离子束溅射自组装Ge/Si量子点生长的演变

采用离子束溅射技术,通过改变Ge的沉积量,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品. 利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,系统地研究了Ge量子点形貌、密度、尺寸大小以及Ge的结晶性和量子点中组分等随Ge沉积量的演变规律. 结果表明:Ge层从二维薄层向三维岛过渡过程中,没有观察到传统的由金字塔形向圆顶形量子点过渡,而是直接呈圆顶形生长;且随着Ge沉积量的增加,量子点密度先增大后减小,Ge的结晶性增强同时Ge/Si互混加剧,量子点中Si的组分增加. 关键词： 离子束溅射 量子点 表面形貌 Raman光谱     

绝缘氧化层上自离子注入Si薄膜W线发光性能的调控

对SOI基片上的Si薄膜进行了一系列Si⁺自注入和热退火的改性实验,并利用低温光致发光(PL)光谱对这些Si薄膜样品的发光性能进行了测试. 在这些SOI样品的PL光谱中观察到了丰富的光学结构,包括D₁,D₂,D₃,X以及异常尖锐的W线. 通过对比在同等光谱测试条件下的W线归一化强度,获得了针对SOI基片发射W线较为理想的自注入和热退火参数. 同时,还对D系列发光峰以及W线的缺陷起源和光学性质进行了很好的讨论. 关键词： SOI结构 自离子注入 W线 近红外发光器件     

高速率沉积磁控溅射技术制备Ge点的退火生长研究

采用磁控溅射技术在Si衬底上以350?C沉积14 nm的非晶Ge薄膜,通过退火改变系统生长热能,实现了低维Ge/Si点的生长.利用原子力显微镜(AFM)和拉曼(Raman)光谱所获得的形貌和声子振动信息,对Ge点的形成机理和演变规律进行了研究.实验结果表明:在675?C退火30 min后,非晶Ge薄膜转变为密度高达8.5×109cm-2的Ge点.通过Ostwald熟化理论、表面扩散模型和对激活能的计算,很好地解释了退火过程中,Ge原子在Si表面迁移、最终形成纳米点的行为.研究结果表明用高速沉积磁控溅射配合热退火制备Ge/Si纳米点的方法,可为自组织量子点生长实验提供一定的理论支撑.     

光合作用的热力学研究进展

从热力学角度研究光合作用效率是理解光合作用机制、实现人工光合过程的重要方法。本文概述了对光合作用进行热力学能量衡算、熵分析和有效能分析的研究进展,着重介绍了光合作用有效能效率的计算模型及其发展。同时,本文还介绍了人工光合作用的部分最新研究成果。     

量子阱红外探测器的光耦合

本文从有效质量近似理论出发，在量子阱导带内子带间光吸收分析的基础上，评述了ｎ型量子阱红外探测器的光耦合。着重研究适宜于量子阱红外探测器的不同种类的光栅，并从理论上优化出高耦合效率的各种光栅参数     

直流磁化测量中样品长度修正因数的分析

本文基于磁化电流在空间中磁场分布的计算,对不同长度的超导样品在测量线圈中真正排磁通作了分析,导出简单、明瞭的由检测线圈参数和样品长度所决定的修正因数。并将BiPbSrCaCuO高温单相样品截成不同长度,进行实验验证,实验结果与本文中的分析符合得较好。为小截面超导样品绝对抗磁矩的测量和计算提供了一种准确的分析方法。 关键词：     

一种新的应用于弹性分组环的公平算法

为了达到高的带宽利用率,理想的空间重用和带宽分配的公平性.本文提出一种新的应用于弹性分组环网络的带宽分配算法,该算法采用了有限集合中收敛速度最快的二分法,通过对公平速率的逐次逼近来实现带宽的动态分配,适用于分布式网络环境.分析和仿真表明采用基于二分法的带宽分配算法能够给每个节点分配到接近理想的公平带宽,整个环路在实现公平性的同时能够得到最大的空间重用并且收剑迅速.     

一种测量金属电爆炸过程中电导率的新方法

金属电导率是金属电爆炸过程中的重要参数，利用金属箔电爆炸驱动飞片原理设计了一种测量金属电爆炸过程中电导率随密度、比内能变化的方法，并采用实验数据计算得到了一条铜箔电爆炸过程中电导率随密度、比内能的变化关系曲线，结果反映了电导率随密度的剧烈变化.     

插入生长AlGaAs薄膜对InAs量子点探测器性能的影响

利用分子束外延生长获得的两个InAs量子点样品制备了n型的量子点红外探测器.对于其中一个器件，在InAs量子点有源区的底部和顶部分别插入生长了AlGaAs势垒层.利用透射电阻显微技术研究了两个样品的结构特性；利用光致发光光谱和光电流谱研究了两个器件的光电性质.实验结果表明，AlGaAs层的插入对器件的探测性质有显著的影响.利用有三维效质量近似模型的计算结果，指认了带内光电流谱中峰结构的起源.     

多酸-有机胺-氧化硅杂化催化剂的制备、表征及光催化性能研究

采用自组装技术制备了多酸－有机胺－氧化硅杂化催化剂K5Ni(H2O)PW11O39-APS-SiO2(APS=(C2H5O)3SiCH2CH2CH2NH2)，通过XRD、UV／DSR，FT－IR，ICP－AES和元素分析等手段，对其组成和结构进行了表征，并考察了该杂化催化剂对可溶性染料罗丹明B的催化活性，实验结果表明，该杂化催化剂中Keggin阴离子的基本结构未发生变化，Keggin阴离子与有机胺修饰的氧化硅载体通过No-N配位键结合，光催化活性高于直接光解和均相体系中的K2[Ni(H2O)PW11O39](PW11Ni)，并且耐水性好，反应过程中不易溶脱，可重复使用。