提拉法生长直径8inch Yb∶YAG激光晶体

设计制造了适于生长直径8 inch Yb∶YAG激光晶体的生长系统和热场,采用感应加热提拉法成功生长出了直径8英寸Yb∶YAG激光晶体,晶体等径部分最小直径202 mm,等径长超过215 mm,总重63.7 kg,晶体外形完整,内部无气泡、包裹物、开裂等宏观缺陷,5 mW绿光激光照射下,未见散射颗粒.     

Si_（1－x）Ge_x／Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Ｓｉ分子束外延，在较高的生长温度于Ｓｉ（１００）衬底上制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱发光材料．发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、Ｘ射线双晶衍射及光致发光评估．背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应；Ｘ射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的，结晶完整性好．低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合．并讨论了生长温度对量于阱发光的影响．     

BiPbSrCaCuO高T_c超导体的低场微波吸收信号及其与超导电性的关系

借助于电子顺磁共振技术(EPR)研究了高 T_c 超导体 BiPbSrCaCuO 的低场微波吸收信号随温度和磁场的变化规律,结果表明这种低场信号和高 T_c 超导电性密切相关.从样品的低场信号谱上得到一个与温度有关的临界场 H_c(T),在外加磁场低于 H_c 时,其信号与磁场无关,而当外加磁场高于 H_c 时,其信号随磁场增加而明显变弱,在 H_c(T)曲线上观察到两个台阶的存在,这两个台阶分别对应于温度～100K 和～104K,同时我们注意到在样品的低场信号强度 S(T)曲线上存在非单调特性,这些现象或许反映了磁通在样品中穿透的行为,进一步地我们认为通过上述的低场信号的研究有可能为高 T_c 氧化物超导体提供另一种可能的研究手段.     

冷压烧结的BiPbSrCaCuO超导块材临界电流密度及其V-I特性研究

用硝酸盐共分解和固态反应法制备出 BiPbSrCaCuO 近高温单相样品,在此基础上进行冷压烧结.分析表明样品中晶粒 c 轴沿垂直于加压表面有较好的取向排列.其临界电流密度Jc 明显地得到改善,77.3K 零场下,Jc 达到1040A/cm~2.同时还研究了冷压 Bi 系块材的V-I 特征,并利用磁通蠕动模型对实验结果作了较好解释,认为在冷压烧结的 Bi 系块材中,磁通蠕动是影响临界电流密度提高的主要因素.     

基于液相色谱原理的黄曲霉毒素测定仪校准方法

建立黄曲霉毒素测定仪的校准方法。黄曲霉毒素测定仪校准项目主要包括仪器的动态基线漂移、长期基线噪声、线性相关系数、最小检测浓度、定性与定量重复性。选用C18色谱柱,以甲醇为流动相,流量为1.0 mL/min,其长期基线噪声不大于1500 counts/(30 min),动态基线漂移不大于5000 counts/h;当选用甲醇中黄曲霉毒素B1溶液标准物质,以乙腈-甲醇(1∶1)为流动相,仪器最小检测浓度不大于0.03 ng/mL,线性相关系数不小于0.998,定性重复性不大于1.0%,定量重复性不大于3.0%,仪器的计量性能正常。据此对影响仪器主要性能的各个参数进行全面评价,确认各项性能指标控制在合理范围内。该校准方法切实可行,可用于黄曲霉毒素测定仪的校准。     

3－N－取代－5－氟脲嘧啶的制备新方法

报道了一种以Ｐｄ－Ｃ为催化剂，使２－苄氧基－３－Ｎ－取代－５－氟－４－嘧啶酮在室温常压下氢解制备３－Ｎ－取代－５－氟脲嘧啶的新方法，合成了８个３－Ｎ－取代－５－氟脲嘧啶化合物，其中有些化合物具有一定的抗肿瘤活性。     

Dawson结构钨钒磷杂多化合物催化苯酚过氧化氢的羟化作用及其羟化机理

合成了系列Ｄａｗｓｏｎ结构钨钒磷杂多化合物，并用ＩＲ，ＮＭＲ等手段对其结构进行了表征，考察了这类杂多化俣物对苯酚过氧化氢羟的活性，探讨了反应机理。     

量子阱红外探测器的光耦合

本文从有效质量近似理论出发,在量子阱导带内子带间光吸收分析的基础上,评述了ｎ型量子阱红外探测器的光耦合。着重研究适宜于量子阱红外探测器的不同种类的光栅,并从理论上优化出高耦合效率的各种光栅参数     

溅射沉积自诱导混晶界面与Ge量子点的生长研究

在不同的沉积温度下采用离子束溅射技术,在Si基底上生长得到分布密度高、尺寸单模分布的圆顶形Ge量子点.研究发现:随沉积温度的升高Ge量子点的分布密度增大,尺寸减小,当沉积温度升高到750 ℃时,溅射沉积15个单原子层厚的Ge原子层,生长得到高度和底宽分别为14.5和52.7 nm的Ge量子点,其分布密度高达1.68×10¹⁰ cm^-2;Ge量子点的形貌、尺寸和分布密度随沉积温度的演变规律与热平衡状态下气相凝聚的量子点不同,具有稳定形状特征和尺寸分布的Ge量子点是 关键词： Ge量子点 离子束溅射沉积 表面原子行为 混晶界面     

Ge组分对应变Si1-xGe x 沟道p-MOSFET电学特性影响

利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si_1-xGe _x 沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si_1-xGe _x 沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流明显增大;栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化;阈值电压的改变量与Ge组分基本成线性关系.通过改变Si_1-xGe _x 沟道的长度,并结 关键词： 1-xGe _x 沟道')" href="#">应变Si_1-xGe _x 沟道 p-MOSFET 空穴迁移率 栅电容