离子注入,最后在真空中500 ℃退火50 min,得到系列薄膜样品. 利用剥离-分散方法制备了薄膜的透射电镜样品,并用扫描电镜(SEM)、X射线能量散射谱(EDX)和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品做了近似原位观察,研究了薄膜样品中不同Co离子注入深度的成分分布和显微结构. 结果表明,薄膜呈锐钛矿结构,Co元素主要分布在薄膜表层,Co离子的注入使TiO2薄膜的晶粒被部分破坏,并形成CoO,而5
关键词:
2薄膜')" href="#">Co注入TiO2薄膜
电镜原位观察
室温铁磁性 相似文献
88.
结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅NMOSFET的阈值电压模型.依据计算结果,详细分析了弛豫Si1-βGeβ中锗组分β、沟道长度、漏电压、衬底掺杂浓度以及沟道掺杂浓度对阈值电压的影响,从而得到漏致势垒降低效应对小尺寸应变硅器件阈值电压的影响,对应变硅器件以及电路的设计具有重要的参考价值.
关键词:
应变硅金属氧化物半导体场效应管
漏致势垒降低
二维泊松方程
阈值电压模型 相似文献
89.
本报告介绍了雷达前端射频装置的基本组成、特性、工作原理和性能,提出了微波效应实验方法,通过注入法和辐照法的研究,摸索雷达前端射频装置的效应规律和效应阈值。对雷达前端射频装置进行了微波效应实验研究,即采用注入法,将低功率的微波直接注入雷达前端电路和它的单元器件,或采用辐照法近距离辐照雷达前端,模拟微波对它的作用,而摸索雷达前端射频装置的微波效应规律。微波脉冲对射频装置造成损伤,应是在微波脉冲作用下,使射频装置不能完成其正常功能。射频装置的功能受损,体现为系统增益下降。 相似文献
90.
Determination of the Potential Barrier at the Metal/Oxide Interface in a Specular Spin Valve Structure with Nano—oxide Layers Using Electron Holography 下载免费PDF全文
The local potential distribution in a specular spin valve structure with nano-oxide layers has been mapped by using off-axis electron holography in a field emission gun transmission electron microscope.A potential jump of 3-4 V across the metal/oxide interface was detected for the first time.The presence of the potential barrier confirms the formation of the metal/insulator/metal structure,which contributes to the increasing mean free path of spin-polarized elecrons via the specular reflection of spin-polarized electrons at the metal/oxide interface.It leads to nearly double enhancement of the magnetoresistance ratio from 8% to 15%. 相似文献