毛细管色谱－质谱法测定大气中挥发性有机物

兰州市西固区由于炼油厂、化工厂等十几个工厂的污染,大气中挥发性有机污染物种类繁多,含量较高,并且已发现可形成光化学烟雾。所以对西固区大气中挥发性有机物进行分析测定,有利于光化学烟雾形成机理的研究。     

氢化铝锂一步还原β-烯胺酮合成1,3-胺基醇

β-烯胺酮类化合物是重要的有机合成砌块, 通过还原可用来合成具有广泛用途的1,3-胺基醇类化合物. 文献报道氢化铝锂还原β-烯胺酮为1,3-胺基醇, 只能采用两步还原的方法. 在四氢呋喃中采用过量的氢化铝锂于回流下将3-二甲胺基-1-芳基-2-丙烯酮高产率地一步还原为N,N-二甲基-3-羟基-3-芳基丙胺, 为该类化合物的合成提供了一个新方法.     

抗活化血小板单克隆抗体与尿激酶杂合分子的纤溶作用

用双功能团试剂将尿激酶(UK)B链和抗人活化血小板α-颗粒膜蛋白GMP-140单克隆抗体(SZ-51)的Fab片段共价偶联。偶联的杂合分子UK-SZ-51保留了原抗体的结合专一性,它在体外的溶栓效率较尿激酶提高约5倍,其溶栓作用对血浆中纤维蛋白原的含量无影响。     

(Me3Si)2NBCl2和(Me3Si)2NB(Cl)NHSiMe3的合成及其成环反应

自从氮化硼陶瓷纤维用聚合物先驱体法[1]合成以后,硼氮六元环化合物越来越为人们所重视[2],文中在制备氮化硼纤维先驱体的过程中,合成了其中间产物,通过热缩合成环反应,合成了含有硼氮六员环的化合物,并采用色-质联用技术对其进行了表征。1　实验部分参照文献[3],改用液氮和丙酮为冷冻剂,控制温度在-50到-40℃,搅拌下向三氯化硼的正戊烷溶液中缓慢滴加三乙胺的正戊烷溶液,滴完后Ｎ2气氛下-50℃加丙酮冷凝回流2ｈ,慢慢由-50℃升至室温,抽滤即得到白色产物Ｅｔ3ＮＢＣｌ3(Ａ)。将Ａ溶于适量苯中[4,5],加入等物质的量的三乙胺,加热回流搅拌…     

电场对含高氯酸锂盐的互穿网络高分子快离子导体的电导的影响

研究了直流电场对含ＬｉＣｌＯ４的聚氧化乙烯（ＰＥＯ）４００与环氧树脂形成的液晶态互穿网络高分子忆禽子导体的电导率的影响。在室温至９０℃范围内，电导率随外加电压增加面降低。外加电压越高，对电导率变化的影响越大。     

催化发光快速检测啤酒中的苯乙醛

研究了苯乙醛在纳米氧化锡(SnO_2)表面的催化发光现象,设计了一种快速检测苯乙醛的催化发光传感器。在汽化温度为193℃、反应温度为276℃、检测波长为425 nm、流速250 mL/min条件下,催化发光强度与苯乙醛质量分数在0.10～12 mg/L范围内呈良好的线性关系(r=0.9976),检出限为0.030 mg/L。质量分数均为0.60 mg/L的苯乙醇、苯、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、正己烷、三氯甲烷、四氯甲烷、四氢呋喃、乙酸、氨气和环氧苯乙烷通过传感器时,除苯乙醇产生弱响应信号外,其它物质均不产生响应信号。将此传感器应用于啤酒样品中苯乙醛含量的测定,加标回收率为108.2%～118.5%,RSD为5.9%～12%。     

聚乳酸/中药自然铜复合多孔膜的制备及其性能研究

采用冻干法制备了聚乳酸/中药自然铜复合多孔膜(PPCM),考察了中药自然铜对PPCM形态结构及力学性能的影响.实验结果表明自然铜的加入使PPCM的拉伸强度有轻微下降,但有利于其内孔的形成,并且可以有效地减小其在37℃恒温环境中的热收缩.成骨细胞体外培养实验证明中药自然铜具有促进成骨细胞在PPCM上生长和增殖的作用.     

无机粒子对聚对二氧环己酮结晶性能影响的初步研究

利用差示扫描量热法和配带热台的偏光显微镜研究了无机粒子[CaCO3,Ca3(PO4)2·H2O或CaSO4·2H2O]与聚对二氧环己酮(PPDO)共混体系的结晶行为.初步研究表明,无机粒子的加入并未明显改变PPDO的结晶形态,但无机粒子的存在能提高体系的结晶度.并显著加速PPDO的结晶过程.     

单氯代苯酐及其衍生物的合成方法研究进展

讨论了3(4)-氯代苯酐的主要合成方法以及它们的主要衍生物联苯二酐和二苯醚二酐等的合成方法和主要用途. 综合比较了各种合成方法的利弊, 并分析了这些化合物的国内外研究现状和发展趋势.     

一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型

针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点，对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正，提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型，用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证，对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线，重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势，研究结果表明，由于在沟道中存在量子效应，在栅下靠源端低电场区域，电流主要分布在InGaAs沟道 关键词： 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟