气相中Fe+催化CO与N2O循环反应的理论计算研究

采用密度泛函UB3LYP/6–311+G(2d)方法计算研究了Fe+在基态和激发态与CO与N2O反应的反应机理。全参数优化了反应势能面上各驻点的几何构型,用频率分析方法和内禀反应坐标（IRC）方法对过渡态进行了验证,并用UB3LYP/6–311++G(3df,3pd)、单点垂直激发等方法分别进行各驻点单点能校正,四重态和六重态反应势能面交叉点CP确定,计算结果表明,该反应为两步反应,且反应机理都为插入—消去反应,势能面上的两个交叉点能够有效的降低反应的活化能,这在动力学和热力学上都是有利的。     

多级无赔款优待系统的定价

被保险人若在一些年连续无索赔时,保险公司在收取下一年保费可以实行无赔款优待政策.这有利于鼓励被保险人防范风险,且对于保险公司来说可以避免小额索赔而节省费用.本文探讨了被保险人在若干年无索赔情况下,下一年实行不同优待值的多级无赔款优待系统,提出了被保险人及保险人的最优决策.一方面,保险人固定每年的保费π及累计每年优待数额(折扣值)d1,d2,d3,…,d(k-1), d,求出被保险人的最优门槛值.另一方面,本文又考虑了当保险人在前面的基础上,已经获知被保险人的最优策略时,反过来决定优待数额d1,d2,d3,…,d(k-1),d,使得保险人的现金流达到最大.     

钌、铑金属配合物在DNA中介的电子传递与错配碱基识别中的应用

化学家设计合成了一系列能通过插入方式与DNA结合的金属配合物,应用于研究有关以DNA为中介的电子传递,发现碱基对不仅是电子传递的媒介,而且自身能作为电子受体,形成长程氧化损坏.本文总结了近年来该领域的研究进展,同时也介绍了金属配合物对错配碱基识别的研究成果.     

新型薄膜电子材料——氢化非晶硅

 当今最重要的电子材料是半导体单晶硅,用它不但可制做各种二极管、三极管还可将成千上万个元件集成在一个小硅片上.从大型计算机到家用电器、儿童玩具,其核心部分都是用单晶硅做的集成电路.市场上需求多少半导体集成电路已经成为一个国家现代化水平的标志.单晶硅器件技术的发展一方面是不断提高单位芯片上的元件集成度,另一方面是向薄膜器件的新领域开拓.特别是在七十年代分子束外延技术出现以后,制做原子尺度的单晶薄膜已成现实.     

《物理》演示实验的研究与探讨

《物理》是一门实践性很强的学科．有些概念、理论比较抽象，教学中适当运用演示实验，可以把抽象难懂的物理理论变得具体生动、形象而直观，从而收到事半功倍的效果．     

不锈钢在14.6MeV中子轰击下质子发射的能谱和角分布

描述了用多路望远镜系统测量不锈钢在快中子辐照下质子发射的双微分截面,所测量的16个反应角的范围为25°—165°,平均分辨约为12°.并由此得到了出射质子的能谱、角分布和总发射截面.     

Cl＋HD反应产物的极化与态分析

利用准经典轨线理论，在BW2和G3两个势能面上，研究了Cl+HD反应的动力学。计算结果表明，产物的转动取向对势能面及反应体系的质量因子非常敏感，在BW2势能面上，计算的两个产物的转动取向强于在G3势能面上计算的结果，而无论是在BW2势能面上还是在G3势能面上，DCl产物的取向都强于HCl产物的取向。计算结果还表明，在不同的势能面上反应物的转动激发对反应的影响有着显著的不同。在BW2势能面上，反应物的初始转动激发有利于Cl+HD反应的进行；而在G3势能面上，反应物的初始转动激发消弱了反应的反应性。     

Cl+HD反应产物的极化与态分布

利用准经典轨线理论 ,在BW 2和G3两个势能面上 ,研究了Cl +HD反应的动力学 .计算结果表明 ,产物的转动取向对势能面及反应体系的质量因子非常敏感 .在BW 2势能面上 ,计算的两个产物的转动取向强于在G3势能面上计算的结果 ,而无论是在BW 2势能面上还是在G3势能面上 ,DCl产物的取向都强于HCl产物的取向 .计算结果还表明 ,在不同的势能面上反应物的转动激发对反应的影响有着显著的不同 .在BW 2势能面上 ,反应物的初始转动激发有利于Cl+HD反应的进行 ;而在G3势能面上 ,反应物的初始转动激发消弱了反应的反应性